Samsung DDR2 SDRAM маркировка ОЗУ

Samsung-DDR2-SDRAM-маркировка-ОЗУ
Original name: Samsung 140 K4T16164QQ-HCF7 EXI581GEN
K - Означает, что перед вами микросхема памяти
4 - Означает, что перед вами микросхема типа DRAM
T - Указывает тип памяти
16 – (16 нет есть 26 — 128 Мбит 4К, 32 мс)
16 - Указывает организацию, принимает двузначные значения х16
4 - число банков памяти
Q - Указывает тип интерфейса памяти, VDD и VDDQ
Q - Указывает поколение памяти, принимает буквенные значения
H - указывает тип упаковки WBGA
C - Температура и потребляемая мощность Commercial, Normal
F7 – Скорость (время доступа)
Маркировка микросхем Samsung: K4ABBCCDEF — GHIJ
К —> Означает, что перед вами микросхема памяти
4 —> Означает, что перед вами микросхема типа DRAM
A —> Указывает тип памяти, принимает буквенные значения от А до Z, каждому из которых соответствует
определенный тип памяти. На памяти видеокарт вы можете встретить следующие буквы:
D — DDR SGRAM;
G — SGRAM;
N — DDR SGRAM II;
V — VRAM (однопортовая);
W — WRAM (двухпортовая).
Расшифровку остальных можно уточнить на сайте Samsung по адресу www.samsung.com
BB —> Указывает емкость чипа и время подзарядки, принимает как цифровые, так и цифро-буквенные
двухзначные значения. Приведем некоторые из них:
26 — 128 Мбит 4К, 32 мс; 27 — 128 Мбит 16К, 32 мс; 28 — 128 Мбит 4К, 64 мс; 62 — 64 Мбит 2К, 16 мс; 63 —
64 Мбит 2К, 32 мс; 64 — 64 Мбит 4К, 64 мс
CC —> Указывает организацию, принимает двузначные значения. Вот некоторые из них:
16 — х16; 32 — х32; 64 — х64
D —> Указывает число банков памяти. Принимает одно из шести числовых значений:
1 — 1 банк; 2 — 2 банка; 3 — 4 банка; 4 — 8 банков; b — 16 банков; 6 — 32 банка
E —> Указывает тип интерфейса памяти, VDD и VDDQ. Принимает как числовые, так и буквенные
однозначные значения, некоторые из которых приведены ниже:
6 — SSTL-3, 3,3 В, 3,3 В; 7 — SSTL-2, 3,3 В, 2,5 В; 8 — SSTL-2, 2,5 В, 2,5 В; 9 — RSL, 2,5 В, 2,5 В; А — SSTL,
2,5 В, 1,8 В; Q — SSTL, 1,8 В, 1,8 В
F —> Указывает поколение памяти, принимает буквенные значения, некоторые из которых приведены ниже:
М — первое поколение;
А — второе поколение;
В — третье поколение;
С — четвертое поколение;
D — пятое поколение;
Е — шестое поколение;
F — седьмое поколение
G —> G — указывает тип упаковки. Принимает следующие значения в зависимости от типа памяти (см.
значение А):
для DDR SGRAM:
Q — TQFP; G — FBGA; H — WBGA; J — FBGA (DDP); Т — TSOP2-400; L — TSOP2-400(LF); U — TQFP(LF); V —
FBGA(LF); P — FBGA(LLDP); для SGRAM: P — QFP; Q — TQFP; для VRAM: H — SSOP; для WRAM: P — QFP;
для DDR SGRAM II:
G — FBGA, E — FBGA (LF, DDP)
H —> Температура и потребляемая мощность, принимает как буквенные, так и числовые значения,
некоторые из которых приведены ниже:
А — Automotive, Normal; С — Commercial, Normal; L — Commercial, Low; В — Commercial, Super Low; E —
Extended, Normal; N — Extended, Low; U — Extended, Super Low; 1 — Industrial, Normal; P — Industrial, Low; D
— Industrial, Super Low; G — Extended, Low, PASR & TCSR, Г — Industrial, Super Low, PASR & TCSR
IJ —> Скорость (время доступа), принимает следующие значения в зависимости от типа памяти: VRAM и
WRAM: 80 — 8ns; 70 — 7ns; 60 — 6ns; 55 — 5,5ns; 50 — 5ns; DDR SGRAM: 21 — 2,1ns (475 МГц); 22 — 2,2ns
(450 МГц); 25 — 2,5ns; 30 — 3ns; 33 — 3,3ns; 35 — 3,5ns; 36 — 3,6ns; 3N — 3,32ns (301 МГц); 40 — 4ns; 45
— 4,5ns; 50 — 5ns; 55 — 5,5ns; 58 — 5,8ns; 60 — 6ns; 66 — 6,6ns; 67 — 6,7ns; 70 — 7ns; 80 — 8ns; 90 —
9ns; 2А — 2,86ns (350 МГц); 2В — 2,94ns (340 МГц); 2С — 2,66ns (375 МГц); DDR SGRAM II: 12 — 1,25ns; 14
— 1,429ns; 16 — 1,667ns; 18 — 1,818ns; 1К — 1,996ns; 20 — 2ns; 22 — 2,2ns; 25 — 2,5ns; 30 — 3ns; 33 —
3,3ns
---------------------------------------------------------------------------------------------------