Исходные данные: Конструкция платы многослойная

Исходные данные:
Конструкция платы
Класс точности
Минимальное расстояние l min
между центрами элементов
проводящего рисунка
Диаметр металлизированных
монтажных отверстий – dМ.О.
Способ получения рисунка
печатного монтажа
многослойная
1
1,25 мм
0,6 мм
фотохимический
Шифр ДЗ I-2-5.0-1.3-СГ
Минимальные значения основных геометрических параметров ПП в соответствии с классом
точности
Ширина проводника
t
0,5
Расстояния между проводниками, контактными
площадками, проводником и КП, проводником и
металлизированным отверстием.
s
0,5
Расстояние от края просверленного отверстия до
края контактной площадки.
bM
0,05
Отношение диаметра металлизированного
отверстия к толщине платы.

0,5
1.
Эскиз печатной платы:
1.
2.
3.
4.
5.
2.
Контактная площадка
Основание диэлектрик
Проводник
Отверстие монтажное
Стеклоткань пропиточная
Метод изготовления
Для изготовления многослойной печатной платы выбираем комбинированный позитивный
метод (ввиду того, что на входе в обработку поступила МПП после прессования слоев без
проводящего рисунка на внешних слоях).
3.
Материал печатной платы
В качестве материала печатной платы выбираем фольгированный стеклотекстолит.
Толщина фольги 35 мкм. Марка СТФ-1-35.
Между слоями прокладывается прокладочная стеклоткань СПТ-3
4.
Расчет размеров
a. Расчёт толщины печатной платы - h.
Рассчитываем по формуле h 
d М .О.

где
=0,5, dм.о.=0,6, тогда толщина печатной платы:
h
0.6
 1.2 мм. По госту:h=1мм
0.5
b. Расчет размеров D и t
1.
Определяем минимальный эффективный диаметр D1min
d


D1 min  2 bM  max   отв   к.п. 
2


где bM  0.05 мм;
d св  d м.о.  (0.1...0.15)  1.4
dmax  dсв  d  1.4  0.02  1.42 мм;
 отв   о     0.06  0.02  0.08 мм;
 к.п.   ш   э  12  п   з   0.05  0.02  12 0.03  0.02  0.095 мм.
1.42
 0.08  0.095)  1.87 мм.
2
2. Определяем Dmin:
Dmin  D1 min  1.5(h ф  h пм )  1.93 мм.
D1min  2(0.05 
Определяем Dmax:
Dmax  Dmin  Э  Dш  1.97 мм.
4. Определяем tmin:
t1min=0.5 мм, согласно 1-му классу точности
t min  t1 min  1.5(hф  h пм )  0.56 мм.
3.
5.
Определяем tmax
tmax  tmin  Э  Dш  0.6 мм.
Δd, δо, δδ, δш δэ δn δз ΔЭ, ΔDш – определяем из таблицы значений технологических
параметров. Берем средние значения, ввиду того, что неизвестно состояние
оборудования и другие сведения необходимые для точного выбора этих параметров.
5.
Расчет числа проводников для узких мест
Минимальное расстояние S min между проводником и контактной площадкой, между
проводниками, контактными площадками, между контактными площадками монтажных
отверстий выбираем из таблицы минимальных геометрических параметров ПП. Для первого
класса точности S min  0.5 мм.
a. Число проводников между двумя контактными площадками монтажных
отверстий
2Dmax
lmin( n)  
 2 o   tmax  2 wt n  s min ( n  1)
2


n  root( lmin( n)  1.25n 1010)  1.126
Из этого следует, что невозможно поместить ни одного проводника,
следовательно рассчитаем lmin для n=1.
lmin( 1)  3.78
Шаг координатной сетки – 1.25 следовательно, ближайшее значение кратное шагу
координатной сетки – lmin=5.0
b. Число проводников между двумя неметаллизированными отверстиями
2dmax
lmin( n)  
 2 o   tmax  2 wt  n  s min ( n  1)  2 a
2


n  root( lmin( n)  1.25n 1010)  1.504
Из этого следует, что невозможно поместить ни одного проводника,
следовательно рассчитаем lmin для n=1.
lmin( 1)  4.23
Шаг координатной сетки – 1.25 следовательно, ближайшее значение кратное шагу
координатной сетки – lmin= 5.0
c. Число проводников между краем платы и контактной площадкой монтажного
отверстия:
Dmax
lmin( n)  
 kp   tmax  2 wt n  s min n  a
2


n  root( lmin( n)  1.25n 1010)  0.697
Из этого следует, что невозможно поместить ни одного проводника,
следовательно рассчитаем lmin для n=1.
lmin( 1)  3.27
Шаг координатной сетки – 1.25 следовательно, ближайшее значение кратное шагу
координатной сетки – lmin=3.75
6.
Последовательность операций технологического процесса:
1. В обработку поступила МПП после прессования слоев без проводящего рисунка на
наружных слоях;
2. Сверление монтажных и переходных отверстий на станке с ЧПУ;
3. Подготовка отверстий после сверления:
a. снятие заусенцев;
b. создание микрорельефа;
c. активация и сенсобилизация диэлектрика;
4. Химическая металлизация всей платы hпм=1..2 мкм;
5. Гальваническая затяжка;
6. Получение маски фотоспособом;
7. Гальваническое осаждение меди;
8. Гальваническое осаждение металлорезиста;
9. Травление меди с пробельных мест;
10. Травление металорезиста;
11. Горячее лужение
12. Нанесение паяльной маски
7.
Выбранные значения технологических параметров:
Наименование коэффициента
Погрешность расположения отверстия относительно
координатной сетки, обусловленная точностью
сверлильного станка
Погрешность базирования плат на сверлильном станке
Погрешность расположения проводника относительно
координатной сетки на фотошаблоне
Погрешность расположения базовых отверстий на
заготовке
Погрешность расположения базовых отверстий в
фотошаблоне
Погрешность диаметра отверстия после сверления
Погрешность изготовления окна фотошаблона
Погрешность на изготовление линии на фотошаблоне
Погрешность диаметра контактной площадки
фотокопии при экспонировании рисунка
Обоснование выбора значений параметров в п.4б
УГО Допустимая
величина, мм
δо
0.02...0.10
Выбранное
значение,мм
0.06
δб
δшt
0.01...0.03
0.03...0.06
0.02
0.045
δз
0.01...0.03
0.02
δп
0.01...0.05
0.03
Δd
ΔDш
Δtш
ΔЭ
0.01...0.03
0.01...0.03
0.03...0.06
0.01...0.03
0.02
0.02
0.04
0.02
Список литературы
1. В.Н. Гриднев, К.Ф. Скворцов. Методические указания к домашнему заданию по курсу ТПС и
ТП ЭВА. Под редакцией Парфенова О.Д., М.: МВТУ им.Н.Э.Баумана, 1981, 34 с.
2. Конспект лекций по курсу ТП ЭВА.