Нейтронно-трансмутационное легирование

реклама
Микроминиатюризация и
приборы наноэлектроники.
Подготовил студент 3
курса группы 21302
Лебедев П.А.
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА


направление электроники,
связанное с созданием приборов
и устройств в
микроминиатюрном исполнении
и с использованием
интегральной технологии их
изготовления
геометрические размеры имеют
размеры порядка нескольких
микрометров и меньше.
Производство


Леги́рование— добавление в
состав материалов примесей с
целью контролируемого
изменения электрических
свойств полупроводника.
Фотолитогра́фия — метод
получения рисунка на тонкой
плёнке материала, с помощью
света определенной длинны
волны
Легирование



Ио́нная импланта́ция —
введение атомов примесей в
поверхностный слой пластины,
бомбардировкой его поверхности
пучком ионов c высокой энергией
(10—2000 КэВ).
Нейтронно-трансмутационное
легирование - легирующие
примеси не вводятся в
полупроводник, а образуются из
атомов исходного вещества в
результате ядерных реакций,
вызванных облучением
исходного вещества нейтронами
Термодиффузия
1.Осаждение легирующего
материала
2.Термообработка
3.Удаление легирующего
материала




Фотолитогра́фия
На толстую подложку (кремний)
наносят тонкий слой материала, из
которого нужно сформировать
рисунок. На этот слой наносится
фоторезист.
Производится экспонирование через
фотошаблон
Облучённые участки фоторезиста
изменяют свою растворимость и их
можно удалить химическим
способом (процесс травления).
Освобождённые от фоторезиста
участки тоже удаляются.
Заключительная стадия — удаление
остатков фоторезиста.
Паразитная ёмкость


нежелательная ёмкостная связь,
возникающая между
проводниками или элементами
электронных схем.
Паразитные ёмкости нужно
принимать во внимание в
микроэлектронных схемах,
поскольку в них расстояние
между проводниками мало, а их
площадь может быть достаточно
большой. В результате в схеме
может образоваться
конденсатор, что является
нежелательным.

Одна из основных задач
проектировщика —
компенсировать или
минимизировать эффект
паразитных утечек.
Наноэлектроника

область электроники,
занимающаяся
разработкой
физических и
технологических основ
создания интегральных
электронных схем с
характерными
топологическими
размерами элементов
менее 100 нанометров.

Однако принципиально
новая особенность
наноэлектроники связана с
тем, что для элементов таких
размеров начинают
преобладать квантовые
эффекты.
Наиболее значительные достижения
сегодняшнего дня
1.Открытие и контролируемое изготовление углеродных трубок и их
использование для создания электронных приборов
2.Позиционирование индивидуальных молекул на электрических контактах
и измерение электронного транспорта
3.Зондовые технологии (STM/AFM) для манипуляции нанообъектами и
изготовление с их помощью наноструктур.
4.Развитие физических и химических методов синтеза нанокристаллов и
монослоев и их «сборка» в упорядоченные структуры
5.Создание наноустройств на основе биомолекул и супрамолекул.
6.Локализация биомоторов и их использование в небиологических
наносистемах
Скачать