Тезаурус тематических рубрик по физике

Тезаурус тематических рубрик по физике
полупроводников
(версия 4 *БЕН, 2010-08-15)
В. Н. Белоозеров (ВИНИТИ РАН)
Н. Н. Шабурова (ИФП СО РАН)
Введение
Настоящий «Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников (ТТР
ФПП, версия 2)» является информационно-поисковым тезаурусом в соответствии с
ГОСТ 7.25.1) Он разработан в качестве компонента системы тематического поиска
литературы по физике полупроводников в среде информационных ресурсов,
содержание которых описывается различными классификациями отраслей знания,
зарегистрирован Аналитической службой ведения информационных языков
Государственной системы научно-технической информации (ГСНТИ) ВИНИТИ РАН № 132.09, включён в фонд языковых средств ГСНТИ и рекомендован для
использования в информационных органах. Единицами тезауруса являются
дескрипторы, представленные кодами и наименованиями (полными текстами и
отдельными ключевыми словами) классификационных рубрик пяти авторитетных в
области научной и технической информации классификаций – Универсальной
десятичной классификации (УДК), Библиотечно-библиографической классификации
(ББК), Государственного рубрикатора научно-технической информации (ГРНТИ),
Рубрикатора отраслей знания Всероссийского института научной и технической
информации (ВИНИТИ) и из американской Схемы классификации по физике и
астрономии (Physics and Astronomy Classification Scheme – PACS).
В основе словника тезауруса лежат следующие источники.
Из УДК в тезаурус вошли наименования классов 537/537.3 и 538.9, а также
связанные классы других разделов физики, химии и техники, которые оказались
необходимы для многоаспектного индексирования. Кроме того сюда были включены
рубрики рабочей таблицы БЕН РАН для индексирования полупроводниковой тематики
по УДК.
ББК представлена наименованиями и ключевыми словами разделов В379.1 и
В379.2 в соответствии с электронными эталонными таблицами НИЦ РГБ 2008 г.,
используемыми в каталоге ИФП СО РАН, и связанными с ними понятиями других
частей науки (с применением печатных таблиц 1970-1972 гг.)
Из ГРНТИ включены все рубрики раздела 29.19 Физика твёрдых тел.
Из Рубрикатора ВИНИТИ взят раздел 291.19.31, непосредственно относящийся
к полупроводникам, и добавлен небольшой раздел. спинтроники 291.19.36, имеющий
важное значение для современных исследований и усиливающий в тезаурусе аспект
магнитных свойств полупроводников.
Из PACS в тезаурус включены наименования и ключевые слова предметных
рубрик алфавитного указателя, относящиеся к полупроводникам, а также наименования
и ключевые слова тех разделов PACS, к которым относит полупроводниковые понятия
алфавитный указатель, включая соответствующие вышестоящие классы.
Указанная лексика в ряде случаев дополнена обобщающими классами смежных
по тематике разделов классификаций.
Каждая лексическая единица сопровождается кодом того класса (рубрики), из
которого она была получена при условии, что содержание её понятия не выходит за
рамки данного класса. Если из разных классификационных систем выделены
идентичные лексические единицы, они сводятся в одну тезаурусную статью с перечнем
всех соответствующих кодов. Если термины из разных классификаций различаются по
форме, но совпадают по значению, один из них выбирается в качестве дескриптора и
ГОСТ 7.25-2001 СИБИД. Тезаурус информационно-поисковый одноязычный. Правила
разработки, структура, состав и форма представления. – М., 2002.
1
ему приписываются коды обеих классификаций. Другой термин вводится в тезаурус в
виде аскрипторной статьи со ссылкой на синонимичный дескриптор. Аскрипторы
выделены курсивом.
Для выявления опосредованных связей классификационных систем дескрипторы
были
заиндексированы
по
правилам
многоаспектного
индексирования,
предусмотренным методиками применения ББК и УДК. Соответствующие
комбинированные индексы помечены астериском: *. Комбинированные коды УДК,
использованные в рабочей таблице БЕН РАН, помечены знаком процентов %.2
Основные дескрипторы, значение которых не раскрывается формой термина,
снабжены определениями.
Источники данных
1.
УДК. Универсальная десятичная классификация. Полное издание на
русском языке. Тт. 1 – 10. – М.: ВИНИТИ, 2001 – 2009.
2.
Государств. классификатор НТИ: Т. 1 Рубрикатор научно-технической
информации (ГРНТИ). – 256 с.; Т. 2 Алфавитно-предметный указатель
ГРНТИ. – 208 с. – М. ВИНИТИ, 2007
3.
Рубрикатор информационных изданий ВИНИТИ (в 4 томах). – М.:
ВИНИТИ, 2005
Библиотечно-библиографическая классификация. Таблицы для
научных библиотек. Раздел «В3 Физика» [Электронный ресурс]. –
[Электронная версия эталона таблиц 2009 г. / НИЦ РГБ]
Библиотечно-библиографическая классификация. Таблицы для
научных библиотек. Вып. I-V. – М.: Книга, 1970 -1972.
Physics and Astronomy Classification Scheme / American Physics Society
[Электронный ресурс]. – Доступ: http://publish.aps.org/PACS (Дата
обращения 2009-09-15)
Рабочие таблицы БЕН РАН для индексирования литературы по физике.
2009 г.
4.
5.
6.
7.
Публикации
1.
2.
3.
4.
2
Классификационные системы как средство поиска информации по
физике полупроводников / В. Н. Белоозеров, Н. Н. Шабурова //
Библиосфера. – ГПНТБ СО РАН, 2008, № 3. – С. 34 – 42
Проблемы сопоставления информационно-поиск. классификац.
систем при формировании тезауруса тематич. рубрик по физике
полупроводников / В. Н. Белоозеров, Н. Н. Шабурова // Роль ГПНТБ
СО РАН в развитии информац.-библиотеч. обслуживания в регионе.
Межрегион. научно-практич. конф. (Новосибирск 6-10 окт. 2008) –
Новосибирск: ГПНТБ СО РАН, 2008. – С. 27 – 29
Сопоставительный тезаурус классификационных систем по физике
полупроводников / Белоозеров В. Н. (ВИНИТИ РАН, ВЦ РАН),
Шабурова Н. Н. (Инст. физики полупроводников СО РАН) //
Информационное обеспечение науки: новые технологии : Сб. науч.
трудов / Калёнов Н. Е. (ред.). – М.: Научный мир, 2009. С. 311 – 322
Тезаурус классификационных систем по физике полупроводников
[Электронный ресурс] / В. Н. Белоозеров, Н. Н. Шабурова //
Общерос. электрон. научная конф. на основе интернет-форума
«Актуальн. вопросы современ. науки и образования». Доступ:
http://e-conf.nkras.ru/konferencii/econf/inform.html. - Создан: 2009-0723.
Сведения об индексировании по УДК в БЕН РАН предоставлены Л. А. Верной.
5.
6.
Тематическое
индексирование
информации
по
физике
полупроводников с помощью тезауруса классификационных рубрик /
В. Н. Белоозеров, Н. Н. Шабурова // XVIII Уральская международная
зимняя школа по физике полупроводников (15 – 20 февраля 2010 г.,
Екатеринбург – Новоуральск): Программа и тезисы докладов. –
Екатеринбург, 2010. – С. 265 – 266.
Система классификационных схем для индексирования документов в
области физики [Электронный ресурс] / В.Н. Белоозеров, Н.Н.
Шабурова // Библиотеки и информационные ресурсы в современном
мире науки, культуры, образования и бизнеса: материалы конф. –
Электрон. дан. – М.: ГПНТБ России, 2010. – 1 электрон. опт. диск
(CD-ROM). – Систем. требования: IBM PC, Windows 2000 или выше.
– Загл. с этикетки диска. – ISBN 978-5-85638-139-8. –
№ гос. регистрации 0321000673.
Ссылки:
С – синоним
См – отсылка от аскриптора (нерекомендованного термина) к синонимичному
дескриптору.
В – вышестоящий, более широкий дескриптор, обозначающий родовое понятие
или целый объект, в котором частью является заглавное понятие
Н – нижестоящий дескриптор, обратный к вышестоящему.
А – ассоциативное понятие, практически синоним при тематическом поиске
литературы.
Лексико-семантический указатель
Латиница – 3 статьи
N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.35.21
В: вольтамперные характеристики
В: нелинейная проводимость /полупроводников/
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: генерация СВЧ /в полупроводниках/
Н: полупроводниковые домены
Н: эффект Ганна /в полупроводниках/
p-n-переходы = Переходная область в контакте между полупроводниками с электронной (n) и
дырочной (p) проводимостью
ББК В379.231.21
ВИНИТИ 291.19.31.33.23
В: барьерные эффекты в полупроводниках
В: контакты /полупроводников/
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
Н: комбинации p-n-переходов
S-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.35.25
В: вольтамперные характеристики
В: нелинейная проводимость /полупроводников/
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: шнурование
А а – 35 статей
автоэлектронная эмиссия = выход электронов из металла или полупроводника под действием
сильного электрического поля
ББК В373.13
УДК 537.533.2
С: электростатическая эмиссия электронов
В: электронная эмиссия
Н: автоэлектронная эмиссия /в полупроводниках/
автоэлектронная эмиссия /в полупроводниках/
ББК В379.231.3
ВИНИТИ 291.19.31.37.23
*УДК 537.533.2:621.315.59
С: туннельная эмиссия
В: автоэлектронная эмиссия
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
агрегатное состояние – действие на проводимость
*ББК В375.1:В373.12
УДК 537.312.67
С: электропроводность в зависимости от агрегатного состояния
В: температура – действие на проводимость
адатом = атом, адсорбированный на поверхности кристалла
ББК Г589
*УДК 544.022.343.4:544.723
В: кристаллическая решётка полупроводников
акустика
ББК В32
ВИНИТИ 291.37
ГРНТИ 29.37
УДК 534
В: физика
Н: физическая акустика
акустические фононы
В: фононы
акустические явления в конденсированном веществе
*ББК В369:В32
УДК 538.951
В: физическая акустика
В: свойства и явления в конденсированном веществе
А: механические явления в конденсированном веществе
акустические явления в аморфных полупроводниках
*ББК В379.212.4:В32
ВИНИТИ 291.19.31.27.25
*УДК 538.951:621.315.59-026.764
В: аморфные полупроводники – физика
В: акустические явления в полупроводниках
акустические явления в полупроводниках
*ББК В379.22:В32
ВИНИТИ 291.19.31.27
*УДК 538.951:621.315.59
В: акустические явления в конденсированном веществе
B: полупроводники
Н: магнитное поле /влияние на акустику полупроводников/
Н: нелинейные электро- и магнито-акустические эффекты /в поупроводниках/
Н: поглощение и распространение звука /в полупроводниках/
Н: пьезоэффект /акустика полупроводников/
Н: электроакустическое преобразование /в полупроводниках/
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках
Н: электроакустические явления в полупроводниках
акустооптика /полупроводников/ = раздел физики, изучающий взаимодействие оптических и
акустических волн (акустооптическое взаимодействие), а также раздел техники, в рамках
которого разрабатываются и исследуются приборы, использующие акустооптическое
взаимодействие
PACS 43.35.Sx; 78.20.Hp
*ББК В343.62:В379.24…
*УДК 538.951:538.958:621.315.59
%УДК: 534:535
В: акустические свойства полупроводников
акусторезистивный эффект в полупроводниках
ББК В379.231.2
*УДК 537.312.9:621.315.529
В: акустоэлектрические явления в полупроводниках
акустоэлектрические домены = области сильного электрического поля и большой
интенсивности низкочастотных акустических фононов (акустических шумов} в полупроводнике,
возникающие при усилении фононов дрейфом носителей заряда
ББК В379.231.7
ВИНИТИ 291.19.31.35.19
В: акустоэлектрические явления в полупроводниках
В: неустойчивости /в полупроводниках/
акустоэлектрические явления в полупроводниках
ББК В379.231.7
*УДК 537.311.322.04:534
С: электроакустические явления в полупроводниках
В: электрические свойства полупроводников
В: электронные явления в полупроводниках
Н: акусторезистивный эффект в полупроводниках
Н: акустоэлектрические домены
Н: акустомагнетоэлектронный эффект в полупроводниках
акцептор /в структуре полупроводника/ = Примесный атом или дефект кристаллической
решётки, создающий в запрещённой зоне полупроводника свободный энергетический уровень, на
который легко переходит валентный электрон, оставляя в валентной зоне дырку
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки полупроводников
Н: легирующие примеси в полупроводниках – акцепторы
алмазы и алмазоподобные полупроводники – физика
ББК В379.2
*УДК 538.9:621.315.59:549.211
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
алюминий
*ББК Г123.2:К233.1
УДК 546.62
А: алюминий и его соединения – полупроводниковые свойства
алюминий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.22/23-2
*УДК 621.315.59:546.62
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: алюминий
аморфно-кристаллические полупроводники
*ББК В379.212:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.47
*УДК 621.315.59-026.763-026.764
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
*ББК В379.212:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.47
*УДК 621.315.59-026.764
В: полупроводники
Н: аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники
Н: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
Н: диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
Н: оптические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: термомагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
Н: термоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
Н: фотоструктурные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
Н: фотоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
Н: электропроводность /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
аморфные полупроводники = Тела в аморфном состоянии, обладающие свойствами
полупроводников
ББК В379.212.4
*УДК 621.315.59-026.764
%УДК 537.311.322:539.213
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники – физика
аморфные полупроводники – физика
ББК В379.212.4
*УДК 538.9:621.315.59-026.764
В: аморфные полупроводники
В: структура полупроводников
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках
Н: высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: люминесценция в аморфных полупроводниках
Н: неустойчивости в аморфных полупроводниках
Н: поверхности и границы раздела аморфных полупроводников и стёкол: структура
и энергетика
Н: статистико-термодинамические свойства аморфных полупроводников
Н: статистические кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: фотоэлектрические явления в аморфных полупроводниках
Н: энергетический спектр аморфных полупроводников
А: неупорядоченные полупроводники – физические свойства
А: стеклообразные полупроводники – физика
анизотропная электропроводность полупроводников
ББК В379.231.2
*УДК 537.311.322:537.226.5
В: анизотропные полупроводники
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: электропроводность полупроводников
анизотропное магнитосопротивление
ВИНИТИ 291.19.36.21.15
В: магнитосопротивление
В: эффекты спинтроники
анизотропные полупроводники = полупроводники, свойства которых неодинаковы по различным
направлениям
ББК В379.2
*УДК 537.226.5:621.315.59
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: структура полупроводников
Н: анизотропная электропроводность полупроводников
аномальный эффект Холла
ВИНИТИ 291.19.36.21.47
В: эффект Холла
В: эффекты спинтроники
антисегнетоэлектрики = диэлектрики, не являющиеся сегнетоэлектриками, но обладающие
определенной спецификой электрических свойств. Основной признак антисегнетоэлектрика наличие структурного фазового перехода, сопровождающегося значительной аномалией
диэлектрической проницаемости
*ББК В379.331.5:331.7
ВИНИТИ 291.19.35
ГРНТИ 29.19.35
УДК 537.226.4
В: сегнетоэлектричество
антиферромагнетизм полупроводников = одно из магнитных состояний вещества,
отличающееся тем, что элементарные (атомные) магнитики соседних частиц вещества
ориентированы навстречу друг другу (антипараллельно), и поэтому намагниченность тела в целом
очень мала. Этим антиферромагнетизм отличается от ферромагнетизма, при котором
одинаковая ориентация элементарных магнитиков приводит к высокой намагниченности тела.
ББК В379.233.4
*УДК 537.611.45:537.622.5:621.315.59
%УДК 537.311.322.04:537.611.45
В: антиферромагнетизм – теория
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные свойства полупроводников
антиферромагнетизм – теория
ББК В373.35
УДК 537.611.45.01
В: магнетизм – теория
Н: антиферромагнетизм полупроводников
антиферромагнетики
См: антиферромагнитные материалы
антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
ББК В373.34/35
ВИНИТИ 291.19.43
ГРНТИ 29.19.43
УДК 548:537.611.45/.46
В: магнитные свойства твёрдых тел
Н: антиферромагнетизм полупроводников
Н: антиферромагнитные материалы
антиферромагнитные материалы
УДК 537.622.5
С: антиферромагнетики
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные материалы
В: магнитные свойства материалов
антиферромагнитный резонанс = одна из разновидностей электронного парамагнитного
резонанса, которая проявляется как резкое возрастание поглощения электромагнитной энергии,
проходящей через антиферромагнетик
ББК В373.35
УДК 537.635:537.611.45
В: магнитные резонансы
Н: магнитный резонанс в полупроводниках
Н: ферримагнитный резонанс
Н: ферромагнитный резонанс
арсенид галлия /полупроводниковые свойства/
*ББК Г125.315:Г123.31-2:з843.3
*УДК 546.681’19:621.315.59
%УДК 537.311.322-039.6GaAs
В: галлий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: полупроводниковые соединения
атомная физика
УДК 539.18
Н: свойства атомов
атомносиловая микроскопия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.27
В: микроскопия
В: экспериментальные методы спинтроники
Б б – 10 статей
баллистическое магнитосопротивление
ВИНИТИ 291.19.36.21.17
В: магнитосопротивление
В: эффекты спинтроники
барьер Шоттки = потенциальный барьер, возникающий на границе металл-полупроводник
ББК В379.231.5
В: потенциальные барьеры /в полупроводниках/
барьерные эффекты в полупроводниках
В: электронные явления в полупроводниках
Н: потенциальные барьеры в полупроводниках
Н: р–n переходы /в полупроводниках/
Н: электронные переходы в полупроводниках
безизлучательная рекомбинация /в полупроводниках/ = рекомбинация носителей тока, при
которой энергия выделяется в виде колебаний решетки или передается другим электронам
проводимости, либо дыркам.
*ББК
В379.13:231.2
ВИНИТИ 291.19.31.29.25.17
В: рекомбинация /в полупроводниках/
бесщелевые полупроводники /физика/ = полупроводники, у которых отсутствует
запрещённая зона, поэтому имеющие высокую диэлектрическую проницаемость (к ним относятся
соединения ртути Hg, теллура Te, селена Se), а также полупроводники, у которых ширина
запрещённой зоны равна 0 при определённых условиях (давление, температура и т. п.) (к ним
относятся соединения висмута Bi, кадми Cd и свинца Pb)
ББК В379.2
ВИНИТИ 291.19.31.43
В: физика полупроводников
биполярные полупроводники /физика/
ББК В379.2
В: физика полупроводников
бистабильность оптическая в полупроводниках
ББК В379.24…
С: оптическая бистабильность полупроводников
В: оптические свойства полупроводников
биэкситоны /в полупроводниках/ = связанное состояние двух экситонов
ББК В379.212.2
В: квазичастицы
бор
*ББК Г123.1:Л254
УДК 546.27
А: бор и его соединения – полупроводниковые свойства
бор и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.12/16-2
*УДК 546.27:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: бор
В в – 36 статей
вакансии /в кристаллической структуре/ = Узлы кристаллической решётки, в которых
отсутствует атом или ион
ББК В371.231.2
УДК 544.022.342.2
Н: вакансии в полупроводниках
вакансии в полупроводниках
ББК В379.212.2
*УДК 538.911:544.022.342.2
В: вакансии /в кристаллической структуре/
В: точечные дефекты /в полупроводниках/
вакуумный ультрафиолет в полупроводниках
ББК В379.24-142.1
В: ультрафиолетовое излучение в полупроводниках
валентная зона = зона валентных электронов; верхняя из заполненных разрешённых зон (В
собственном полупроводнике полностью заполнена при нулевой температуре)
В: разрешённая зона
ванадий
*ББК Г125.41:К235.13
УДК 546.881
А: ванадий и его соединения – полупроводниковые свойства
ванадий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г125.412/415-2
*УДК 546.881:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: ванадий
варизонные полупроводники – физика = кристаллы, в которых энергетические параметры
зонной структуры (в т.ч. ширина запрещённой зоны), эффективные массы носителей и
диэлектрическая проницаемость плавно изменяются вдоль одного или нескольких направлений в
кристалле
ББК 379.2
В: кристаллические полупроводники
В: физика полупроводников
взаимодействие ионов с полупроводниками
ББК В379.212.7
*УДК 538.97:537.534.7:621.315.59
В: взаимодействие полупроводников с частицами и излучением
В: радиационные эффекты в полупроводниках
Н: многозарядные ионы – взаимодействие с полупроводниками
А: ионная имплантация полупроводников
А: ионы в полупроводниках
взаимодействие полупроводников с частицами и излучением
ББК В379.212.7
*УДК 621.315.59:539.1.043
%УДК 537.311.322.04: 538.97
В: физические свойства полупроводников
Н: взаимодействие ионов с полупроводниками
Н: взаимодействие света с полупроводниками
взаимодействие проникающего излучения /радиации/ с твёрдыми телами
ББК В371.27
ВИНИТИ 291.19.25
ГРНТИ 29.19.25
*УДК [538.97-026.76]:539.121.7.043
С: проникающее излучение – взаимодействие с твёрдыми телами
В: физика твёрдых тел
Н: ионная имплантация полупроводников
взаимодействие света с полупроводниками
ББК В379.24
*УДК 535.3:621.315.59
В: взаимодействие полупроводников с частицами и излучением
В: оптические свойства полупроводников
вибрационная магнитометрия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.17
В: магнитометрия
В: экспериментальные методы спинтроники
вибронные взаимодействия = составляющая полного взаимодействия частиц в молекуле или
твёрдом теле, возникающая в приближении, основанном на разделении движений электронов и
колебаний ядер
В: квантовая теория
Н: вибронные взаимодействия в полупроводниках
вибронные взаимодействия в полупроводниках
ББК В379.13
В: вибронные взаимодействия
В: квантовая теория полупроводников
видимое оптическое излучение в полупроводниках
ББК В379.24-143
В: cпектральные диапазоны оптического излучения в полупроводниках
видимые и ультрафиолетовые спектры полуметаллов
PACS 78.40.Kc
В: полуметаллы
Н: ультрафиолетовые спектры полуметаллов
видимый свет – действие на проводимость
В: излучения – действие на проводимость
висмут
*ББК Г123.33:К232.9
УДК 546.87
В: полуметаллы
А: висмут и его соединения – полупроводниковые свойства
висмут и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.33-2
*УДК 546.87:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: висмут
влияние излучения/облучения на структуру и свойства полупроводников
См: радиационные эффекты в полупроводниках
влияние облучения на свойства твёрдых тел
ББК В371.27
ВИНИТИ 291.19.21
ГРНТИ 29.19.21
*УДК 539.21:538.97:539.12.043
В: физика твёрдых тел
Н: радиационные эффекты в полупроводниках
внешний фотоэффект
См: фотоэлектронная эмиссия
внутренний фотоэффект
См: фотопроводимость
внутризонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
*ББК В379.13:242:243
ВИНИТИ 291.19.31.25.19.19
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/
возбуждение электромагнитных колебаний
ББК В336
УДК 537.862
С: генерация электромагнитных волн
Н: генерация электромагнитных волн в полупроводниках
вольтамперные характеристики = зависимость тока от напряжения
Н: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников
Н: S- образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
вращение плоскости поляризации в полупроводниках
ББК В379.24-27
В: оптические свойства полупроводников – поляризация излучения
вторичная эмиссия = испускание электронов поверхностью твёрдого тела при её бомбардировке
электронами
ББК В373.131
УДК 537.533.8
Н: вторичная эмиссия /электронов в полупроводниках/
вторичная эмиссия электронов в полупроводниках
ББК В379.231.31
ВИНИТИ 291.19.31.37.25
*УДК 537.533.8:621.315.59
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
выращивание полупроводниковых плёнок
PACS 68.55.-z
*ББК В379.212.6:К203.4
*УДК 621.793:621.315.59
В: структура и морфология тонких плёнок
вырожденные полупроводники – физика
ББК В379.2
В: физика полупроводников
высокие давления – влияние на электрические свойства полупроводников
*ББК B367.1:В379.231
*УДК 537.311.322.092:539.89:621.315.59
В: электрические свойства полупроводников
высокоомные полупроводники – физика = полуизолирующие полупроводники с высоким
удельным сопротивлением
ББК В379.2
В: физика полупроводников
высокочастотная диэлектрическая проницаемость и распространение
электромагнитных волн в полупроводниках
*ББК В379.231.6:24:з841.5
ВИНИТИ 291.19.31.25.15
*УДК [537.86/.87+537.226.1]:621.315.59
В: электромагнитные колебания в полупроводниках
высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
*ББК В379.212.4:25:з841.5
ВИНИТИ 291.19.31.23.43
В: аморфные полупроводники – физика
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
*ББК В379.25:з841.5
ВИНИТИ 291.19.31.23
В: кинетические явления /в полупроводниках/
Н: высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: нелинейные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: парамагнитный резонанс /в полупроводниках/
Н: плёнки /полупроводников в радиодиапазоне/
Н: поглощение и распространение волн /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: размерные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: циклотронный резонанс /в полупроводниках/
Н: шумы /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: электропроводность /полупроводников в радиодиапазоне/
Г г – 35 статей
галлий
*ББК Г123.31:К233.5
УДК 621.315
А: галлий и его соединения – полупроводниковые свойства
галлий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.31-2
*УДК 621.315.59:546.681
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
Н: арсенид галлия
А: галлий
гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
*ББК В379.234:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.47.17
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
В: гальваномагнитные явления /в полупроводниках/
Н: гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники
гальваномагнитные эффекты
См: гальваномагнитные явления
гальваномагнитные явления = явления, связанные с действием магнитного поля на
электрические (гальванические) свойства полупроводников
ББК В373.4
УДК 537.633
С: гальваномагнитные эффекты
С: электрические действия магнитных полей
Н: гальваномагнитные явления в полупроводниках
Н: магнитное поле – действие на проводимость
гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники/
*ББК В379.234:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.21.43.21
В: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
В: гальваномагнитные явления /в полупроводниках/
В: статические кинетические явления в аморфных полупроводниках
гальваномагнитные явления в полупроводниках
ББК В379.234
ВИНИТИ 291.19.31.21.21
*УДК 537.312.8:621.315.59
В: гальваномагнитные явления
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: электрические и магнитные свойства полупроводников
Н: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
Н: гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники/
Н: эффект Холла
Н: квантующие магнитные поля
гамма- и рентгеновское излучение в полупроводниках
ББК В379.24-141
В: cпектральные диапазоны оптического излучения в полупроводниках
Н: рентгеновское излучение в полупроводниках
гафний
*ББК Г124.43-2:К235.4
УДК 546.832
А: гафний и его соединения – полупроводниковые свойства
гафний и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г124.43-2
*УДК 546.832:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: гафний
гашение фотопроводимости /полупроводников/ = восстановление первоначального
темнового состояния образца
ВИНИТИ 291.19.31.29.15.19
В: фотопроводимость /полупроводников/
Н: собственная фотопроводимость /полупроводников/
генерация акустических волн /в полупроводниках/
*ББК В323.2:В379.2
ВИНИТИ 291.19.31.35.17.15
*УДК 538.951:621.315.59
В: генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
ББК В379.231
ВИНИТИ 291.19.31.35.17
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: генерация акустических волн в полупроводниках
Н: генерация электромагнитных волн в полупроводниках
Н: эффект Ганна в полупроводниках
генерация СВЧ /в полупроводниках/
*ББК В379.2:з841.5
ВИНИТИ 291.19.31.35.21.19
*УДК 537.862.029.6:621.315.59
В: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
В: генерация электромагнитных волн в полупроводниках
генерация спиновых волн
ВИНИТИ 291.19.36.21.41
В: эффекты спинтроники
генерация электромагнитных волн
См: возбуждение электромагнитных колебаний
генерация электромагнитных волн в полупроводниках
ББК В379.24
ВИНИТИ 291.19.31.35.17.17
*УДК 537.862:621.315.59
В: возбуждение электромагнитных колебаний
В: генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
Н: генерация СВЧ /в полупроводниках/
германий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г124.31-2
*УДК 546.289:621.315.59
%УДК 537.311.322-039.6Ge
В: неорганические полупроводники
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: германий
германий
*ББК Г124.31:з843.311:К235.3
УДК 546.289
В: полуметаллы
В: элементарные полупроводники
А: германий и его соединения – полупроводниковые свойства
гетеропереходы в полупроводниках = полупроводниковые переходы между двумя
разнородными по основному химическому составу или (и) фазовому состоянию полупроводниками
ББК В379.231.21
ВИНИТИ 291.19.31.33.25
В: границы раздела
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
Н: единичные гетеропереходы /электронный газ в полупроводниках/
Н: фотовольтаический эффект в гетеропереходах в полупроводниках
гетерополярные полупроводники = полупроводники, в которых атомы связаны смешанной
(ионно-ковалентной) связью (к ним относится большинство соединений, например, типа А3В5)
ББК В379.2
В: полупроводники
гетероструктуры полупроводников
См: полупроводниковые гетероструктуры
гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
ББК В379.231.5
*УДК 538.975.5:537.3:621.315.59
%УДК 537.311.322HStr
В: полупроводниковые гетероструктуры
В: электрические свойства полупроводников
В: электрические явления при контакте полупроводников с разными материалами
Н: жидкие кристаллы–электрические явления
Н: комбинации p-n-переходов
Н: контакт диэлектрик–металл–полупроводник – электрические явления
Н: контакт полупроводник-полупроводник
Н: контакт пьезоэлектрик–полупроводник – акустоэлектрические явления
Н: контакт пьезоэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: контакт сегнетоэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: контакт электролит–диэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: структура металл–диэлектрик–полупроводник
Н: полупроводниковые сверхрешётки
Н: слои Шоттки – электрические явления
Н: фотовольтаический эффект в контакте металл–полупроводник
Н: эксклюзия при контакте полупроводников с разными материалами
Н: электрические явления при контакте полупроводников с разными материалами
Н: явление Пельтье в полупроводниках
А: неоднородные системы /в полупроводниках/
гигантское магнитосопротивление
ВИНИТИ 291.19.36.21.21
В: магнитосопротивление
В: эффекты спинтроники
гиперкомбинационное рассеяние света в полупроводниках
ББК В379.247
В: рассеяние света в полупроводниках
В: спектроскопия полупроводников
глубокие примесные уровни полупроводников
ББК В379.212.2
В: примесные уровни полупроводников
Н: глубокие уровни примесных состояний – влияние на энергетический спектр
глубокие уровни примесных состояний – влияние на энергетический спектр
*ББК В379.212.2:13
ВИНИТИ 291.19.31.15.21.15
В: глубокие примесные уровни полупроводников
В: примесные состояния – влияние на энергетический спектр полупроводников
гомеополярные полупроводники – физика = кристаллические полупроводники, атомы
которых связаны друг с другом гомеополярной (двухэлектронной) ковалентной связью,
образующейся перераспределением двух электронов между двумя одинаковыми атомами (к ним
относятся элементарные полупроводники IV гр. периодической системы (Si, Ge, алмаз) и
полупроводниковые соединения типа A4B4 (SiC))
ББК В379.2
В: кристаллические полупроводники
В: физика полупроводников
горячие носители тока в полупроводниках = подвижные электроны и дырки в полупроводнике
или металле, энергетическое распределение которых смещено относительно равновесного при
данной температуре в сторону больших энергий
ББК В379.231.2
*УДК 537.112-026.652:621.315.59
В: носители тока в полупроводниках
Н: горячие электроны в полупроводниках
Н: релаксация энергии горячих носителей тока в полупроводниках
горячие электроны в полупроводниках
ББК В379.231.2
*УДК 537.12-026.652:621.315.59
%УДК 537.311.322.01HE
В: горячие носители тока в полупроводниках
В: теория полупроводников
В: электронные явления в полупроводниках
Н: диффузия горячих электронов в полупроводниках
А: разогрев электронов в полупроводниках
граница полупроводника и газа (вакуума)
См: явления на границе полупроводника и газа (вакуума)
граница твердого тела и газа (вакуума)
См: явления на границе твердого тела и газа (вакуума)
границы раздела
ВИНИТИ 291.19.16
ГРНТИ 29.19.16
УДК 538.971
%УДК 538.971Int
В: поверхности и границы раздела
Н: гетеропереходы в полупроводниках
А: границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные
свойства)
границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства)
PACS 68
*ББК В365.31/32:В372.5/6:В379.212.5/6
В: поверхности и границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и
неэлектронные свойства)
А: границы раздела
графит – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г741-2
*УДК 549.212:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: элементарные полупроводники
Д д – 70 статей
давление – влияние на явления в полупроводниках
ББК В379.231
ВИНИТИ 291.19.31.21.17
*УДК 537.312.9:621.315.59
В: кинетические явления /в полупроводниках/
А: пьезосопротивление /полупроводников/
двойное лучепреломление /в полупроводниках/ = расщепление пучка света в анизотропной
среде (например, в кристалле) на два слагающих, распространяющихся с разными скоростями и
поляризованных в двух взаимно перпендикулярных плоскостях
ББК В379.244
*УДК 535.55:537.874.32:621.315.59
%УДК: 537.311.322.04:535.55
В: оптические свойства полупроводников
Н: эффект Керра /в полупроводниках/
двумерный электронный газ = электронный газ, который находится в потенциальной яме,
ограничивающей движение по одной из трёх координат
В: низкоразмерный электронный газ
действие излучений на проводимость и сопротивление
УДК 537.312.5
С: электромагнитные излучения – действие на электропроводность
Н: фотопроводимость полупроводников
деканалирование заряженных частиц в полупроводниках
ББК В379.212.7
В: каналирование и деканалирование заряженных частиц в полупроводниках
детекторы излучений
PACS 29.40.-n
*ББК з849-047:В381.5
УДК 539.1.074
В: экспериментальные методы и инструменты для физики элементарных частиц и
ядерной физики
дефектно-примесные реакции в полупроводниках
ББК В379.212.2…
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
дефекты в полупроводниках
*ББК В379.212.2:Г523
%УДК 537.311.322.01:548.4
В: теория полупроводников
Н: дефекты – влияние на физические свойства полупроводников
Н: дефекты и примеси в кристаллах германия и кремния
Н: дефекты и примеси в кристаллах полупроводников III – V и II – VI
Н: дефекты Френкеля в полупроводниках
Н: радиационные дефекты в полупроводниках
Н: термические дефекты в полупроводниках
Н: точечные дефекты в полупроводниках
А: дефекты кристаллической решётки полупроводников
дефекты – влияние на физические свойства полупроводников
ББК В379.212.2
В: дефекты в полупроводниках
В: дефекты кристаллической решётки полупроводников
Н: дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках
Н: дефекты – влияние на электропроводность полупроводников
Н: дефекты – влияние на энергетические спектры в полупроводниках
дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках
ББК В379.231.26
В: дефекты – влияние на физические свойства полупроводников
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
В: электронные явления в полупроводниках
дефекты – влияние на электропроводность
*ББК В371.231:В373.12
*УДК 537.31:548.4:544.022.3
Н: дефекты – влияние на электропроводность полупроводников
дефекты – влияние на электропроводность полупроводников
ББК В379.231.26
*УДК 537.31:548.4:544.022.3:621.315.59
В: дефекты в полупроводниках
В: дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках/
В: дефекты – влияние на электропроводность
дефекты – влияние на энергетические спектры в полупроводниках
*ББК В379.212.2:13
ВИНИТИ 291.19.31.15.21
В: дефекты в полупроводниках
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
В: энергетический спектр полупроводников
дефекты внедрения
ББК В371.231
*УДК 544.022.343.3:548.4
В: дефекты кристаллической структуры
Н: дефекты замещения
дефекты замещения
ББК В371.231
*УДК 544.022.343.2:548.4
В: дефекты кристаллической структуры
дефекты и примеси в кристаллах /микроструктура/
PACS 61.72.-y
ББК В371.231
*УДК 544.022.3+548.4
В: структура твёрдых и жидких тел
Н: дефекты и примеси в кристаллах германия и кремния
Н: дефекты и примеси в кристаллах полупроводников III – V и II – VI
Н: дефекты кристаллической решётки
Н: дефекты кристаллической структуры
дефекты и примеси в кристаллах германия и кремния
PACS 61.72.uf
*ББК В371.231:[Г124.2:31]
*УДК 538.911:544.022.3:548.4:546.28
В: дефекты в полупроводниках
В: дефекты и примеси в кристаллах /микроструктура/
дефекты и примеси в кристаллах полупроводников III – V и II – VI
PACS 61.72.Tt
В: дефекты в полупроводниках
В: дефекты и примеси в кристаллах /микроструктура/
дефекты кристаллической решётки полупроводников
ББК В379.212.2
*УДК 538.911:544.022.3:548.4:621.315.59
В: дефекты в полупроводниках
В: дефекты кристаллической структуры
В: структура полупроводников
Н: акцептор /в структуре полупроводника/
Н: дефектно-примесные реакции в полупроводниках
Н: дефекты – влияние на физические свойства полупроводников
Н: дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках
Н: дефекты – влияние на энергетический спектр полупроводников
Н: дефекты Френкеля в полупроводниках
Н: дислокации в полупроводниках
Н: диффузия примесей в полупроводниках
Н: донор /в структуре полупроводника/
Н: интеркалирование полупроводников
Н: квазичастицы в полупроводниках
Н: конденсация Бозе-Эйнштейна в полупроводниках
Н: конденсация экситонов в полупроводниках
Н: отжиг радиационных эффектов кристаллической решётки
Н: поляритоны в полупроводниках
Н: поляритонные уровни в полупроводниках
Н: примеси в полупроводниках
Н: радиационные дефекты в полупроводниках
Н: структурные нарушения (радиационные) в полупроводниках
Н: термические дефекты в полупроводниках
Н: точечные дефекты в полупроводниках
Н: экситонные уровни в полупроводниках
Н: экситоны в полупроводниках
дефекты кристаллической структуры = Нарушения периодичности пространственного
расположения атомов
ББК В371.231
ВИНИТИ 291.19.11
ГРНТИ 29.19.11
*УДК 538.911:544.022.3:548.4
В: физика твёрдых тел
Н: вакансии /в кристаллической структуре/
Н: дефекты внедрения
Н: дефекты замещения
Н: дефекты кристаллической решётки полупроводников
Н: дефекты Шоттки
Н: дивакансии
Н: дислокации
Н: электронные дефекты
дефекты Френкеля в полупроводниках = дефекты кристаллической решётки, возникающие
при перемещении атома кристалла из нормального положения в узле в какое либо из междоузлий
ББК В379.212.2
*УДК 544.022.342.3:548.4:621.315.59
В: дефекты в полупроводниках
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
дефекты Шоттки
УДК 544.022.342.2
В: дефекты кристаллической структуры
деформационная люминесценция /полупроводников/
*ББК В379.24:В343.8
%УДК 537.311.322.04:535.37
В: люминесценция полупроводников
диамагнетизм /полупроводников/
ББК В379.233
*УДК 537.611.42:621.315.59
В: диамагнетизм – теория
В: магнитные свойства полупроводников
Н: уровни Ландау в полупроводниках
Н: циклотронный резонанс в полупроводниках
А: диамагнитные полупроводники
диамагнетизм – теория = Свойство вещества намагничиваться антипараллельно магнитному
полю
ББК В334.3
УДК 537.611.42
В: магнетизм – теория
Н: диамагнетизм полупроводников
диамагнетики = вещества, намагничивающиеся навстречу направлению внешнего магнитного поля
ББК В373.32
ВИНИТИ 291.19.47
ГРНТИ 29.19.47
УДК 537.622.2
В: магнитные материалы
В: магнитные свойства материалов
В: магнитные свойства твёрдых тел
Н: диамагнитные полупроводники
диамагнитные полупроводники
ББК В379.233
*УДК 537.622.2:621.315.59
В: диамагнетики
В: магнитные свойства полупроводников
А: диамагнетизм полупроводников
диамагнитный резонанс в полупроводниках
См: циклотронный резонанс в полупроводниках
дивакансии = конгломерат дефектов кристалла, состоящий из двух вакансий; двойные вакансии
ББК В371.231.2
УДК 544.022.342.2
В: дефекты кристаллической структуры
динамика и статика структур
*ББК В236.3:В232
УДК 538.913
В: структуры вещества
А: динамика решётки
динамика кристаллической решетки полупроводников
ББК В379.133
*УДК 538.913:544.223:621.315.59
В: динамика решётки
В: квантовая теория
А: кристаллическая структура и динамика решётки
динамика решётки
ББК В371.23
ВИНИТИ 291.19.19
ГРНТИ 29.19.19
УДК 544.223
В: кристаллическая структура и динамика решётки
Н: динамика кристаллической решетки полупроводников
А: динамика и статика структур
дислокации = линейные дефекты кристаллической решётки, искажающие правильное
расположение атомных плоскостей
ББК В371.231.3
УДК 538.911:544.022.344.1
В: дефекты кристаллической структуры
Н: дислокации в полупроводниках
Н: дислокации несоответствия
дислокации в полупроводниках
ББК В379.231.26
*УДК 538.911:544.022.344.1:621.315.59
%УДК: 537.311.322.01:548.4
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
В: дислокации
Н: дислокации – влияние на оптические свойства полупроводников
Н: дислокации – влияние на электрические свойства /полупроводников/
дислокации – влияние на оптические свойства полупроводников
ББК В379.24…
*УДК [538.958:621.315.59]:544.022.344.1
В: дислокации в полупроводниках
В: оптические свойства полупроводников
дислокации – влияние на электрические свойства /полупроводников/
ББК В379.231.26
*УДК 537.311.322:544.022.344.1
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
В: дислокации в полупроводниках
В: электронные явления в полупроводниках
дислокация несоответствия = линейный дефект в кристалле, при котором в кристаллическую
решётку вставлена дополнительная полуплоскость
В: дислокации
дислоцированные атомы /в полупроводнике/
ББК В379.212.2
С: междуузельные атомы
В: точечные дефекты в полупроводниках
дисперсионные соотношения Крамерса-Кронинга для оптических функций
полупроводников.
*ББК В315.7:В382.1:В379.24
В: оптические свойства полупроводников
дисперсия света в полупроводниках = зависимость показателя преломления вещества от
частоты (длины волны) света или зависимость фазовой скорости световых волн от частоты
ББК В379.243
*УДК 535.328:621.315.59
%УДК 537.311.322.04:535.328
В: дисперсия электромагнитных волн в полупроводниках
В: оптические свойства полупроводников
дисперсия электромагнитных волн в полупроводниках = зависимость фазовой скорости
гармонических волн от их частоты
ББК В379.243
*УДК 537.871.122:621.315.59
Н: дисперсия /света в полупроводниках/
дифрактометрия
Н: нейтронная дифрактометрия в спинтронике
Н: рентгеновская дифрактометрия в спинтронике
дифракция рентгеновских лучей /в кристаллах полупроводников/ = рассеяние
рентгеновских лучей кристаллами (или молекулами жидкостей и газов), при котором из начального
пучка лучей возникают вторичные отклонённые пучки той же длины волны, появившиеся в
результате взаимодействия первичных рентгеновских лучей с электронами вещества
*ББК В371.213.4:В379.2
*УДК 535.42-34:621.315.59
В: рентгеновский анализ полупроводников и их поверхностных слоёв
дифракция электронов /в кристаллах полупроводников/ = рассеяние микрочастиц
(электронов, нейтронов, атомов и т.п.) кристаллами или молекулами жидкостей и газов, при
котором из начального пучка частиц данного типа возникают дополнительно отклонённые пучки
этих частиц; направление и интенсивность таких отклонённых пучков зависят от строения
рассеивающего объекта
ББК В379.212.144
*УДК 539.124.172:621.315.59
В: электронограммы Кикучи в электронографии полупроводников
диффузионные явления в полупроводниках
ББК В379.256
*УДК 538.931:539.219.3:621.315.59
%УДК 537.311.322.01:539.219.3
В: теория полупроводников
Н: диффузия горячих электронов в полупроводниках
Н: диффузия примесей в полупроводниках
А: диффузия и самодиффузия в полупроводниках
диффузия горячих электронов в полупроводниках
ББК В379.231.2
%УДК: 537.311.322.01HE
В: горячие электроны в полупроводниках
В: диффузионные явления в полупроводниках
В: диффузия и самодиффузия в полупроводниках
Н: метод исследования магнитосопротивления носителей тока в полупроводниках
Н: нелинейные свойства полупроводников
Н: носители тока в полупроводниках
Н: прыжковая проводимость полупроводников
Н: разогрев электронов в полупроводниках
Н: рекомбинация носителей тока в полупроводниках
Н: релаксация энергии горячих носителей тока в полупроводниках
Н: соотношения рассеяния носителей тока Видемана-Франца в полупроводниках
Н: центры захвата в полупроводниках
Н: электрические колебания в полупроводниках
Н: электрические флуктуации в полупроводниках
Н: электронная и дырочная проводимости полупроводников
Н: электронный газ в полупроводниках
диффузия и ионный перенос в твёрдых телах
ББК В375.6
ВИНИТИ 291.19.17
ГРНТИ 29.19.17
*УДК 538.931-026.76
В: физика твёрдого тела
Н: диффузия и самодиффузия в полупроводниках
Н: диффузия примесей в полупроводниках
Н: ионный перенос в твёрдых телах
диффузия и самодиффузия в полупроводниках
ББК В379.256
*УДК 538.931:539.219.3:621.315.59
%УДК: 537.311.322.01:539.219.3
В: диффузия и ионный перенос в твёрдых телах
В: термодинамика полупроводников
Н: диффузия горячих электронов в полупроводниках
Н: самодиффузия в полупроводниках
А: диффузионные явления в полупроводниках
диффузия и самодиффузия в твёрдых телах
ББК В375.6
УДК: 539.219.3+538.931-026.76
В: диффузия и ионный перенос в твёрдых телах
диффузия примесей
PACS 66.30.JББК В371.231
*УДК 539.219.3:544.022.343
Н: неэлектронный перенос в конденсированных телах
диффузия примесей в полупроводниках
ББК В379.212.2
*УДК 538.93:544.022.343.2.034.24
В: диффузионные явления в полупроводниках
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
В: диффузия и ионный перенос в твёрдых телах
диффузия спинов
ВИНИТИ 291.19.36.21.31
В: дрейф и диффузия спинов
диэлектрики = вещества, плохо проводящие электрический ток
ББК В379.3
ВИНИТИ 291.19.23
ГРНТИ 29.19.33
*УДК 537.226:621.315.61
%УДК 537.226
В: электрические свойства твёрдых тел
А: диэлектрические свойства конденсированного вещества
А: физика диэлектриков
диэлектрическая постоянная полупроводников
См: диэлектрическая проницаемость полупроводников
диэлектрическая проницаемость /в целом/ = величина, характеризующая диэлектрические
свойства среды — её реакцию на электрическое поле. В соотношении D = eЕ, где Е —
напряжённость электрического поля, D — электрическая индукция в среде, Д. п. — коэффициент
пропорциональности e
УДК 537.226.1
Н: диэлектрическая проницаемость полупроводников
диэлектрическая проницаемость полупроводников
ББК В379.231.7
*УДК 537.226.1:621.315.59
С: диэлектрическая постоянная полупроводников
В: диэлектрическая проницаемость в целом
В: диэлектрические свойства полупроводников
диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
*ББК В379.212.4:231.7
ВИНИТИ 291.19.31.15
*УДК 538.956:612.315.592-026.764
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
В: диэлектрические свойства полупроводников
диэлектрические свойства конденсированного вещества
С: диэлектрические явления в конденсированном веществе
*ББК В331.4:В379.3
УДК 538.956
В: свойства и явления в конденсированном веществе
Н: диэлектрические свойства твёрдых тел
А: диэлектрики
А: физика диэлектриков
диэлектрические свойства полупроводников
ББК В379.231.7
*УДК 538.956:612.315.592
В: диэлектрические свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников
Н: диэлектрическая проницаемость полупроводников
Н: диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
Н: диэлектрические свойства полупроводников (статические)
диэлектрические свойства полупроводников (статические)
ВИНИТИ 291.19.31.19
*УДК 538.956:537.226:612.315.592
В: диэлектрические свойства полупроводников
В: полупроводники
диэлектрические свойства твёрдых тел
ББК В379.3
*УДК 538.956-026.76
В: диэлектрические свойства конденсированного вещества
В: полупроводниковые и диэлектрические свойства твёрдых тел
Н: диэлектрические свойства полупроводников
диэлектрические явления в конденсированном веществе
См: диэлектрические свойства конденсированного вещества
длинноволновое оптическое излучение в полупроводниках
ББК В379.24-144.1
В: инфракрасное излучения в полупроводниках
домены
В: физика твёрдых тел
Н: сегнетоэлектрические домены
Н: полупроводниковые домены
Н: ферромагнитные домены
домены /в полупроводниках/
См: полупроводниковые домены
донор /в структуре полупроводника/ = примесный атом, ионизация которого (в результате
теплового или иного возбуждения) приводит к переходу электрона в зону проводимости
В: дефекты /кристаллической решётки полупроводников/
Н: легирующие примеси в полупроводниках – доноры
А: донорные состояния в полупроводниках
донорные состояния в полупроводниках
ББК В379.13
А: донор /в структуре полупроводника/
дрейф и диффузия спинов
ВИНИТИ 291.19.36.21.31
В: эффекты спинтроники
Н: диффузия спинов
дырки в полупроводниках
ББК В379.13
*УДК 537.112:544.022.373:612.315.592
В: дырочные полупроводники
В: теория полупроводников
В: электронные дырки
дырочные полупроводники = полупроводники с р-типом проводимости, основные носители тока
в которых – дырки
*ББК В379.13:з843
*УДК 612.315.592:544.022.373
В: полупроводники
Н: дырки в полупроводниках
Е е – 3 статьи
европий
*ББК Г123.56:К235.3
УДК 546.661
А: европий и его соединения – полупроводниковые свойства
европий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.56-2
*УДК 546.661:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: европий
единичные гетеропереходы /электронный газ в полупроводниках/
ББК В379.231.2
ВИНИТИ 291.19.31.46.19
В: гетеропереходы в полупроводниках
В: полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом
Ж ж – 4 статьи
жидкие кристаллы = состояние вещества, в котором оно обладает свойствами жидкости
(текучестью) и некоторыми свойствами твёрдых кристаллов (анизотропией свойств)
ББК В371.235
ВИНИТИ 291.17.25
ГРНТИ 29.17.25
Н: жидкие кристаллы–электрические явления /в полупроводниках/
жидкие кристаллы–электрические явления /в полупроводниках/
*ББК В379.231.5:В371.235
*УДК 544.25::532.783:621.315.59::537
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
В: жидкие кристаллы
жидкие полупроводники
ББК В333.79
ВИНИТИ 291.17.27
ГРНТИ 29.17.27
*УДК 621.315.59-026.73
В: полупроводники
В: полупроводниковые свойства жидкостей
Н: проводимость жидких полупроводников
Н: электронная структура жидких полупроводников
жидкий гелий
*ББК Г120.2:В365.3:В371.235
ВИНИТИ 291.17.21
ГРНТИ 29.17.21
УДК 538.941-026.73
В: квантовые жидкости
А: твёрдый гелий
З з – 16 статей
зависимость физических свойств полупроводников от размеров
ББК В379.1
*УДК 538.9:621.315.59-022.5
В: физические свойства полупроводников
закон Джоуля-Ленца = определяет количество тепла Q, выделяющегося в проводнике при
прохождении через него электрического тока: Q пропорционально сопротивлению R проводника,
квадрату силы тока I в цепи и времени прохождения тока t, Q = aI2Rt. Здесь а — коэффициент
пропорциональности, зависящий от выбранных единиц измерения; если / измеряется в амперах, R
— в омах, t — в секундах, то при а = 0,239Q выражено в калориях, при а = 1 — в джоулях.
УДК 537.321
В: тепловое действие электрического тока
закон Ома = устанавливает, что сила постоянного электрического тока I в проводнике прямо
пропорциональна разности потенциалов (напряжению) U между двумя фиксированными точками
(сечениями) этого проводника (БСЭ)
ББК В332
УДК 537.311.2
В: сопротивление и проводимость
законы Кирхгофа
УДК 537.313
В: электропроводность
запрещённая зона /полупроводников/ = область энергии между верхним уровнем валентной
зоны и нижним уровнем зоны проводимости, характеризуется отсутствием электронных
состояний
С: энергетическая щель
В: энергетические зоны /полупроводников/
зона
См: энергетические зоны
зонная структура кристаллических тел
PACS 71.20.-b
*ББК В371.13:23
В: электронная плотность состояний и зонная структура кристаллических тел
В: электронная структура макроскопических тел
зонная структура отдельных металлов и сплавов
ББК К201
PACS 71.20.Gj
В: электронная плотность состояний и зонная структура отдельных металлов и
сплавов
В: электронная структура макроскопических тел
зонная структура полупроводников = наличие в структуре полупроводников различных зон,
объясняющее законы движения носителей заряда в них
ББК В379.13
PACS 71.20.Mq N
В: зонная теория твёрдых тел
Н: зонная структура полупроводниковых соединений
Н: зонная структура элементарных полупроводников
зонная структура полупроводниковых соединений
PACS 71.20 Nr
ВИНИТИ 291.19.31.15.15
В: зонная структура полупроводников
В: электронная плотность состояний и зонная структура полупроводниковых
соединений
В: электронная структура макроскопических тел
зонная структура элементарных полупроводников
ББК В379.13
PACS 71.20.Mq
В: зонная структура полупроводников
В: электронная структура макроскопических тел
В: элементарные полупроводники
зонная теория твёрдых тел = раздел квантовой механики, рассматривающий движение
электронов в твёрдом теле
ББК В371.13 ДА, ТАК
В: квантовая теория твёрдого тела
В: теория полупроводников
Н: зонная структура полупроводников
Н: энергетические зоны
зонный электронный спектр /полупроводников/
ББК В379.13
ВИНИТИ 291.19.31.15.15
В: энергетический спектр полупроводников
Н: зонный электронный спектр – влияние давления
Н: зонный электронный спектр – конечные размеры образца
зонный электронный спектр – влияние давления
ВИНИТИ 291.19.31.15.15.15
В: зонный электронный спектр /полупроводников/
зонный электронный спектр – конечные размеры образца
ВИНИТИ 291.19.31.15.15.17
В: зонный электронный спектр /полупроводников/
зоны проводимости
В: энергетические зоны
Н: электронные зоны проводимости
И и – 43 статьи
изготовление, обработка, испытание и анализ аморфных полупроводников
PACS 81.05.Gc
*ББК з233.08-01:В379.212.4
В: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников /материалов/
изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников /материалов/
PACS 81.05.Cy Dz Ea Gc Hd
*ББК з233.08-01:з843.308-01:В379.2
ВИНИТИ 531.41
ГРНТИ 53.41
*УДК 66:621.315.59
В: полупроводники
Н: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников II-VI
Н: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников III-V
изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников II-VI
PACS 81.05.Dz
*УДК 66:621.315.59:546*II-VI
В: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников
В: полупроводники II-VI
изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников III-V
PACS 81.05.Ea
*УДК 66:621.315.59:546*III-V
В: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников
В: полупроводники III-V
изготовление, обработка, испытание и анализ элементарных полупроводников
PACS 81.05.Cy
*УДК 66:621.315.59:546-121
В: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников /материалов/
излучательная рекомбинация в полупроводниках = рекомбинация электрон-дырочной пары с
испусканием одного или нескольких фотонов
*ББК В315.7:B343.541:В379.24
ВИНИТИ 291.19.31.29.25.15
В: люминесценция поолупроводников
В: рекомбинация /в полупроводниках/
излучение – взаимодействие с конденсированным веществом
УДК 538.97
В: излучения
В: физика конденсированного состояния
Н: излучение лазеров /действие на полупроводники/
Н: излучения - действие на проводимость
излучения – действие на проводимость
*ББК В332.2:В343.4
УДК 537.312.5
В: излучение - взаимодействие с конденсированным веществом
В: сопротивление и проводимость – действие внешних факторов
Н: инфракрасное излучение - действие на проводимость
Н: видимый свет - действие на проводимость
Н: ультрафиолетовое излучение - действие на проводимость
Н: рентгеновские лучи - действие на проводимость
А: радиационные эффекты в полупроводниках
излучение лазеров – действие на полупроводники
*ББК В345.2:В379.2
*УДК 537.312.5:535.14:621.373.8:621.315.59
В: излучение - взаимодействие с конденсированным веществом
В: оптические свойства полупроводников
изотропия и анизотропия /электрических свойств/
УДК 537.226.5
Н: анизотропная электропроводность полупроводников
Н: анизотропные полупроводники
импеданс
УДК 537.311.6
В: сопротивление и проводимость
А: индуктивное сопротивление
А: сопротивление переменному току
имплантация ионов в германий
PACS 61.72.uf
*УДК 538.97:537.534:546:289
В: имплантация ионов в полупроводниках
В: легирование и имплантация ионов в германий и кремний
имплантация ионов в кремний
PACS 61.72.uf
*УДК 538.97:537.534:546:28
В: имплантация ионов в полупроводниках
В: легирование и имплантация ионов в германий и кремний
имплантация ионов в полупроводниках
*УДК 538.97:537.534:621.315.59
В: легирование полупроводников
Н: имплантация ионов в германий
Н: имплантация ионов в кремний
Н: имплантация ионов в полупроводниках II-VI
Н: имплантация ионов в полупроводниках III-V
имплантация ионов в полупроводниках II-VI
PACS 61.72.uj
*УДК 538.97:537.534:621.315.59:546*II-VI
В: имплантация ионов в полупроводниках
В: легирование и имплантация ионов в полупроводниках II-VI
имплантация ионов в полупроводниках III-V
PACS 61.72.uj
*УДК 538.97:537.534:621.315.59: 546*III-V
В: имплантация ионов в полупроводниках
В: легирование и имплантация ионов в полупроводниках III-V
индий
*ББК Г123.32:К235.2
УДК 546.682
А: индий и его соединения – полупроводниковые свойства
индий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.32-2
*УДК 546.682:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: индий
индуктивное сопротивление
ББК з221.8
УДК 537.311.6
В: сопротивление и проводимость
А: импеданс
А: сопротивление переменному току
инжекционные токи в полупроводниках
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводников
А: инжекция /кинетические явления в полупроводниках/
инжекция /кинетические явления в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.21.35
В: кинетические явления /в полупроводниках/
А: инжекционные токи в полупроводниках
интеркалирование полупроводников = введение в кристаллы слоистого типа дополнительных
атомов, групп атомов или молекул между слоями для изменения физических свойств исходных
кристаллов благодаря переносу элементов с интеркалированных атомов или молекул на слои
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки
В: легирование полупроводников
интерференция /света в полупроводниках/ = сложение в пространстве двух (или нескольких)
волн, при котором в разных точках получается усиление или ослабление амплитуды
результирующей волны
ББК В379.244
*УДК 535.41:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
инфракрасное излучение = электромагнитное излучение, занимающее спектральную область
между красным концом видимого света (с длиной волны l = 0,74 мкм) и коротковолновым
радиоизлучением (l ~ 1—2 мм)
УДК 535-15
С: инфракрасные лучи
Н: инфракрасное излучение в полупроводниках
инфракрасное излучение в полупроводниках
ББК В379.24-144
В: инфракрасное излучение
В: cпектральные диапазоны оптического излучения в полупроводниках
Н: длинноволновое оптическое излучение в полупроводниках
инфракрасное излучение – действие на проводимость
ББК В371.27-144
УДК537.312.51
В: излучения - действие на проводимость
инфракрасные и рамановские спектры
PACS 78.30.-j
ББК В344.1-14
В: твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия излучений и частиц с
конденсированными телами
Н: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников
инфракрасные и рамановские спектры полупроводников
PACS 78.30.Am Fs
*ББК В379.24-144:247
В: инфракрасные и рамановские спектры
В: спектроскопия полупроводников
Н: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников II-VI
Н: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников III-V
Н: инфракрасные и рамановские спектры элементарных полупроводников
Н: инфракрасные спектры полупроводников
Н: рамановские спектры полупроводников
инфракрасные и рамановские спектры полупроводников II-VI
PACS 78.30.Fs
В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников
В: полупроводники II-VI
инфракрасные и рамановские спектры полупроводников III-V
PACS 78.30.Fs
В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников
В: полупроводники III-V
инфракрасные и рамановские спектры элементарных полупроводников
PACS 78.55.Am
В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников
Н: рамановские спектры элементарных полупроводников
В: элементарные полупроводники
инфракрасные лучи
См: инфракрасное излучение
инфракрасные спектры полупроводников
ББК В379.24-144
*УДК 535.33-15:537.872.31.029.66:621.315.59
В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников
Н: инфракрасные спектры полупроводников II-VI
Н: инфракрасные спектры полупроводников III-V
Н: рамановские спектры полупроводников
инфракрасные спектры полупроводников II-VI
*УДК 537.872.31.029.66:621.315.59:546*II-VI
В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников II-VI
В: полупроводники II-VI
инфракрасные спектры полупроводников III-V
*УДК 537.872.31.029.66:621.315.59:546*III-V
В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников III-V
В: полупроводники III-V
инфракрасные спектры элементарных полупроводников
*УДК 537.872.31.029.66:621.315.59:546-121
В: инфракрасные спектры полупроводников
В: элементарные полупроводники
ионизация и пробой в полупроводниках
*ББК В379.231.3:231.24
ВИНИТИ 291.19.31.21.33
*УДК [537.529+537.57]:621.315.59
В: кинетические явления /в полупроводниках/
Н: ионизация /полупроводников/
Н: пробой в полупроводниках
ионизация /полупроводников/ = образование положительных и отрицательных ионов и
свободных электронов из электрически нейтральных атомов и молекул
ББК В379.231.3
*УДК 537.57:621.315.59
В: ионизация и пробой в полупроводниках
В: ионные явления в полупроводниках
Н: ударная ионизация в полупроводниках
ионная имплантация полупроводников = легирование внедрением атомов в поверхностный
слой путём бомбардировки поверхности ионами (обстрел, облучение пучком ускоренных ионов)
*ББК В379.212.7:К303-17
*УДК 537.534.7:621.315.59
В: взаимодействие проникающего излучения с твёрдыми телами
В: легирование полупроводников
В: радиационные эффекты в полупроводниках
А: взаимодействие ионов с полупроводниками
ионные явления в полупроводниках
ББК В379.231.3
*УДК 537.534.7:621.315.59
В: электрические свойства полупроводников
Н: ионизация полупроводников
Н: электронная эмиссия /полупроводников/ (?)
ионный перенос в твёрдых телах
ББК В371.1
ВИНИТИ 291.19.17
ГРНТИ 29.19.17
*УДК 538.931:537.534.7
В: диффузия и ионный перенос в твёрдых телах
ионы в полупроводниках
В: носители тока в полупроводниках
А: взаимодействие ионов с полупроводниками
исследование поверхностных свойств полупроводников с помощью ФЭС
ВИНИТИ 291.19.31.37.19.15
В: фотоэлектронная спектроскопия /полупроводников/
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
К к – 60 статей
кадмий
*ББК Г122.42:К232.6
УДК 546.48
А: кадмий и его соединения – полупроводниковые свойства
кадмий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г122.42-2
*УДК 546.48:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: кадмий
каналирование и деканалирование заряженных частиц в полупроводниках
ББК В379.212.7
*УДК [537.533.72…+537.534.72…]:621.315.59
В: радиационные эффекты в полупроводниках
Н: деканалирование заряженных частиц в полупроводниках
катодолюминесценция /полупроводников/ = люминесценция, возникающая при возбуждении
люминофора электронным пучком
*ББК В343.882:В379.24
ВИНИТИ 291.19.31.30.19
*УДК 535.376:537.533:621.315.59
В: люминесценция полупроводников
квазирешёточные структуры
УДК 538.911
В: структуры вещества
квазичастицы /в полупроводниках/ = частицы (элементарные возбуждения), которые для
своего возникновения и существования нуждаются в некоторой среде (например, в
кристаллической решётке)
ББК В379.212.2
С: элементарные возбуждения
В: дефекты кристаллической решётки
Н: биэкситоны
Н: поляроны, флуктуоны и др. /квазичастицы в полупроводниках/
Н: фононы
Н: экситоны
квантовая теория
УДК 530.145
В: физика
Н: квантовая теория твёрдого тела
квантовая теория твёрдого тела
ББК В371.13
УДК 530.145:538.9
В: квантовая теория
Н: вибронные взаимодействия
Н: зонная теория
Н: квантовая теория полупроводников
квантовая теория полупроводников
ББК В379.13
*УДК 538.9:530.145:621.315.59
В: квантовая теория
В: теория полупроводников
Н: вибронные взаимодействия в полупроводниках
Н: динамика кристаллической решетки полупроводников
Н: зонная теория
Н: зонная структура полупроводников
Н: колебания атомов в кристаллической решетке полупроводников
Н: локальные состояния электронов в полупроводниках
Н: носители тока в полупроводниках – квантовая теория
Н: полупроводниковые мезоскопические системы – теория
Н: полупроводниковые квантовые сверхрешетки
Н: спиновые системы в полупроводниках
Н: характеристическая температура полупроводников
Н: эквиваленты орбит – метод расчета в квантовой теории полупроводников
Н: электронная структура полупроводников
Н: электрон-фононное взаимодействие в полупроводниках
Н: электроны в полупроводниках – теория
Н: энергетические спектры полупроводников – теория
Н: эффективные массы носителей заряда в полупроводниках
квантоворазмерные полупроводниковые гетероструктуры
См: низкоразмерные полупроводниковые гетероструктуры
квантовые жидкости
ББК В368.323
ВИНИТИ 291.17.21
ГРНТИ 29.17.21
УДК 538.94-026.72
В: квантовые жидкости и тела
Н: жидкий гелий
Н: сверхтекучесть
квантовые жидкости и тела
*ББК В368.323:327
УДК 538.94
В: физика конденсированного состояния
Н: квантовые жидкости
Н: сверхпроводимость
Н: твёрдый гелий
квантовые каскадные лазеры
В: полупроводниковые лазеры
квантовые ямы и сверхрешётки /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.46.21
В: полупроводниковые гетероструктуры
В: полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом
Н: сверхрешётки /в полупроводниках/
квантовый эффект Холла = эффект Холла, наблюдающийся в двумерном электронном газе.
*УДК 537.312.8:530.145
%УДК: 537.312.8
В: эффект Холла
квантующие магнитные поля
ВИНИТИ 291.19.31.21.21.21
В: магнитное поле - действие на проводимость
кинетические и релаксационные свойства (электрические) твёрдых тел
ВИНИТИ 291.19.23.19
В: электрические свойства твёрдых тел
Н: релаксационные электрические свойства твёрдых тел
кинетические явления /в полупроводниках/
ББК В379.25
ВИНИТИ 291.19.31.21
В: полупроводники
Н: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводник
Н: гальваномагнитные явления /в полупроводниках/
Н: давление /влияние на явления в полупроводниках/
Н: инжекция /кинетические явления в полупроводниках/
Н: ионизация и пробой в полупроводниках
Н: неравновесные шумы /в полупроводниках/
Н: нелинейная проводимость /полупроводников/
Н: пинч-эффект /в полупроводниках/
Н: плёнки /кинетические явления в полупроводниках/
Н: пьезосопротивление /полупроводников/
Н: размерные эффекты /при кинетических явлениях в полупроводниках/
Н: статистические кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: теплопроводность /полупроводников/
Н: термомагнитные явления /в полупроводниках/
Н: термоэлектрические явления /в полупроводниках/
Н: увлечение /кинетические явления в полупроводниках/
Н: электропроводность /полупроводников/
Н: явления переноса в полупроводниках
классические сверхрешётки /в полупроводниках/
ББК В379.212
ВИНИТИ 291.19.31.33.30
В: полупроводниковые сверхрешётки
классический эффект Холла
В: эффект Холла
кобальт
*ББК Г128.12:К232.3
УДК 546.73
А: кобальт и его соединения – полупроводниковые свойства
кобальт и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2: Г128.12-2
*УДК 546.73:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: кобальт
когерентное оптическое излучение в полупроводниках
См: оптические свойства полупроводников – когерентное излучение
колебания атомов в кристаллической решетке полупроводников
ББК В379.133
*УДК 538.913:621.315.59
В: колебания кристаллических решёток
Н: фононы в полупроводниках
колебания кристаллических решёток
ББК В371.133
ВИНИТИ 291.19.07
ГРНТИ 29.19.07
УДК 538.913
В: физика твёрдых тел
Н: колебания атомов в кристаллической решетке полупроводников
колебательные спектры полупроводников
ББК В379.247…
В: спектроскопия полупроводников
коллективные возбуждения /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.15.19
В: коллективные эффекты /в полупроводниках/
В: энергетический спектр полупроводников
Н: плазмоны в полупроводниках
Н: экситоны
Н: поляритоны
коллективные эффекты /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.30
В: полупроводники
Н: электронно-дырочная жидкость /в полупроводниках/
Н: коллективные возбуждения /в полупроводниках/
коллосальное магнитосопротивление
ВИНИТИ 291.19.36.21.23
В: магнитосопротивление
В: эффекты спинтроники
комбинации p-n-переходов
ВИНИТИ 291.19.31.33.23.15
В: p-n-переходы
В: гетероструктуры полупроводников
комбинационное рассеяние/света в полупроводниках/ = рассеяние света веществом,
сопровождающееся заметным изменением частоты рассеиваемого света
ББК В379.247
В: рассеяние света в полупроводниках
В: спектроскопия полупроводников
комбинированный резонанс в полупроводниках
ББК В379.233.4
В: магнитный резонанс в полупроводниках
конденсация Бозе-Эйнштейна в полупроводниках = свойство бозе-частиц (бозонов) с целым
спином накапливаться в макроскопически больших количествах в одном квантовом состоянии,
описывающемся единой (когерентной) волновой функцией
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки
конденсация экситонов в полупроводниках
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки
конденсированное вещество
УДК 538.9
Н: конденсированное вещество: структура, механические и тепловые свойства
Н: конденсированное вещество: электронная структура, электрические, магнитные
и оптические свойства
конденсированное вещество: оптические свойства, спектрография, взаимодействие
с излучениями и частицами
См: оптические свойства, твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия
излучений и частиц с конденсированными телами
конденсированное вещество: структура, механические и тепловые свойства
PACS 60
УДК 538.951/.953
В: конденсированное вещество
Н: структура твёрдых и жидких тел
Н: уравнения состояния, фазовые равновесия и фазовые переходы
Н: неэлектронный перенос в конденсированных телах
Н: поверхности и границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и
неэлектронные свойства)
конденсированное вещество: электронная структура, электрические, магнитные и
оптические свойства
PACS 70
УДК 538.954/.958
В: конденсированное вещество
Н: магнитные свойства материалов
Н: оптические свойства, твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия
излучений и частиц с конденсированными телами
Н: электронная и ионная эмиссия жидких и твёрдых тел при бомбардировке
Н: электронная структура и электрические свойства поверхностей, границ раздела,
тонких плёнок и низкоразмерных структур
Н: электронная структура макроскопических тел
Н: электронная структура твёрдых тел
Н: электронный перенос в конденсированных телах
контакт диэлектрик–металл–полупроводник – электрические явления
ББК В379.231.5
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
В: контакты полупроводников
контакт полупроводник-полупроводник
PACS 73.40.–c
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
В: контакты полупроводников
контакт пьезоэлектрик–полупроводник – акустоэлектрические явления
ББК В379.231.5
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
В: контакты полупроводников
контакт пьезоэлектрик–полупроводник – электрические явления
ББК В379.231.5
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
В: контакты полупроводников
контакт сегнетоэлектрик–полупроводник – электрические явления
ББК В379.231.5
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
В: контакты полупроводников
контакт электролит–диэлектрик–полупроводник – электрические явления
ББК В379.231.5
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
В: контакты полупроводников
контактное сопротивление
УДК 537.311.4
В: сопротивление и проводимость
А: переходное сопротивление
контакты /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.33.21
В: неоднородные структуры /в полупроводниках/
Н: p-n-переходы
Н: контакт диэлектрик–металл–полупроводник – электрические явления
Н: контакт полупроводник–полупроводник
Н: контакт пьезоэлектрик–полупроводник – акустоэлектрические явления
Н: контакт пьезоэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: контакт сегнетоэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: контакт электролит–диэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: контакты полупроводников с диэлектриками
Н: контакты полупроводников с металлом
Н: контакты полупроводников /с различными материалами/ – оптические свойства
Н: контакты полупроводник-электролит
Н: туннельные контакты /полупроводников/
контакты полупроводник-электролит
PACS 73.40.Mr
В: контакты полупроводников
контакты полупроводников с диэлектриками
ВИНИТИ 291.19.31.33.21.15
В: контакты /полупроводников/
контакты полупроводников с металлом
ВИНИТИ 291.19.31.33.21.17
В: контакты /полупроводников/
контакты полупроводников /с различными материалами/ – оптические свойства.
ББК В379.24…
В: контакты /полупроводников/
В: оптические свойства полупроводников
кооперативные явления в магнитных полупроводниках.
ББК В379.233
В: магнитные свойства полупроводников
кремний
*ББК Г124.22/24:з843.312
УДК 546.28
В: элементарные полупроводники
А: кремний и его соединения – полупроводниковые свойства
кремний и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г124.22/24-2
*УДК 546.28:621.315.59
% УДК 537.311.322-039.6Ge-Si
В: неорганические полупроводники
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: кремний
кремний– полупроводниковые свойства
В: кремний и его соединения – полупроводниковые свойства
В: элементарные полупроводники
кристаллическая решётка полупроводников
ББК В379.212
*УДК 538.911/.913:544.22:621.315.59-026.763
В: структура полупроводников
Н: адатом
кристаллическая структура и динамика решётки
*ББК В371.23:133
ВИНИТИ 291.19.19
ГРНТИ 29.19.19
*УДК 538.911:544.22
В: физика твёрдых тел
Н: динамика решётки
А: динамика кристаллической решетки полупроводников
А: методы исследования кристаллической структуры и динамики решётки
кристаллические полупроводники
ББК В379.21
*УДК 538.911:621.315.59-026.763
В: полупроводники
Н: варизонные полупроводники
Н: гетерополярные полупроводники
Н: гомеополярные полупроводники
Н: кристаллофосфоры полупроводниковые
Н: поликристаллические полупроводники
кристаллические структуры
*УДК 538.911:544.22
В: структуры вещества
кристаллофосфоры /полупроводниковые/ = неорганические кристаллические люминофоры;
кристаллы, обладающие люминесценцией
*ББК В343.8:В379.24
*УДК 535.373.1:621.315.59-026.763
В: кристаллические полупроводники
В: люминесценция полупроводников
крутильная магнитометрия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.15
В: магнитометрия
В: экспериментальные методы спинтроники
Л л – 24 статьи
лазерная спектроскопия полупроводников = раздел оптической спектроскопии, методы
которой основаны на использовании лазерного излучения
ББК В379.247
*УДК 535.33/.34:621.315.59:621.375.826
В: лазерное излучение – исследование фотоэлектрических явлений в
полупроводниках
В: спектроскопия полупроводников
лазерное излучение – исследование фотоэлектрических явлений в полупроводниках.
*ББК В379.231.4:В345.2
*УДК 537.867:535:621.315.59:621.375.826
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
Н: лазерная спектроскопия полупроводников
лазерные диоды
См: полупроводниковые лазеры
лазеры
ББК В345
УДК 621.373.8
Н: лазеры – исследования полупроводников
Н: полупроводниковые лазеры
лазеры – исследования полупроводников
%УДК 537.311.322.082.5
В: лазеры
В: оптические методы исследования полупроводников
лантан
*ББК Г123.43:К235.3
УДК 546.654
А: лантан и его соединения – полупроводниковые свойства
лантан и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.43-2
*УДК 546.654:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: полупроводниковые соединения на основе редкоземельных элементов
А: лантан
легирование и имплантация ионов в германий и кремний
PACS 61.72.uf
В: легирование полупроводников
Н: имплантация ионов в германий
Н: имплантация ионов в кремний
легирование и имплантация ионов в полупроводниках II-VI
PACS 61.72.uj
В: легирование полупроводников
В: полупроводники II-VI
Н: имплантация ионов в полупроводниках II-VI
Н: легирование полупроводников II-VI
легирование и имплантация ионов в полупроводниках III-V
PACS 61.72.uj
В: легирование полупроводников
В: полупроводники III-V
Н: имплантация ионов в полупроводниках III-V
Н: легирование полупроводников III-V
легирование полупроводников = контролируемое введение примесных атомов с целью
изменения величины или типа проводимости материала
PACS 61.72.–y
*ББК К208:В379.2
Н: имплантация ионов в полупроводниках
Н: интеркалирование полупроводников
Н: ионная имплантация полупроводников
Н: легирование и имплантация ионов в полупроводниках II-VI
Н: легирование и имплантация ионов в полупроводниках III-V
Н: легирование и имплантация ионов в германий и кремний
Н: легирование полупроводников – теория
А: легированные полупроводники
А: легирующие примеси /в полупроводниках/
легирование полупроводников – теория.
ББК В379.1
В: легирование полупроводников
В: теория полупроводников
легирование полупроводников II-VI
PACS 61.72.uj
В: легирование и имплантация ионов в полупроводниках II-VI
В: легирование полупроводников
легирование полупроводников III-V
PACS 61.72.uj
В: легирование и имплантация ионов в полупроводниках III-V
В: легирование полупроводников
легированные полупроводники
УДК 621.315.59.3
В: полупроводники
А: легирование полупроводников
легирующие примеси /в полупроводниках/ = примеси, вводимые в заданных количествах
ББК В379.212.2
В: примеси в полупроводниках
Н: легирующие примеси в полупроводниках – акцепторы
Н: легирующие примеси в полупроводниках – доноры
А: легирование полупроводников
легирующие примеси в полупроводниках – акцепторы
ББК В379.212.2
В: акцептор /в структуре полупроводника/
В: легирующие примеси в полупроводниках
легирующие примеси в полупроводниках – доноры
ББК В379.212.2
В: донор в структуре полупроводника
В: легирующие примеси в полупроводниках
локализованные электронные состояния полупроводников
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводников
В: электронные состояния полупроводников
локальные состояния в полупроводниках
ББК В379.212
В: структура полупроводников
Н: локальные состояния электронов в полупроводниках
локальные состояния электронов в полупроводниках
ББК В379.13
В: квантовая теория
В: локальные состояния в полупроводниках
люминесценция в аморфных полупроводниках
*ББК В343.8:В379.212.4
ВИНИТИ 291.19.31.31.15
*УДК 535.37-026.764:621.315.59
В: аморфные полупроводники – физика
В: люминесценция /полупроводников
люминесценция /полупроводников/ = излучение, представляющее собой избыток над
тепловым излучением тела и продолжающееся в течение времени, значительно превышающего
период световых колебаний
*ББК В343.8:В379.24
ВИНИТИ 291.19.31.31
*УДК 535.37:621.315.59
В: полупроводники
Н: деформационная люминесценция
Н: излучательная рекомбинация в полупроводниках
Н: катодолюминесценция /полупроводников/
Н: кристаллофосфоры полупроводниковые
Н: люминесценция в аморфных полупроводниках
Н: люминофоры полупроводниковые
Н: поляризация люминесценции полупроводников
Н: сублимат-фосфоры полупроводниковые
Н: старение полупроводниковых люминофоров
Н: термическое высвечивание в поупроводниках
Н: термолюминесценция /полупроводников/
Н: тушение люминесценции полупроводников
Н: фосфиды – тройные монокристаллы
Н: рекомбинационная люминесценции полупроводников
Н: фотолюминесценция /полупроводников/
Н: электролюминесценция /полупроводников/
люминофоры /полупроводниковые/ = твёрдые и жидкие вещества, способные
люминесцировать под действием различного рода возбуждений
*ББК В43.8:В379.24
*УДК 535.37:621.315.59
В: люминесценция полупроводников
М м – 70 статей
магнетизм = В наиболее общем виде М. можно определить как особую форму материальных
взаимодействий, возникающих между движущимися электрически заряженными частицами
ББК В334
УДК 537.6
В: электромагнетизм
Н: магнетизм – теория
Н: магнитные свойства материалов
магнетизм – теория
ББК В334.2
УДК 537.61
В: магнетизм
Н: антиферромагнетизм – теория
Н: диамагнетизм – теория
Н: парамагнетизм – теория
Н: спиновые волны
Н: теория магнитных свойств твёрдых тел
Н: ферримагнетизм – теория
Н: ферромагнетизм – теория
магнетооптика
См: магнитооптика
магонетосопротивление
См: магнитосопротивление
магнитное поле = силовое поле, действующее на движущиеся электрические заряды и на тела,
обладающие магнитным моментом, независимо от состояния их движения
ББК В334.2
УДК 537.612
Н: магнитное поле – влияние на акустику полупроводников
Н: магнитное поле – влияние на энергетический спектр полупроводников
Н: магнитное поле – действие на проводимость
магнитное поле – влияние на акустику полупроводников
*ББК В338:В379.2:В326
ВИНИТИ 291.19.31.27.15
*УДК 537.634:534:621.315.59
В: магнитное поле
В: акустические явления в полупроводниках
магнитное поле – влияние на энергетический спектр полупроводников
*ББК В338:В379.13
ВИНИТИ 291.19.31.15.27
В: магнитное поле
В: энергетический спектр полупроводников
магнитное поле – действие на проводимость
*ББК В338:В332.2
ВИНИТИ 291.19.31.21.21.15
УДК 537.312.8
В: гальваномагнитные явления
В: магнитное поле
В: сопротивление и проводимость – действие внешних факторов
магнитные материалы
*ББК з235:з843.5
PACS 75.50.-y
Н: антиферромагнитные материалы
Н: диамагнетики
Н: магнитные полупроводники
Н: парамагнетики
Н: ферримагнетики
Н: ферромагнетики
А: магнитные свойства материалов
магнитные полупроводники
PACS 75.50.Pp
*УДК 537.622:621.318.1:621.315.59
С: полупроводниковые магнетики
В: магнитные материалы
В: полупроводники
Н: магнитные полупроводники в спинтронике
Н: полумагнитные полупроводники
А: магнитные свойства полупроводников
магнитные полупроводники в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.15.17
В: магнитные полупроводники
В: материалы спинтроники
магнитные резонансы = избирательное поглощение веществом электромагнитных волн
определённой длины волны, обусловленное изменением ориентации магнитных моментов
электронов или атомных ядер
ББК В334.22
УДК 537.635
В: магнетизм
В: магнитные свойства материалов
Н: антиферромагнитный резонанс
Н: магнитный резонанс в полупроводниках
Н: ферримагнитный резонанс
Н: ферромагнитный резонанс
магнитные сверхрешётки
ВИНИТИ 291.19.36.19.19
В: структуры спинтроники
магнитные свойства материалов
PACS 75
УДК 537.622
В: магнетизм
Н: антиферромагнитные материалы
Н: диамагнетики
Н: магнитные резонансы
Н: магнитные свойства полупроводников
Н: парамагнетики
Н: ферримагнетики
Н: ферромагнетики
А: магнитные материалы
магнитные свойства полупроводников
ББК В379.233
*УДК 537.622:621.315.59
%УДК 537.311.322.04:537.6
С: магнитные эффекты в полупроводниках
В: магнитные свойства материалорв
В: магнитные свойства твёрдых тел
В: электрические и магнитные свойства полупроводников
Н: антиферромагнетизм полупроводников
Н: диамагнетизм полупроводников
Н: кооперативные явления в магнитных полупроводниках
Н: магнитный резонанс в полупроводниках
Н: магнитолегированные полупроводники – физика
Н: магнитосмешанные полупроводники.
Н: парамагнетизм полупроводников
Н: перенос фононов в магнитных полупроводниках.
Н: полумагнитные полупроводники.
Н: поляризация атомных ядер в полупроводниках
Н: ферримагнетизм полупроводников
Н: фотонамагничивание магнитных полупроводников
А: магнитные полупроводники
магнитные свойства структуры феррит-металл-диэлектрик
ББК В379.233.4
В: ферромагнетизм полупроводников
магнитные свойства твёрдых тел
ББК В373.3
ВИНИТИ 291.19.37
ГРНТИ 29.19.37
*УДК 538.9:537.6
В: физика твёрдых тел
Н: магнитные свойства полупроводников
Н: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
Н: диамагнетики
Н: теория магнитных свойств твёрдых тел
Н: ферримагнетики
Н: ферромагнетики
Н: электронные парамагнетики
магнитные свойства электронов проводимости в полупроводниках
*ББК В379.231.2:233
ВИНИТИ 291.19.31.17.17
В: магнитные явления в конденсированном веществе
В: статистико-термодинамические свойства полупроводников
магнитные туннельные переходы
ВИНИТИ 291.19.36.19.27
В: структуры спинтроники
магнитные эффекты в полупроводниках
См: магнитные свойства полупроводников
магнитные явления в конденсированном веществе
УДК 538.955
В: свойства и явления в конденсированном веществе
Н: магнитные свойства электронов проводимости в полупроводниках
магнитный резонанс в полупроводниках
ББК В379.233.4
*УДК 537.635:621.315.59
В: магнитные резонансы
В: ферримагнетизм полупроводников
В: физика полупроводников
Н: комбинированный резонанс в полупроводниках
Н: циклотронный резонанс в полупроводниках
Н: электронный парамагнитный резонанс в полупроводниках
Н: ядерный магнитный резонанс в полупроводниках
магнитоакустические явления в полупроводниках
ББК В379.23
*УДК 537.634:534:621.315.59
В: электрические и магнитные свойства полупроводников
В: физика полупроводников
магнитодиэлектрический эффект = изменение диэлектрической постоянной под действием
магнитного поля
В: мультиферроики
магнитолегированные полупроводники – физика
ББК В379.233
*УДК 537.622:621.318.1:621.315.59.3
В: магнитные свойства полупроводников
магнитометрия
Н: крутильная магнитометрия в спинтронике
Н: вибрационная магнитометрия в спинтронике
Н: оптическая магнитометрия в спинтронике
Н: холловская магнитометрия в спинтронике
магнитооптика = раздел физики, в котором изучаются изменения оптических свойств сред под
действием магнитного поля и обусловливающие эти изменения особенности взаимодействия
оптического излучения (света) с помещенным в поле веществом
ББК В343.7
УДК 537.632
С: магнетооптика
С: оптические эффекты магнитных полей
В: магнетизм
Н: магнитооптические свойства полупроводников
магнитооптические свойства полупроводников
*ББК В379.233:24
ВИНИТИ 291.19.31.25.29
*УДК 537.632:621.315.59
С: магнитооптические явления /в полупроводниках/
В: магнитооптика
В: оптические свойства полупроводников
В: оптические явления в полупроводниках
Н: магнитооптические явления в ферритах /полупроводники/
магнитооптические явления /в полупроводниках/
См: магнитооптические свойства полупроводников
магнитооптические явления в ферритах /полупроводники/
ББК В379.233.4
*УДК 537.632:537.622.4:621.315.59
В: магнитооптические свойства полупроводников
В: ферромагнетизм полупроводников
магниторезонансная спектроскопия
УДК 543.429.2
В: спектроскопия
Н: спектроскопия электронного спинового резонанса
магниторезистный эффект
См: магнитосопротивление
магнитосиловая микроскопия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.29
В: микроскопия
В: экспериментальные методы спинтроники
магнитосмешанные полупроводники.
ББК В379.233
В: магнитные свойства полупроводников
магнитосопротивление = изменение электрического сопротивления проводника под действием
магнитного поля.
С: магнетосопротивление
С: магниторезистный эффект
Н: анизотропное магнитосопротивление
Н: баллистическое магнитосопротивление
Н: гигантское магнитосопротивление
Н: колоссальное магнитосопротивление
Н: магнитосопротивление носителей тока в полупроводниках
Н: туннельное магнитосопротивление
магнитосопротивление носителей тока в полупроводниках
*ББК В379.231.2:233
*УДК 537.621.2:537.112:621.315.59
В: магнитосопротивление
В: носители тока в полупроводниках
магнитоэлектрический контроль = переключение спонтанной поляризации магнитным полем и
спонтанной намагниченности электрическим полем
В: мультиферроики
А: переключение магнитных структур
магнитоэлектрический эффект
В: мультиферроики
манганиты (спинтроника)
ВИНИТИ 291.19.36.15.21
В: материалы спинтроники
материаловедение
PACS 81
ГРНТИ 81.09
Н: производство, обработка, испытания, анализ материалов
Н: металлы, полуметаллы и сплавы
Н: полупроводники
Н: материалы спинтроники
материалы спинтроники
ВИНИТИ 291.19.36.15
В: материаловедение
В: спинтроника
Н: ферромагнитные материалы спинтроники
Н: магнитные полупроводники в спинтронике
Н: половинные металлы
Н: манганиты (спинтроника)
Н: молекулярные магниты
Н: изолирующие материалы для барьерных слоёв (спинтроника)
Н: мультиферроики
МДП-структура
См: структура металл-диэлектрик-полупроводник
междуузельные атомы
См: дислоцированные атомы
межзонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.25.17
В: оптические явления в полупроводниках
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках/
мезоскопические системы
См: мезоскопические структуры
мезоскопические структуры
ВИНИТИ 291.19.22
ГРНТИ 29.19.22
%УДК 538.97L-D
С: мезоскопические системы
В: физика твёрдых тел
А: физика наноструктур
металлы = простые вещества, обладающие в обычных условиях характерными свойствами: высокой
электропроводностью и теплопроводностью, отрицательным температурным коэффициентом
электропроводности, способностью хорошо отражать электромагнитные волны (блеск и
непрозрачность), пластичностью
*ББК В378:К2
ВИНИТИ 531.49
ГРНТИ 53.49
УДК 546.3
В: металлы, полуметаллы и сплавы
Н: нормальные (несверхпроводящие) металлы – физика твёрдого тела
Н: половинные металлы
металлы, полуметаллы и сплавы
PACS 81.05.Bx
УДК 669.018
В: материаловедение
Н: металлы
Н: полуметаллы
Н: сплавы
методы исследования
Н: методы исследования кристаллической структуры и динамики решётки
Н: методы исследования полупроводников
методы исследования кристаллической структуры и динамики решётки
ВИНИТИ 291.19.19
ГРНТИ 29.19.19
*УДК 538.913.08+548.73/.75+539.24/.27
В: методы исследования
В: физика твёрдых тел
А: кристаллическая структура и динамика решётки
методы исследования полупроводников
%УДК 537.311.322.082
В: методы исследования
Н: оптические методы исследования полупроводников
механические и акустические свойства монокристаллов полупроводников
С: монокристаллы полупроводников – акустические и механические свойства
Н: механические свойства монокристаллов полупроводников
механические напряжения – действие на проводимость
УДК537.312.9
В: сопротивление и проводимость – действие внешних факторов
механические свойства монокристаллов полупроводников
ББК В379.22
*УДК 538.951:548.0:621.315.59
В: механические и акустические свойства монокристаллов полупроводников
В: механические свойства полупроводников
В: физика полупроводников
механические свойства полупроводников
*УДК 538.951:621.315.59
В: механические свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников
Н: механические свойства монокристаллов полупроводников
механические свойства твёрдых тел
ББК В372
ВИНИТИ 291.19.13
ГРНТИ 29.19.13
*УДК 538.951-026.76:539.3/.6
В: физика твёрдых тел
Н: механические свойства монокристаллов полупроводников
А: механические явления в конденсированном веществе
механические явления в конденсированном веществе
УДК 538.951
В: свойства и явления в конденсированном веществе
А: акустические явления в конденсированном веществе
А: механические свойства твёрдых тел
микроскопия
Н: атомносиловая микроскопия в спинтронике
Н: магнитосиловая микроскопия в спинтронике
Н: туннельная микроскопия полупроводников
Н: электронная микроскопия в спинтронике
Н: электронная микроскопия полупроводников
многозарядные ионы – взаимодействие с полупроводниками
ББК В379.212.7
В: взаимодействие ионов с полупроводниками
многокомпонентные соединения – полупроводниковые свойства
ББК В379.212
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: структура полупроводников
многослойные структуры спинтроники
ВИНИТИ 291.19.36.15
В: структуры спинтроники
многофотонное поглощение в полупроводниках
ББК В379.243
В: поглощение света в полупроводниоках
многоэлектронная теория полупроводников
ББК В379.12
В: электронная теория полупроводников
модуляционная спектроскопия полупроводников
ББК В379.247
В: спектроскопия полупроводников
молекулярные магниты
ВИНИТИ 291.19.36.15.23
В: материалы спинтроники
монокристаллы полупроводников – акустические и механические свойства
См: механические и акустические свойства монокристаллов полупроводников
МОП-структура
См: структура металл-оксид-полупроводник
мультиферроики = материалы, которые объединяют в себе сразу два вида «ферро-упорядочени»й:
магнитное и сегнетоэлектрическое. Этим материалам присущи как свойства, характерные для
каждого из классов в отдельности, так и новые свойства, связанные со взаимодействием
магнитной и электрической подсистем: магнитоэлектрический эффект; эффект
магнитоэлектрического контроля (переключение спонтанной поляризации магнитным полем и
спонтанной намагниченности электрическим полем); магнитодиэлектрический эффект или
«магнитоемкость» (изменение диэлектрической постоянной под действием магнитного поля)
ВИНИТИ 291.19.36.15.27
В: материалы спинтроники
Н: магнитодиэлектрический эффект
Н: магнитоэлектрический контроль
Н: магнитоэлектрический эффект
мышьяк
*ББК Г125.31:Л243
УДК 546.19
В: полуметаллы
А: мышьяк и его соединения – полупроводниковые свойства
мышьяк и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК В379.2:Г125.312/315-2
*УДК 546.19:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: мышьяк
Н н – 35 статей
наноструктуры
*УДК 538.9-022.532
%УДК 538.97L-D
Н: наностолбики
Н: наносужения
наностолбики
ВИНИТИ 291.19.36.19.23
В: наноструктуры
В: структуры спинтроники
наносужения
ВИНИТИ 291.19.36.19.25
В: наноструктуры
напряжение электрического тока
УДК 537.315
В: электропроводность
Н: распределение напряжения
нейтронная дифрактометрия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.37
В: дифрактометрия
В: экспериментальные методы спинтроники
нейтронные исследования полупроводников
В: структурный анализ полупроводников
Н: дифракция нейтронов в кристаллах полупроводников
нелинейная оптика полупроводников
ББК В379.24…
ВИНИТИ 291.19.31.25.33
*УДК 536:530.182:621.315.59
В: оптические явления в полупроводниках
Н: рассеяние света /нелинейное в полупроводниках/
Н: распространение и поглощение света /нелинейное в полупроводниках/
Н: генерация гармоник и комбинационных частот /оптика полупроводников/
Н: оптическая бистабильность /в полупроводниках/
Н: оптическое самовоздействие /в полупроводниках/
Н: полупроводники как нелинейные оптические материалы
нелинейная проводимость /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.21.27
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: нелинейные свойства полупроводников /электронные/
В: электропроводность полупроводников
Н: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
Н: S-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
Н: разогрев электронов
нелинейные оптические материалы, светопреломляющие и полупроводниковые
материалы
PACS 42.70.Nq
В: оптические материалы
Н: светопреломляющие и полупроводниковые оптические материалы
нелинейные свойства полупроводников /электронные/
ББК В379.231.2
В: электронные явления в полупроводниках
Н: нелинейная проводимость /полупроводников/
Н: нелинейные электро- и магнито-акустические эффекты /в полупроводниках/
Н: нелинейные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
нелинейные электро- и магнито-акустические эффекты /в полупроводниках/
*ББК В324:[В326.3:5]:В379.23
ВИНИТИ 291.19.31.27.21
В: акустические явления в полупроводниках
В: нелинейные свойства полупроводников /электронные/
нелинейные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.23.27
В: высокочастотные кинетические явление (радиодиапазон) /в полупроводниках/
В: нелинейные свойства полупроводников /электронные/
неоднородные системы /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.33
*УДК 621.315.59-025.75
В: полупроводники
В: структура полупроводников
Н: p-n-переходы /в полупроводниках/
Н: гетеропереходы /в полупроводниках/
Н: гнетероструктуры /полупроводников/
Н: классические сверхрешётки /в полупроводниках/
Н: контакты /полупроводников/
Н: объёмные неоднородности /в полупроводниках/
Н: поверхность / неоднородности в полупроводниках/
Н: слоистые структуры /полупроводников/
Н: туннельные контакты /полупроводников/
Н: фото-э.д.с. в неоднородных системах /полупроводников/
Н: эффекты поля / неоднородные системы в полупроводниках/
А: гетероструктуры полупроводников
неорганические полупроводники
ББК Г116.7
*УДК 621.315.59-039.6
%УДК 537.311.322-039.6
В: полупроводники
Н: кремний и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: германий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: окислы и их смеси /полупроводники/
Н: полупроводники II-VI
Н: полупроводники III-V
Н: полупроводниковые соединения на основе редкоземельных элементов
неравновесные полупроводники - физика
ББК В379.2
В: физика полупроводников
неравновесные шумы /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.21.31
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: шумы
несверхпроводящие металлы
См: нормальные (несверхпроводящие) металлы – физика твёрдого тела
неупорядоченные полупроводники – физические свойства
ББК В379.212.4
*УДК 544.022.3:621.315.59
В: структура полупроводников
Н: энергетический спектр неупорядоченных полупроводников
А: аморфные полупроводники – физика
А: стеклообразные полупроводники – физика
неустойчивости в аморфных полупроводниках
ВИНИТИ 291.19.31.35.29
В: аморфные полупроводники – физика
В: неустойчивости /в полупроводниках/
неустойчивости /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.35
*УДК 938.9:621.315.59-022.327
В: полупроводники
Н: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
Н: S-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
Н: акустоэлектрические домены /в полупроводниках/
Н: генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
Н: неустойчивости в аморфных полупроводниках
Н: рекомбинационные неустойчивости /в полупроводниках/
Н: усиление колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
неэлектронная теплопроводность и распространение тепловых ударов в металлах,
сплавах и полупроводниках
PACS 66.70.Df
В: неэлектронная теплопроводность и распространение тепловых ударов в
твёрдых телах
Н: неэлектронная теплопроводность полупроводников
неэлектронная теплопроводность и распространение тепловых ударов в твёрдых
телах
PACS 66.70.-f
Н: неэлектронная теплопроводность и распространение тепловых ударов в
металлах, сплавах и полупроводниках
Н: тепловые волны
неэлектронная теплопроводность полупроводников
PACS 66.70.Df
В: неэлектронная теплопроводность и распространение тепловых ударов в
металлах, сплавах и полупроводниках
В: теплопроводность полупроводников
неэлектронные явления переноса
В: явления переноса
Н: неэлектронный перенос в конденсированных телах
неэлектронный перенос в конденсированных телах
УДК 538.931
PACS 66
В: неэлектронные явления переноса
Н: диффузия примесей
Н: самодиффузия в металлах, полуметаллах и сплавах
Н: неэлектронная теплопроводность и распространение тепловых ударов в
твёрдых телах
низкие температуры – влияние на электрические свойства полупроводников
*ББК В368.3:В379.231
В: электрические свойства полупроводниоков
низкоразмерные полупроводники
ВИНИТИ 291.19.31.45
*УДК 621.315.59-022.41
В: полупроводники
А: низкоразмерные структуры
низкоразмерные полупроводниковые гетероструктуры
*УДК 621.315.59-022.41-022.51
С: квантоворазмерные полупроводниковые гетероструктуры
С: полупроводниковые наноструктуры
В: низкоразмерные структуры
В: полупроводниковые гетероструктуры
низкоразмерные системы
См: низкоразмерные структуры
низкоразмерные структуры
ВИНИТИ 291.19.22
ГРНТИ 29.19.22
*УДК 538.9-022.41-022.51
%УДК 538.97L-D
С: низкоразмерные системы
В: физика твёрдых тел
Н: низкоразмерные полупроводниковые гетероструктуры
А: низкоразмерные полупроводники
А: физика наноструктур
низкоразмерный электронный газ
В: электронный газ
Н: двумерный электронный газ
А: полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом
нормальные (несверхпроводящие) металлы – физика твёрдого тела
ББК В378
ВИНИТИ 291.19.27
ГРНТИ 29.19.27
*УДК 537.311.31:538.9-034
С: несверхпроводящие металлы
В: металлы
В: электрические свойства твёрдых тел
носители тока в полупроводниках
ББК В379.231.2
*УДК 537.12:621.315.59
В: электронные явления в полупроводниках
Н: горячие носители тока в полупроводниках
Н: ионы в полупроводниках
Н: магнитосопротивление носителей тока в полупроводниках
Н: носители тока в полупроводниках – квантовая теория
Н: рекомбинация носителей тока в полупроводниках
носители тока в полупроводниках – квантовая теория
ББК В379.13
*УДК 537.12:530.145:621.315.59
В: квантовая теория
В: носители тока в полупроводниках
Н: соотношения рассеяния носителей тока Видемана-Франца в полупроводниках
нульмерные дефекты
См: точечные дефекты /в полупроводниках/
О о – 49 статей
обменно-смешанные структуры /спинтроники/
ВИНИТИ 291.19.36.19.17
В: структуры спиентроники
обработка материалов
В: производство, обработка, испытания, анализ материалов
Н: обработка полуметаллов
Н: обработка элементарных полупроводников
обработка полуметаллов
PACS 81.05.Bx
В: обработка материалов
В: полуметаллы
обработка элементарных полупроводников
PACS 81.05.Cy
В: обработка материалов
В: элементарные полупроводники
объёмные неоднородности /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.33.17
*УДК 538.91:544.022.344.3:621.315.59
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
объёмные плазмоны /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.15.19.15
В: плазмоны в полупроводниках
объёмный эффект в полупроводниках
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводников
Оже-рекомбинация = механизм рекомбинации в полупроводниках, при котором лишняя энергия
передаётся другому электрону
C: ударная рекомбинация
В: рекомбинация
оксидные полупроводники – физика = полупроводники с выращенным на поверхности слоем
из оксидов материала подложки или покрытие поверхности полупроводников оксидами (окислы
CuO, Cu2O ZnO)
ББК В379.2
*УДК 54-31:621.315.59.4
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
окислы и их смеси /полупроводники/
УДК 621.315.59.4
В: полупроводники
оптика
PACS 42
ББК В34
ВИНИТИ 291.31
ГРНТИ 29.31
УДК 535
В: физика
Н: оптические материалы
Н: оптические методы исследования полупроводников
Н: оптические свойства и спектры /конденсированного вещества/
Н: полупроводниковые лазеры /лазерные диоды/
оптическая бистабильность в полупроводниках
ББК В379.24
В: оптические свойства полупроводников
оптическая ориентация спинов
ВИНИТИ 291.19.31.29.21.15
В: фотополяризация /полупроводников/
Н: оптическая ориентация спинов в полупроводниках
оптическая магнитометрия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.39
В: магнитометрия
В: экспериментальные методы спинтроники
оптическая ориентация спинов в полупроводниках
ВИНИТИ 291.19.31.29.21.15
В: оптическая ориентация спинов
В: фотополяризация полупроводников
оптические материалы
ББК В341.8
*УДК 535-03
В: оптика
Н: нелинейные оптические материалы, светопреломляющие и
полупроводниковые материалы
оптические методы исследования полупроводников
*ББК В341:В379.2
%УДК 537.311.322.082.5
В: методы исследования полупроводников
В: оптика
Н: лазеры – исследования полупроводников
Н: спектроскопические методы исследования полупроводников
оптические переходы в полупроводниках.
ББК В379.24…
В: оптические свойства полупроводников
оптические свойства аморфных и аморфно-кристаллических полупроводников
*ББК В379.24:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.47.19
*УДК 535:621.315.59-026.764
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
В: оптические свойства полупроводников
А: оптические явления в аморфных полупроводниках
оптические свойства и спектры /конденсированного вещества/
УДК 538.958
В: свойства и явления в конденсированном веществе
Н: оптические свойства полупроводников
А: оптические свойства, твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия
излучений и частиц с конденсированными телами
оптические свойства полупроводников
ББК В379.24
ВИНИТИ 291.19.31.25
*УДК 535:621.315.59
%УДК 537.311.322.04:535
С: оптические эффекты в полупроводниках
С: оптические явления в полупроводниках
В: оптические свойства и спектры /конденсированного вещества/
В: физика полупроводников
Н: акустооптика полупроводников
Н: взаимодействие света с полупроводниками
Н: высокочастотная диэлектрическая проницаемость и
Н: двойное лучепреломление /в полупроводниках/
Н: дислокации /влияние на оптические свойства полупроводников/
Н: дисперсионные соотношения Крамерса-Кронинга для оптических функций
полупроводников.
Н: дисперсия /света в полупроводниках/
Н: излучение лазеров на полупроводники.
Н: интерференция /света в полупроводниках/
Н: контакты полупроводников с /различными материалами/ – оптические
свойства.
Н: люминесценция полупроводников
Н: магнитооптические свойства полупроводников.
Н: магнитооптические свойства полупроводников
Н: межзонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: нелинейная оптика /полупроводников/
Н: оптическая бистабильность в полупроводниках
Н: оптические переходы в полупроводниках.
Н: оптические свойства /аморфных и аморфно-кристаллических
полупроводников/
Н: оптические свойства полупроводников – спектральные характеристики
Н: оптические свойства полупроводников – когерентное излучение
Н: оптические свойства полупроводников – когерентное излучение
Н: оптические свойства слоистых структур полупроводников
Н: оптические свойства тонких полупроводниковых плёнок
Н: оптические явления в аморфных полупроводниках
Н: оптическое излучение /в полупроводниках, характеристики /
Н: отражение /света в полупроводниках/
Н: плёнки /полупроводников, оптика/
Н: поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/
Н: поляризованное оптическое излучение /в полупроводниках/
Н: поляризация /света в полупроводниках – процесс/
Н: преломление /света в полупроводниках/
Н: пьезооптические явления /в полупроводниках/
Н: распространение световых волн /в полупроводниках/
Н: рассеяние света /в полупроводниках/
Н: рентгеновская оптика /полупроводников/
Н: спектроскопия полупроводников
Н: термооптические свойства полупроводников.
Н: циклотрон-фононный резонанс в полупроводниках.
Н: электронно-оптические свойства полупроводников.
Н: электрооптические явления /в полупроводниках/
Н: электроотражение в полупроводниках.
Н: электропоглощение в полупроводниках.
Н: эффект Керра в полупроводниках.
Н: эффект Франца-Келдыша в полупроводниках.
Н: явление Фарадея в полупроводниках
А: распространение световых волн /в полупроводниках/
А: электромагнитные колебания в полупроводниках
оптические свойства полупроводников – когерентное излучение
ББК: В379.24-3
С: когерентное оптическое излучение в полупроводниках
В: оптические свойства полупроводников
Н: частично когерентное оптическое излучение в полупроводниках
оптические свойства полупроводников – поляризация излучения
ББК: В379.24-2
С: поляризация оптического излучения в полупроводниках
В: оптические свойства полупроводников
Н: вращение плоскости поляризации в полупроводниках
А: поляризация электромагнитных волн в полупроводниках
А: поляризованное оптическое излучение в полупроводниках
оптические свойства полупроводников – спектральные характеристики
ББК: В379.24-1
С: спектральные характеристики оптического излучения в полупроводниках
В: оптические свойства полупроводников
Н: cпектральные диапазоны оптического излучения в полупроводниках
оптические свойства слоистых структур полупроводников
В: оптические свойства полупроводников
Н: оптические свойства слоистых структур полупроводников II-VI
Н: оптические свойства слоистых структур полупроводников III-V
оптические свойства слоистых структур полупроводников II-VI
PACS 78.66.Hf
В: оптические свойства слоистых структур полупроводников
В: оптические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников IIVI
оптические свойства слоистых структур полупроводников III-V
PACS 78.66.Fd
В: оптические свойства слоистых структур полупроводников
В: оптические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников IIIV
оптические свойства, твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия
излучений и частиц с конденсированными телами
PACS 78
С: конденсированное вещество: оптические свойства, спектрография,
взаимодействие с излучениями и частицами
В: конденсированное вещество: электронная структура, электрические,
магнитные и оптические свойства
Н: оптические свойства тонких плёнок
Н: твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия излучений и частиц с
конденсированными телами
А: оптические свойства и спектры конденсированного вещества
оптические свойства тонких плёнок
PACS 78.66.-w
ББК В341.6
*УДК 535:538.975.3
В: оптические свойства, твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия
излучений и частиц с конденсированными телами
Н: оптические свойства тонких полупроводниковых плёнок
оптические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников II-VI
PACS 78.66.Hf
В: оптические свойства полупроводников
В: тонкие плёнки и слоистые структуры полупроводников II-VI
Н: оптические свойства слоистых структур полупроводников II-VI
Н: оптические свойства тонких плёнок полупроводников II-VI
оптические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников III-V
PACS 78.66.Fd
В: оптические свойства полупроводников
В: тонкие плёнки и слоистые структуры полупроводников III-V
Н: оптические свойства слоистых структур полупроводников III-V
Н: оптические свойства тонких плёнок полупроводников III-V
оптические свойства тонких плёнок полупроводников II-VI
PACS 78.66.Hf
В: оптические свойства тонких полупроводниковых плёнок
оптические свойства тонких плёнок полупроводников III-V
PACS 78.66.Fd
В: оптические свойства тонких полупроводниковых плёнок
оптические свойства тонких плёнок элементарных полупроводников
PACS 78.66.Db
В: оптические свойства тонких полупроводниковых плёнок
В: тонкие плёнки элементарных полупроводников
оптические свойства тонких плёнок элементарных полупроводников и изоляторов
PACS 78.66.Db
В: оптические свойства тонких полупроводниковых плёнок
оптические свойства тонких полупроводниковых плёнок
PACS 78.66.–w
*ББК В379.212.6:24
*УДК 535:538.975.3:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
В: тонкие плёнки полупроводников
Н: оптические свойства тонких плёнок элементарных полупроводников
оптические фононы
В: фононы
оптические эффекты в полупроводниках
См: оптические свойства полупроводников
оптические явления в аморфных полупроводниках
*ББК В379.212.4:24
ВИНИТИ 291.19.31.25.37
*УДК 535:621.315.59-026.764
В: аморфные полупроводники – физика
В: оптические свойства полупроводников
А: оптические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
оптические явления в полупроводниках
См: оптические свойства полупроводников
оптическое излучение /в полупроводниках, характеристики /
ББК В379.24-1
*УДК 535.3:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
оптоэлектронные полупроводниковые детекторы
PACS 85.60.–q
В: полупроводниковые детекторы
органические полупроводники = класс веществ, относящихся по типу связи, как правило, к
молекулярным соединениям, обладающим заметной дырочной или электронной проводимостью и
положительным температурным коэффициентом электропроводности
*ББК В379.2:Г214
ВИНИТИ 291.19.31.41
*УДК 621.315.59:547
%УДК 537.311.322-039.7
В: полупроводники
остаточные примеси = примеси, не удалённые при очистке полупроводника
В: примеси в полупроводниках
отжиг радиационных эффектов кристаллической решётки /полупроводников/
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки
ортоферриты – физика
ББК В379.233.4
В: ферриты /полупроводники/
ортохромиты – физика /полупроводников/
ББК В379.233.4
В: ферримагнетизм полупроводников
отражение света /в полупроводниках/
ББК В379.242
*УДК 535.39:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
В: отражение электромагнитных волн в полупроводниках
В: поглощение и отражение света в полупроводниках
отражение электромагнитных волн в полупроводниках
ББК В379.242
*УДК 537.874.2:621.315.59
Н: отражение света /в полупроводниках/
П п – 130 статей
парамагнетизм полупроводников
ББК В379.233.4
*УДК 537.622.3:621.315.59
В: магнитные свойства полупроводников
В: парамагнетизм – теория
В: парамагнетики
парамагнетизм – теория = свойство тел, помещенных во внешнее магнитное поле,
намагничиваться (приобретать магнитный момент) в направлении, совпадающем с направлением
этого поля
ББК В334.4
УДК 537.611.43
В: магнетизм – теория
Н: парамагнетизм полупроводников
парамагнетики = вещества, намагничивающиеся во внешнем магнитном поле по направлению поля
ББК В373.33
УДК 537.622.3
В: магнитные материалы
В: магнитные свойства материалов
Н: парамагнетизм полупроводников
Н: электронные парамагнетики
парамагнитный резонанс /в полупроводниках/
ББК В379.233.3
ВИНИТИ 291.19.31.23.21
УДК 537.635:537.611.43
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
параметрический резонанс спиновых волн в ферритах
ББК В379.233.4
В: спинволновой резонанс
В: ферромагнетизм полупроводников
переключение магнитных структур
ВИНИТИ 201.19.36.21.37
В: эффекты спинтроники
А: магнитоэлектрический контроль
перенос
См: явления переноса
перенос поляризованного спина
PACS 72.25.-b
В: электронный перенос в конденсированных телах
Н: перенос поляризованного спина в полупроводниках
Н: спинполяризованный перенос в металлах
перенос поляризованного спина в полупроводниках
PACS 72.55.Dc
ВИНИТИ 291.19.36.21.27
С: спинполяризованный перенос в полупроводниках
В: эффекты спинтроники
В: явления переноса в полупроводниках
перенос спинового крутильного момента током
ВИНИТИ 291.19.36.21.35
В: эффекты спинтроники
Н: явления переноса /в конденсированном веществе/
перенос фононов в магнитных полупроводниках.
ББК В379.233
В: магнитные свойства полупроводников
В: явления переноса в полупроводниках
перенос экситонов в полупроводниках
ВИНИТИ 291.19.31.21.39
В: экситоны в полупроводниках
В: явления переноса /в полупроводниках
переходное сопротивление
УДК 537.311.4
В: сопротивление и проводимость
А: контактное сопротивление
переходы ферромагнетик-сверхпроводник
ВИНИТИ 291.19.36.19.29
В: структуры спинтроники
периодические структуры /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.33.29.21
В: слоистые структуры
Н: полупроводниковые сверхрешётки
перовскиты-ферриты
ББК В379.233.4
В: ферромагнетики
пинч-эффект /в полупроводниках/ = эффект самостягивания разряда, свойство
электрического токового канала в сжимаемой проводящей среде уменьшать своё сечение под
действием собственного, порождаемого самим током, магнитного поля
*ББК В333.62:В379.2
ВИНИТИ 291.19.31.21.37
В: кинетические явления /в полупроводниках/
плазма носителей заряда /в полупроводниках/
%УДК 537.311.322.01:533.9
В: теория полупроводников
Н: экситоны
Н: электронные состояния /в полупроводниках/
Н: явления переноса в полупроводниках
плазмоны в полупроводниках = квазичастица, отвечающая квантованию плазменных
колебаний, которые представляют собой коллективные колебания свободного электронного газа.
В: коллективные возбуждения /в полупроводниках/
Н: объёмные плазмоны
Н: поверхностные плазмоны
планарный эффект Холла
*ББК В379.212.6:25
ВИНИТИ 291.19.36.21.49
В: эффект Холла
В: эффекты спинтроники
плёнки (кинетические явления в полупроводниках)
*ББК В379.212.6:25
ВИНИТИ 291.19.31.21.41
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: полупроводниковые плёнки
плёнки полупроводников
См: полупроводниковые плёнки
плёнки полупроводников в радиодиапазоне
ВИНИТИ 291.19.31.23.41
*УДК 538.975.3:537.8.029.5/.6:621.315.59
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
В: полупроводниковые плёнки
плёнки полупроводников (оптика)
*ББК В379.212.6:24
ВИНИТИ 291.19.31.25.35
*УДК 538.975.3:535:621.315.59
В: оптические явления в полупроводниках
В: полупроводниковые плёнки
плёнки (фотоэлектрические и рекомбинационные явления в полупроводниках)
*ББК В379.212.6:231.2:231.4
ВИНИТИ 291.19.31.29.31
В: фотоэлектрические и рекомбинационные эффекты в полупроводниках
В: полупроводниковые плёнки
поверхности и границы раздела
ВИНИТИ 291.19.16
ГРНТИ 29.19.16
УДК 538.971
В: физика твёрдых тел
В: специальная геометрия тел
Н: границы раздела
Н: полупроводниковые плёнки
Н: явления на границе твердого тела и газа (вакуума)
поверхности и границы раздела аморфных полупроводников и стёкол: структура и
энергетика
PACS 68.35.bj
В: аморфные полупроводники – физика
В: поверхности и границы раздела твёрдых тел: структура и энергетика
поверхности и границы раздела твёрдых полупроводников: структура и энергетика
PACS 68.35.bg
В: поверхности и границы раздела твёрдых тел: структура и энергетика
В: твёрдые поверхности полупроводников
поверхности и границы раздела твёрдых тел: структура и энергетика
PACS 68.35.-р
В: поверхности и границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и
неэлектронные свойства)
Н: поверхности и границы раздела аморфных полупроводников и стёкол: структура
и энергетика
Н: поверхности и границы раздела твёрдых полупроводников: структура и
энергетика
поверхности и границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и
неэлектронные свойства)
PACS 68
В: конденсированное вещество: структура, механические и тепловые свойства
Н: поверхности и границы раздела твёрдых тел: структура и энергетика
Н: структура и морфология тонких плёнок
Н: тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства)
А: поверхности и границы раздела
поверхностная структура полупроводников
PACS 68.35.bg bj
*ББК В379.212:212.5
*УДК 539.211:621.315.59
В: структура полупроводников
поверхностные плазмоны /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.15.19.17
В: плазмоны в полупроводниках
В: поверхностные явления в полупроводниках
поверхностные поляритоны в полупроводниках
ББК В379.212.2
В: поверхностные явления в полупроводниках
В: поляритоны в полупроводниках
поверхностные свойства полупроводников
*УДК [538.971+539.211]:621.315.59
Н: поверхностные свойства полупроводников – исследование с помощью ФЭС
А: поверхностные явления в полупроводниках
поверхностные свойства полупроводников – исследование с помощью ФЭС
ВИНИТИ 291.19.31.37.19.17
В: поверхностные свойства полупроводников
В: фотоэлектронная спектроскопия полупроводников
поверхностные фононы /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.15.17.15
В: фононный спектр /полупроводников/
В: поверхностные явления в полупроводниках
поверхностные явления в полупроводниках
ББК В379.212.5
*УДК [538.971+539.211]:621.315.59
В: структура полупроводников
Н: поверхностные плазмоны /в полупроводниках/
Н: поверхностные поляритоны в полупроводниках
Н: поверхностные фононы /в полупроводниках/
Н: электронно-дырочные системы на поверхности полупроводников
А: поверхностные свойства полупроводников
поверхность /неоднородности в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.33.19
*УДК 539.219.1:539.211:538.971:621.315.59
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения
PACS 78.40.-q
*ББК В343.231.1-142:231.1-143:232.1-142:232.1-143
В: твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия излучений и частиц с
конденсированными телами
Н: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового
излучения в металлах, полуметаллах и сплавах
Н: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового
излучения в полупроводниках
Н: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового
излучения фуллеренов и подобных материалов
поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения
в металлах, полуметаллах и сплавах
PACS 78.40.Kc
В: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового
излучения
поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения
в полупроводниках
PACS 78.40.Fy
*ББК В379.242-142:242-143:243-142:243-143
В: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового
излучения
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: поглощение и отражение света в полупроводниках
поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения
фуллеренов и подобных материалов
PACS 78.40.Ri
С: фуллерены и подобные вещества: спектры видимого и ультрафиолетового
излучения
В: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового
излучения
поглощение в полупроводниках
PACS 68.47.Fg
ББК В79.243
Н: поглощение электромагнитных волн в полупроводниках
поглощение и отражение света /в полупроводниках/
*ББК В379.243:243
*УДК [535.34+535.36+535.39]:621.315.59
В: оптические явления в полупроводниках
Н: межзонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: отражение света в полупроводниках
Н: поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/
Н: поглощение /света в полупроводниках/
Н: примесное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/
ВИНИТИ 291.19.31.25.19
В: оптические явления в полупроводниках
В: поглощение и отражение света в полупроводниках
Н: внутризонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: решёточное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: экситонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
поглощение и распространение волн /радиодиапазона в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.23.17
*УДК 537.87.029.5/.6:621.315.59
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
поглощение и распространение звука /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.27.15
*УДК 534.2:621.315.59
В: акустические явления в полупроводниках
поглощение света в полупроводниках
ББК В379.243
*УДК 535.34:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках/
В: поглощение электромагнитных волн в полупроводниках
Н: многофотонное поглощение в полупроводниках/
поглощение света на примесях и дефектах в полуметаллах
PACS 78.40.Kc
В: полуметаллы
поглощение электромагнитных волн в полупроводниках
ББК В379.243
*УДК 537.874.7:621.315.59
В: поглощение в полупроводниках
Н: поглощение света в полупроводниках
позитроны в структурном анализе
ББК 379.221
В: структурный анализ полупроводников
поликристаллические полупроводники – физика = полупроводниковые материалы или
заготовки из него, объём которых образован множеством зёрен или сросшихся монокристаллов со
случайной ориентацией
ББК 379.2
В: кристаллические полупроводники
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
половинные металлы = металлы с полной поляризацией носителей заряда по спину
ВИНИТИ 291.19.36.15.19
В: материалы спинтроники
В: металлы
полоний
*ББК Г126.4:К235.44
УДК 546.249
В: полуметаллы
полумагнитные полупроводники = сплавы полупроводников и магнитных ионов переходных
металлов или редких земель
С: полупроводники с магнитным разбавлением
С: разбавленные магнитные полупроводники
ББК В379.233
В: магнитные полупроводники
В: магнитные свойства полупроводников
полуметаллы = вещества (Bi, As, Sb, Те и др.), близкие по свойствам к типичным металлам, но
обладающие в 102 – 105 раз меньшей электропроводностью
В: металлы, полуметаллы и сплавы
Н: видимые и ультрафиолетовые спектры полуметаллов
Н: висмут
Н: германий
Н: мышьяк
Н: обработка полуметаллов
Н: поглощение света на примесях и дефектах в полуметаллах
Н: полоний
Н: сурьма
Н: теллур
Н: электронная структура полуметаллов
полупроводники = широкий класс веществ, в которых концентрация подвижных носителей тока
значительно ниже, чем концентрация атомов, и может изменяться в широких пределах под
влиянием температуры, освещения или относительно малого количества примесей
ББК В379.2
ВИНИТИ 291.19.31
ГРНТИ 29.19.31
*УДК 537.311.322:621.315.59
В: материаловедение
В: электрические свойства твёрдых тел
Н: акустические явления в полупроводниках
Н: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
Н: бесщелевые полупроводники
Н: диэлектрические свойства полупроводников (статические)
Н: дырочные полупроводники
Н: жидкие полупроводники
Н: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников
Н: кинетические явления /в полупроводниках/
Н: коллективные эффекты /в полупроводниках/
Н: кристаллические полупроводники
Н: легированные полупроводники
Н: люминесценция /полупроводников/
Н: магнитные полупроводники
Н: неоднородные системы /в полупроводниках/
Н: неорганические полупроводники
Н: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: низкоразмерные полупроводники
Н: органические полупроводники
Н: полупроводники как нелинейные оптические материалы
Н: полупроводниковые плёнки
Н: полупроводниковые соединения
Н: полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом
Н: пьезополупроводники
Н: сегнетополупроводники
Н: статистико-термодинамические свойства полупроводников
Н: туннельная и фононная спектроскопия /полупроводников/
Н: туннельная микроскопия /полупроводников/
Н: ферромагнитные полупроводники
Н: фотоэлектрические и рекомбинационные явления /в полупроводниках/
Н: чистые полупроводники
Н: электронные полупроводники
Н: элементарные полупроводники
Н: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
Н: энергетический спектр полупроводников
А: полупроводники - техника
А: проводники с особо высоким сопротивлением
А: физика полупроводников
полупроводники II-VI
PACS 81.05. Dz
%УДК 537.311.322-039.6AIIBVI
С: полупроводниковые соединения типа AIIBVI
В: неорганические полупроводники
В: полупроводниковые соединения
Н: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников II-VI
Н: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников II-VI
Н: легирование и имплантация ионов в полупроводниках II-VI
Н: тонкие плёнки и слоистые структуры полупроводников II-VI
Н: фотолюминесценция полупроводников II-VI
Н: электропроводность полупроводников II-VI
полупроводники III-V
PACS 81.05.Ea
%УДК 537.311.322-039.6AIIIBV
С: полупроводниковые соединения типа AIIIBV
В: неорганические полупроводники
В: полупроводниковые соединения
Н: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников III-V
Н: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников III-V
Н: легирование и имплантация ионов в полупроводниках III-V
Н: тонкие плёнки и слоистые структуры полупроводников III-V
Н: фотолюминесценция полупроводников III-V
Н: электропроводность полупроводников III-V
полупроводники в электрохимии
PACS 82.45.Vp
*ББК Г57:В379.2
*УДК 544.6:621.315.59
В: полупроводники - техника
полупроводники как нелинейные оптические материалы
PACS 42.70.Nq
*УДК 535:530.182:621.315.59-03
В: нелинейная оптика полупроводников
В: полупроводники - техника
полупроводники с магнитным разбавлением
См: полумагнитные полупроводники
полупроводники - техника
PACS 81.05.Hd
УДК 621.315.59
Н: полупроводники в электрохимии
Н: полупроводники как нелинейные оптические материалы
Н: полупроводниковые устройства
А: полупроводники
полупроводниковые гетероструктуры = комбинации различных гетеропереходов
ББК 379.2
*УДК 538.975.5:621.315.59-025.25
С: гетероструктуры полупроводников
В: полупроводниковые структуры
В: физика полупроводников
Н: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
Н: квантовые ямы и сверхрешётки /в полупроводниках/
Н: низкоразмерные полупроводниковые гетероструктуры
Н: полупроводниковые гетероструктуры – теория
Н: полупроводниковые сверхрешётки
полупроводниковые гетероструктуры – теория
ББК В379.13
*УДК 538.975.5:621.315.59-025.25-027.21
В: полупроводниковые гетероструктуры
В: теория полупроводников
полупроводниковые детекторы
*ББК з849.2:В381.592
В: полупроводниковые устройства
Н: оптоэлектронные полупроводниковые детекторы
Н: полупроводниковые детекторы для ядерной физики
Н: полупроводниковые лазеры
полупроводниковые детекторы для ядерной физики
PACS 29.40.Wk
ББК В381.592
УДК 539.1.074.55
В: полупроводниковые детекторы
полупроводниковые домены = области полупроводника с разным удельным сопротивлением и
разной напряжённостью электрического поля
ВИНИТИ 291.19.31.35.21.17
*УДК 537.611.3:621.315.59
С: домены /в полупроводниках
В: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
В: домены
полупроводниковые и диэлектрические свойства твёрдых тел
ББК В379
*УДК 537.226-026.76
Н: диэлектрические свойства твёрдых тел
Н: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: физика полупроводников и диэлектриков
полупроводниковые квантовые сверхрешётки
ББК В379.13
В: квантовая теория
В: полупроводниковые сверхрешётки
полупроводниковые лазеры
С: лазерные диоды
PACS 42.55.Px
*ББК В345.977:з86-531.8
*УДК 621.373.8:621.315.59
В: лазеры
В: полупроводниковые устройства
Н: квантовые каскадные лазеры
полупроводниковые магнетики
См: магнитные полупроводники
полупроводниковые мезоскопические системы – теория
ББК В379.13
*УДК 538.91:621.315.59-022.51-027.21
В: квантовая теория
полупроводниковые наноструктуры
См: низкоразмерные полупроводниковые гетероструктуры
полупроводниковые оптические материалы
PACS 42.70.-a
*ББК В341.8:В379.2
В: светопреломляющие и полупроводниковые оптические материалы
полупроводниковые плёнки
ББК В379.212.6
*УДК 538.975.25:621.315.59-023.4
В: поверхности и границы раздела
В: полупроводники
Н: выращивание полупроводниковых плёнок
Н: плёнки /кинетические явления в полупроводниках/
Н: плёнки /полупроводников в радиодиапазоне/
Н: плёнки /полупроводников, оптика/
Н: плёнки /фотоэлектрические и рекомбинационные явления в полупроводниках/
Н: тонкие плёнки полупроводников
полупроводниковые сверхрешётки = – многослойные гетероструктуры, состоящие из
чередующихся слоёв различных по составу полупроводников, различающихся шириной запрещённой
зоны
ББК В379.212
С: сверхрешётки /в полупроводниках/
В: периодические структуры полупроводников
В: полупроводниковые гетероструктуры
В: неоднородные структуры /в полупроводниках/
Н: классические сверхрешётки /в полупроводниках/
Н: полупроводниковые квантовые сверхрешётки
полупроводниковые свойства твёрдых тел
ББК В379
*УДК 538.9-026.76:621.315.59
В: полупроводниковые и диэлектрические свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников
Н: алмазы и алмазоподобные полупроводники – физика
Н: алюминий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: бор и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: ванадий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: висмут и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: галлий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: гафний и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: германий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: графит – полупроводниковые свойства
Н: европий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: индий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: кадмий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: кобальт и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: кремний и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: лантан и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: многокомпонентные соединения – полупроводниковые свойства
Н: мышьяк и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: оксидные полупроводники - физика
Н: поликристаллические полупроводники - физика
Н: редкоземельные элементы и их соединения - полупроводниковые свойства
Н: ртуть и её соединения – полупроводниковые свойства
Н: рутений и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: свинец и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: селен и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: сурьма и её соединения – полупроводниковые свойства
Н: таллий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: твёрдые эвтектические сплавы – полупроводниковые свойства
Н: теллур и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: халькогениды – полупроводниковые свойства
Н: цезий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: церий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: цинк и его соединения – полупроводниковые свойства
полупроводниковые свойства жидкостей
ББК В333.79
Н: жидкие полупроводники
полупроводниковые соединения
В: полупроводники
Н: арсенид галлия
Н: полупроводники III-V
Н: полупроводниковые соединения эхлементов VI группы
полупроводниковые соединения на основе редкоземельных элементов
*ББК Г123.4/6:К235.3:В379.2
%УДК 537.311.322-039.665
В: неорганические полупроводники
Н: лантан и его соединения – полупроводниковые свойства
полупроводниковые соединения типа AIIBVI
См: полупроводники II-IV
полупроводниковые соединения типа AIIIBV
См: полупроводники III-V
полупроводниковые соединения элементов VI группы
В: полупроводниковые соединения
Н: полупроводники II-VI
Н: полупроводниковые соединения на основе редкоземельных элементов
полупроводниковые структуры
В: структуры вещества
Н: полупроводниковые гетероструктуры
Н: полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом
полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом
ББК В379.231.2
ВИНИТИ 291.19.31.46
В: полупроводники
В: полупроводниковые структуры
Н: МПД-структуры
Н: единичные гетеропереходы /электронный газ в полупроводниках/
Н: квантовые ямы и сверхрешётки /в полупроводниках/
А: низкоразмерный электронный газ
полупроводниковые устройства
PACS 85.30.–z
ББК з852
В: полупроводники – техника
В: электронные и магнитные устройства; микроэлектроника
Н: полупроводниковые детекторы
Н: полупроводниковые лазеры /лазерные диоды/
поляризация атомных ядер в полупроводниках
ББК В379.233.4
*УДК 539.143.5:621.315.59
В: магнитные свойства полупроводников
В: ферромагнетизм полупроводников
поляризация люминесценции полупроводников
*ББК В343.8-2:В379.24-2
*УДК 535.37:535.51:621.315.59
В: люминесценция полупроводниокв
В: поляризация электромагнитных волн в полупроводниках
Н: частичная поляризация люминесценции полупроводников
поляризация оптического излучения в полупроводниках
См: оптические свойства полупроводников – поляризация излучения
поляризация электромагнитных волн в полупроводниках
ББК В379.244…
*УДК 537.871.5:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
Н: поляризация люминесценции полупроводников
А: оптические свойства полупроводников – поляризация излучения
поляризованное оптическое излучение /в полупроводниках/
ББК В379.24-2
*УДК 535.51:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
А: оптические свойства полупроводников – поляризация излучения
поляритонные уровни в полупроводниках
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
поляритоны /в полупроводниках/ = кванты возбуждённого состояния кристалла,
представляющие собой сочетание электромагнитной волны (фотона) с оптическим колебанием
ионного кристалла (оптическим фононом) или экситоном
ББК В379.212.2
ВИНИТИ 291.19.31.15.19.21
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
В: коллективные возбуждения /в полупроводниках/
полярные полупроводники - физика = В молекулах полярных диэлектриков и полупроводников
центры тяжести зарядов разных знаков сдвинуты друг относительно друга. В этом случае
молекулы обладают собственным дипольным моментом. Но эти дипольные моменты в
отсутствие внешнего электрического поля из-за теплового движения молекул ориентированы
хаотически и суммарный дипольный момент такого диэлектрика равен нулю
ББК В379.2
В: физика полупроводников
поляроны = Электроны, двигающиеся по кристаллу вместе с вызываемой ими деформацией
решётки. Полярон. — составная квазичастица: электрон + связанные с ним фононы.
*УДК 538.9:544.022.372
В: поляроны, флуктуоны и др. /квазичастицы в полупроводниках/
В: электронные дефекты
поляроны в полупроводниках
ББК В379.133
*УДК 538.9:544.022.372:621.315.59
В: поляроны
В: поляроны, флуктуоны и др. /квазичастицы в полупроводниках/
поляроны, флуктуоны и др. /квазичастицы в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.15.23
В: квазичастицы в полупроводниках
В: энергетический спектр полупроводников
Н: поляроны в полупроводниках
Н: флуктуоны /в полупроводниках/
пористые слои полупроводников
ББК В379.212.6
*УДК 539.216.2:539.217.1:621.315.59
В: структура полупроводников
порошки ферритовые – физические свойства
ББК В379.233.4
В: ферромагнетики
потенциальные барьеры в полупроводниках
ББК В379.231.21
В: барьер Шоттки
В: барьерные эффекты в полупроводниках
преломление света /в полупроводниках/ = изменение направления распространения
оптического излучения (света) при его прохождении через границу раздела двух сред
ББК В379.242
*УДК 535.32:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
В: преломление электромагнитных волн в полупроводниках
преломление электромагнитных волн в полупроводниках
ББК В379.242.2
*УДК 537.874.3:621.315.59
Н: преломление света в полупроводниках
приборы спиновой электроники
ВИНИТИ 291.19.36.25
В: спинтроника
Н: спиновые диоды
Н: спиновые транзисторы
Н: спиновые фильтры
Н: спиновые запоминающие устройства
Н: спиновые квантовые компьютеры
примеси в полупроводниках = атомы, инородные для данной кристаллической решётки
ББК В379.212.2
*УДК 544.022.343:621.315.59
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
Н: легирующие примеси
Н: остаточные примеси
Н: примеси /влияние на статистические свойства полупроводников/
Н: примесные состояния /влияние на энергетический спектр полупроводников/
примеси – влияние на электрические свойства /полупроводников/
ББК В379.231.26
*УДК 537.311.322:544.022.343:621.315.59
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
В: электрические свойства /полупроводников/
В: электронные явления в полупроводниках
примеси /влияние на статистические свойства полупроводников/
*ББК В379.212.2:22
ВИНИТИ 291.19.31.17.31
*УДК 536:544.022.343:621.315.59
В: примеси в полупроводниках
В: статистико-термодинамические свойства полупроводников
примесное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.25.19.17
*УДК [535.34+535.36+535.39]:544.022.343:621.315.59
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: решёточное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: экситонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
примесные уровни полупроводников
PACS 71.55-i
В: энергетический спектр полупроводников
примесные состояния – влияние на энергетический спектр полупроводников
ВИНИТИ 291.19.31.15.21
В: энергетический спектр полупроводников
В: примеси в полупроводниках
Н: глубокие уровни примесных состояний – влияние на энергетический спектр
пробой = Явление резкого возрастания электрического тока через слабо проводящие кристаллы в
сильных электрических полях
ББК В373.124
УДК 537.521.7
В: электрические разряды
Н: пробой в полупроводниках
пробой в полупроводниках
ББК В379.231.24
ВИНИТИ 291.19.31.21.33
*УДК 537.521.7:621.315.59
В: ионизация и пробой в полупроводниках
В: пробой
В: электронные явления в полупроводниках
проводимость
См: сопротивление и проводимость
проводимость аморфных полупроводников
См: электропроводность аморфных полупроводников
проводимость жидких полупроводников
См: электропроводность жидких полупроводников
проводимость полупроводников
См: электропроводность полупроводников
проводимость по примесной зоне
ВИНИТИ 291.19.31.21.15.17
В: электропроводность полупроводников
проводимость элементарных полупроводников
См: электропроводность элементарных полупроводников
проводники с особо высоким сопротивлением
УДК 621.315.59
А: полупроводники
производство, обработка, испытания, анализ материалов
PACS 81.05.-t
В: материаловедение
Н: анализ материалов
Н: испытания материалов
Н: обработка материалов
проникающее излучение – взаимодействие с твёрдыми телами
См: взаимодействие проникающего излучения с твёрдыми телами
протонография полупроводников
ББК В379.212.19
В: структурный анализ полупроводников
процессы переноса в тонких полупроводниковых плёнках
PACS 73.50.–h 73.61.–r
*УДК 538.975.2:621.315.59
В: тонкие плёнки полупроводников
В: явления переноса в полупроводниках
прыжковая проводимость /полупроводников/
ББК В379.231.2
ВИНИТИ 291.19.31.21.15.19
В: электронные явления в полупроводниках
В: электропроводность /полупроводников/
пьезооптические явления /в полупроводниках/
*ББК В379.231.7:24
ВИНИТИ 291.19.31.25.31
*УДК 535:537.226.86:621.315.612:621.315.59
В: оптические явления в полупроводниках
В: пьезополупроводники
В: пьезоэффект
пьезополупроводники
ББК В379.231.7
*УДК 537.226.86:621.315.612:621.315.59
В: полупроводники
В: пьезоэлектрики
В: физика полупроводников
Н: пьезооптические явления /в полупроводниках/
Н: пьезосопротивление /полупроводников/
Н: пьезоэффект /акустика полупроводников/
пьезосопротивление /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.21.17
*УДК 537.226.86:537.31:621.315.612:621.315.59
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: пьезополупроводники
пьезоэлектрики = диэлектрики и полупроводники, в которых наблюдается пьезоэффект, то есть
те, которые могут либо под действием деформации индуцировать электрический заряд на своей
поверхности (прямой пьезоэффект), либо под влиянием внешнего электрического поля
деформироваться (обратный пьезоэффект).
ББК з843.41
*УДК 537.226.86:621.315.612
Н: пьезополупроводники
пьезоэффект = способность вещества под действием деформации индуцировать
электрический заряд на своей поверхности (прямой пьезоэффект), либо под влиянием внешнего
электрического поля деформироваться (обратный пьезоэффект).
УДК 537.226.86
Н: пьезооптические явления в полупроводниках
Н: пьезоэффект /акустика полупроводников/
пьезоэффект /акустика полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.27.19
*УДК 537.226.86:534:621.315.59
В: акустические явления в полупроводниках
В: пьезоэффект
Р р – 52 статьи
работа выхода электронов = энергия, затрачиваемая на удаление электрона из твёрдого тела
или жидкости в вакуум
УДК 537.533.2
В: электронная эмиссия
Н: работа выхода электрона из полупроводника
работа выхода электрона из полупроводника
ВИНИТИ 291.19.31.37.15
*УДК 537.533.2:621.315.59
В: работа выхода электронов
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
радиационные дефекты в полупроводниках = продукты атомных смещений в облучаемом
материале, а также электронных возбуждений, вызываемых в нём ионизационными процессами.
ББК В379.212.2
В: дефекты в полупроводниках
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
Н: радиационные дефекты в полупроводниках – влияние на электрические
свойства
радиационные дефекты в полупроводниках – влияние на электрические свойства
ББК В379.231.26
С: структурные нарушения (радиационные) в полупроводниках
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
В: радиационные дефекты в полупроводниках
В: электронные явления в полупроводниках
радиационные повреждения структуры
В: физические радиационные эффекты; радиационные повреждения
А: радиационные эффекты
радиационные эффекты
В: физические радиационные эффекты; радиационные повреждения
Н: радиационные эффекты в полупроводниках
А: радиационные повреждения структуры
радиационные эффекты в полупроводниках
ББК В379.212.7
PACS 61.82.Fk
%УДК 537.311.322.04: 538.97
С: влияние излучения/облучения на структуру и свойства полупроводников
В: влияние облучения на свойства твёрдых тел
В: структура полупроводников
В: физические свойства полупроводников
Н: взаимодействие ионов с полупроводниками
Н: деканалирование заряженных частиц в полупроводниках
Н: ионная имплантация полупроводников
Н: каналирование и деканалирование заряженных частиц в полупроводниках
Н: радиационный эффект в ферритах /полупроводниках/
А: излучения – действие на проводимость
радиационный эффект в ферритах /полупроводниках/
ББК В379.233.4
В: радиационные эффекты в полупроводниках
В: ферромагнетизм полупроводников
радиоспектроскопия /полупроводников/ = совокупность методов исследования строения
вещества, а также физических и химических процессов в нём, основанных на резонансном
поглощении радиоволн
ББК В379.247
В: спектроскопия полупроводников
разбавленные магнитные полупроводники
См: полумагнитные полупроводники
разделение фаз в полупроводниках
PACS 64.75.Qr
В: фазовые равновесия
размерные эффекты
Н: размерные эффекты /в статистических свойствах полупроводников/
Н: размерные эффекты /при кинетических явлениях в полупроводниках/
Н: размерные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: размерный эффект в полупроводниковых плёнках
размерные эффекты /в статистических свойствах полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.17.29
В: размерные эффекты
В: статистико-термодинамические свойства полупроводников
размерные эффекты /при кинетических явлениях в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.21.29
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: размерные эффекты
размерные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.23.29
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
В: размерные эффекты
размерный эффект в полупроводниковых плёнках
ББК В379.212.6
В: размерные эффекты
В: тонкие слои полупроводников – физика
разогрев электронов /в полупроводниках/
ББК В379.231.2
ВИНИТИ 291.19.31.21.27.15
В: нелинейная проводимость /полупроводников/
В: электронные явления в полупроводниках
А: горячие электроны в полупроводниках
Н: рекомбинация носителей тока в полупроводниках
Н: релаксация энергии горячих носителей тока в полупроводниках
Н: соотношения рассеяния носителей тока Видемана-Франца в полупроводниках
Н: центры захвата в полупроводниках
Н: электрические колебания в полупроводниках
Н: электрические флуктуации в полупроводниках
Н: электронная и дырочная проводимости полупроводников
Н: электронный газ в полупроводниках
разрешённая зона = область значений энергии, которые может принимать квантовая система
В: зона
В: энергетические зоны /полупроводников/
Н: валентная зона
рамановские спектры полупроводников
В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников
Н: рамановские спектры полупроводников II-VI
Н: рамановские спектры полупроводников III-V
Н: рамановские спектры элементарных полупроводников
рамановские спектры полупроводников II-VI
PACS 78.30.Fs
В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников II-VI
В: рамановские спектры полупроводников
рамановские спектры полупроводников III-V
PACS 78.30.Fs
В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников III-V
В: рамановские спектры полупроводников
рамановские спектры элементарных полупроводников
PACS 78.55.Am
В: инфракрасные и рамановские спектры элементарных полупроводников
В: рамановские спектры полупроводников
распределение напряжения
УДК 537.315.6
В: напряжение электрического тока
А: распределение электричества
распределение электричества
УДК 537.22
В: статическое электричество
Н: электрический заряд – распределение плотности
А: распределение напряжения
распространение звука /в полупроводниках/
*ББК В323.35:В379.22
ВИНИТИ 291.19.31.27.15
*УДК 534.2:621.315.59
В: акустические явления в полупроводниках
В: поглощение и распространение звука /в полупроводниках/
распространение электромагнитных волн
ББК В336.3
УДК 537.87
Н: распространение волн /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: распространение световых волн /в полупроводниках/
распространение электромагнитных волн /в полупроводниках, оптический диапазон/
См: распространение световых волн /в полупроводниках/
распространение волн /радиодиапазона в полупроводниках/
ББК В379.24
ВИНИТИ 291.19.31.23.17
УДК 537.87.029.5/.6:621.315.59
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
В: распространение электромагнитных волн /в полупроводниках/
распространение световых волн /в полупроводниках/
ББК В379.24
ВИНИТИ 291.19.31.25.15
*УДК 535.3:621.315.59
С: распространение электромагнитных волн /в полупроводниках, оптический
диапазон/
В: высокочастотная диэлектрическая проницаемость и распространение световых
волн /в полупроводниках/
В: физика полупроводников
Н: рассеяние света /в полупроводниках/
А: оптические свойства полупроводников
рассеяние света /в полупроводниках/
ББК В379.245
ВИНИТИ 291.19.31.25.21
*УДК 535.36:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
В: оптические явления в полупроводниках
В: распространение световых волн /в полупроводниках/
Н: гиперкомбинационное рассеяние света в полупроводниках
Н: комбинационное рассеяние /света/ в полупроводниках
рассеяние спинов
ВИНИТИ 291.19.36.21.29
В: релаксация и рассеяние спинов
редкоземельные элементы и их соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.4/6
*УДК 546.65:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
резонансное туннелирование в магнитных структурах
ВИНИТИ 291.19.36.21.45
В: туннельный эффект
В: эффекты спинтроники
рекомбинационная люминесценции полупроводников
*ББК В343.89:В379.24
В: люминесценция полупроводников
рекомбинационные неустойчивости /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.35.23
В: неустойчивости /в полупроводниках/
рекомбинация /носителей тока в полупроводниках/ = исчезновение пары электрон
проводимости - дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону
ББК В379.231.3
ВИНИТИ 291.19.31.29.25
В: носители тока в полупроводниках
В: фотоэлектрические и рекомбинационные явления /в полупроводниках/
Н: безизлучательная рекомбинация /в полупроводниках/
Н: излучательная рекомбинация в полупроводниках
Н: Оже-рекомбинация
релаксационные электрические свойства твёрдых тел
ВИНИТИ 291.19.23.19
В: кинетические и релаксационные свойства (электрические) твёрдых тел
релаксация и рассеяние спинов
ВИНИТИ 291.19.36.21.29
В: эффекты спинтроники
Н: рассеяние спинов
релаксация Максвелла в полупроводниках
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводников
релаксация энергии горячих носителей тока в полупроводниках
ББК В379.231.2
В: горячие носители тока в полупроводниках
рентгеновская дифрактометрия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.35
В: дифрактометрия
рентгеновская оптика /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.25.25
*УДК 535-34:621.315.59
В: оптические явления в полупроводниках
Н: рентгеновская спектроскопия
рентгеновская спектроскопия /полупроводников/ = получение рентгеновских спектров
испускания и поглощения и их применение к исследованию электронной энергетической структуры
атомов, молекул и твёрдых тел
ББК В379.247
ВИНИТИ 291.19.31.25.25.15
*УДК 539.26:621.315.59
С: рентгеноспектроскопия полупроводников
В: рентгеновская оптика /полупроводников/
В: спектроскопия полупроводников
А: рентгеновский анализ полупроводников и их поверхностных слоёв
рентгеновские лучи - действие на проводимость
УДК 537.312.54
В: излучения – действие на проводимость
В: рентгеновское излучение
рентгеновский анализ полупроводников и их поверхностных слоёв
ББК В379.221.3
*УДК 539.26:621.315.59
В: структурный анализ полупроводников
Н: дифракция рентгеновских лучей в кристаллах полупроводников
А: рентгеновская спектроскопия /полупроводников/
рентгеновское излучение
УДК 535-34
Н: рентгеновское излучение в полупроводниках
Н: рентгеновские лучи - действие на проводимость
рентгеновское излучение в полупроводниках
ББК В379.24-141
В: гамма- и рентгеновское излучение в полупроводниках
рентгеноспектроскопия полупроводников
См: рентгеновская спектроскопия /полупроводников/
решёточное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.25.19.21
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/
ртуть
*ББК Г122.43:К232.8
УДК 546.49
А: ртуть и её соединения – полупроводниковые свойства
ртуть и её соединения – полупроводниковые свойства
ББК В379.2:Г122.43-2
*УДК 546.49:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: ртуть
рутений и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2: Г128.21-2
*УДК 546.96:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
С с –93 статьи
самодиффузия в металлах, полуметаллах и сплавах
PACS 66.30.Fq
В: неэлектронноый перенос в конденсированных телах
Н: самодиффузия в полуметаллах
самодиффузия в полуметаллах
PACS 66.30.Fq
В: полуметаллы
В: самодиффузия в металлах, полуметаллах и сплавах
самодиффузия в полупроводниках
ББК В379.256
В: диффузия и самодиффузия в полупроводниках
сверхпроводимость = свойство многих проводников, состоящее в том, что их электрическое
сопротивление скачком падает до нуля при охлаждении ниже определённой критической
температуры
УДК 538.945
В: квантовые жидкости и тела
А: сверхпроводники
сверхпроводники = вещества, у которых при охлаждении ниже определённой критической
температуры электрическое сопротивление падает до нуля, т. е. наблюдается
сверхпроводимость
*ББК В368.373
ВИНИТИ 291.19.29
ГРНТИ 29.19.29
УДК 538.945
В: электрические свойства твёрдых тел
А: сверхпроводимость
сверхрешётки /в полупроводниках/
См: полупроводниковые сверхрешётки
сверхтекучесть = состояние квантовой жидкости, в котором она протекает через узкие щели
и капилляры без трения; при этом протекающая часть жидкости обладает равной нулю
энтропией
УДК 538.941
В: квантовые жидкости
светопреломляющие и полупроводниковые оптические материалы
PACS 42.70.-a
В: нелинейные оптические материалы, светопреломляющие и
полупроводниковые материалы
Н: полупроводниковые оптические материалы
свинец
*ББК Г124.33:К232.4
УДК 546.815
А: свинец и его соединения – полупроводниковые свойства
свинец и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2: Г124.33-2
*УДК 546.815:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: свинец
свойства атомов
УДК 539.183
В: атомная физика
Н: спин и моменты атомов
свойства и явления в конденсированном веществе /кроме явлений переноса/
УДК 538.95
В: физика конденсированного состояния
Н: акустические явления в конденсированном вещества
Н: диэлектрические свойства конденсированного веществе
Н: магнитные явления в конденсированном веществе
Н: механические явления в конденсированном веществе
Н: оптические свойства и спектры в конденсированном веществе
Н: тепловые явления в конденсированном веществе
сегнето- и антисегнетоэлектрики
ВИНИТИ 291.19.35
ГРНТИ 29.19.35
УДК 537.226.4
В: сегнетоэлектричество
Н: антисегнетоэлектрики
Н: сегнетоэлектрики
сегнетополупроводники
ББК 379.231.7
*УДК 537.226.4:621.315.612:621.315.59
В: полупроводники
В: сегнетоэлектрики
В: физика полупроводников
сегнетоэлектрики = кристаллические диэлектрики и полупроводники, обладающие в
определённом интервале температур спонтанной (самопроизвольной) поляризацией, которая
существенно изменяется под влиянием внешних воздействий
ВИНИТИ 291.19.35
ГРНТИ 29.19.35
*УДК 537.226.4:621.315.612
В: сегнето- и антисегнетоэлектрики
Н: сегнетополупроводники
А: сегнетоэлектричество
сегнетоэлектрические домены = области однородной спонтанной (самопроизвольной)
поляризации в сегнетоэлектриках
В: домены
В: сегнетоэлектричество
сегнетоэлектричество = способность вещества самопроизвольно приобретать поляризацию и
совокупность других электрических свойств, характерных для группы диэлектриков и
полупроводников, называющихся сегнетоэлектриками и являющихся разновидностью
пироэлектриков
ВИНИТИ 291.19.35
ГРНТИ 29.19.35
УДК 537.226.4
В: электрические свойства твёрдых тел
Н: сегнето- и антисегнетоэлектрики
Н: сегнетоэлектрические домены
А: сегнетоэлектрики
селен и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г126.22-2
*УДК 546.23:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
семиэлектрики
ББК В379.231.7
В: электрические свойства полупроводников
скорость распространения электрического тока
УДК 537.314
В: электропроводность
слабый ферромагнетизм = существование небольшого спонтанного магнитного момента у
определённых классов антиферромагнетиков
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: ферромагнетизм
слои Шоттки – электрические явления
ББК В379.231.5
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
слоистые полупроводники – физика = полупроводники, характеризующиеся слоистой
кристаллической структурой (к ним относятся такие соединения, как йодид свинца PbI2,
дисульфид молибдена MoS2, селенид галлия GaSe)
ББК В379.2
*УДК 538.975.5:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников
А: слоистые структуры /полупроводников/
слоистые структуры /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.33.29
*УДК 538.975.5:621.315.59
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
Н: периодические структуры /полупроводников/
Н: слоистые структуры полупроводников II-VI
Н: слоистые структуры полупроводников III-V
Н: структура металл-диэлектрик-металл
Н: структура металл-диэлектрик-полупроводник
Н: структура металл-полупроводник-металл
Н: структуры полупроводник-изолятор
Н: структуры полупроводник-изолятор-полупроводник
Н: структуры полупроводник-металл-полупроводник
А: слоистые полупроводники – физика
слоистые структуры полупроводников II-VI
В: слоистые структуры /полупроводников/
слоистые структуры полупроводников III-V
В: слоистые структуры /полупроводников/
собственная /фотопроводимость полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.29.15.15
В: фотопроводимость /полупроводников/
соотношения рассеяния носителей тока Видемана-Франца в полупроводниках
ББК В379.231.2
В: носители тока в полупроводниках
сопротивление и проводимость
УДК 537.311
С: проводимость
Н: закон Ома
Н: импеданс
Н: индуктивное сопротивление
Н: контактное сопротивление
Н: переходное сопротивление
Н: сопротивление и проводимость – действие внешних факторов
Н: сопротивление и проводимость полупроводниковых материалов
Н: сопротивление переменному току
Н: теория движения электронов в проводниках
Н: удельное сопротивление и проводимость
Н: электрический ток в проводниках – распределение
А: электропроводность
сопротивление и проводимость – действие внешних факторов
УДК 537.312
В: сопротивление и проводимость
Н: излучения - действие на проводимость
Н: магнитное поле - действие на проводимость
Н: механические напряжения - действие на проводимость
Н: температура - действие на проводимость
Н: электрический ток - действие на проводимость
сопротивление и проводимость полупроводниковых материалов
УДК 537.311.322
В: сопротивление и проводимость
сопротивление переменному току
УДК 537.311.6
В: сопротивление и проводимость
А: импеданс
А: индуктивное сопротивление
cпектральные диапазоны оптического излучения в полупроводниках
ББК В379.24-14
В: оптические свойства полупроводников – спектральные характеристики
Н: гамма- и рентгеновское излучение в полупроводниках
Н: ультрафиолетовое излучение в полупроводниках
Н: видимое оптическое излучения в полупроводниках
Н: инфракрасное излучения в полупроводниках
спектральные характеристики оптического излучения в полупроводниках
См: оптические свойства полупроводников – спектральные характеристики
спектральный анализ
См: спектроскопия
спектроскопические методы исследования полупроводников
%УДК 537.311.322.082.5
В: оптические методы исследования полупроводников
В: спектроскопия полупроводников
спектроскопия
ББК В344
УДК 543.42
С: спектральный анализ
Н: магниторезонансная спектроскопия
Н: спектроскопия полупроводников
Н: спектроскопия полуметаллов
Н: спектроскопия рентгеновского магнитного кругового дихроизма
Н: спектроскопия Фурье
Н: туннельная спектроскопия
Н: фотоэлектронная спектроскопия
спектроскопия полуметаллов
В: спектроскопия
спектроскопия полупроводников
PACS 78.40.Fy
ББК В379.247
С: спектры полупроводников
В: оптические свойства полупроводников
В: спектроскопия
Н: гиперкомбинационное рассеяние света в полупроводниках
Н: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников
Н: колебательные спектры полупроводников
Н: комбинационное рассеяние в полупроводниках
Н: лазерная спектроскопия полупроводников
Н: модуляционная спектроскопия полупроводников
Н: радиоспектроскопия полупроводников
Н: рентгеноспектроскопия полупроводников
Н: спектроскопические методы исследования полупроводников
Н: спектроскопия Фурье /полупроводников/
Н: термоактивационная спектроскопия полупроводников
Н: туннельная и фононная спектроскопия полупроводников
Н: электронная спектроскопия полупроводников
Н: явление Штарка в полупроводниках
спектроскопия рентгеновского магнитного кругового дихроизма
ВИНИТИ 291.19.36.23.31
В: спектроскопия
В: экспериментальные методы спинтроники
спектроскопия электронного спинового резонанса
УДК 543.429.22
В: магниторезонансная спектроскопия
В: электронный спиновый резонанс
спектроскопия Фурье = метод спектроскопии оптической, в котором получение спектров
происходит в 2 приёма: сначала регистрируется т. н. интерферограмма исследуемого излучения,
а затем путём её Фурье преобразования вычисляется спектр
С: Фурье-спектрометрия
В: спектроскопия
спектроскопия Фурье полупроводников
ББК В379.247
В: спектроскопия полупроводников
В: спектроскопия Фурье
спектры полупроводников
См: спектроскопия полупроводников
спектры электронного спинового резонанса
УДК 544.175
В: электронный спиновый резонанс
специальная геометрия тел /физические свойства и явления/
УДК 538.97
В: физика конденсированного состояния
сплавы
В: металлы, полуметаллы и сплавы
спин атомных ядер
УДК 539.143.42
В: ядерная физика
спин и моменты атомов
УДК 539.183.4
В: свойства атомов
спин – физика
УДК 539.121.4
В: физика элементарных частиц
спинволновой резонанс
ВИНИТИ 291.19.36.21.43
В: эффекты спинтроники
Н: параметрический резонанс спиновых волн в ферритах
спиновая и кулоновская блокада
ВИНИТИ 291.19.36.21.55
В: эффекты спинтроники
спиновая инжекция (аккумуляция)
ВИНИТИ 291.19.36.21.33
В: эффекты спинтроники
спиновые вентили
ВИНИТИ 291.19.36.19.21
В: структуры спинтроники
спиновые волны
ББК В371.134
УДК 537.6112
В: магнетизм – теория
спиновые диоды
ВИНИТИ 291.19.36.25.15
В: приборы спиновой электроники
спиновые запоминающие устройства
ВИНИТИ 291.19.36.25.21
В: приборы спиновой электроники
спиновые квантовые компьютеры
ВИНИТИ 291.19.36.25.23
В: приборы спиновой электроники
спиновые системы в полупроводниках
ББК В379.134
В: спинтроника
В: квантовая теория
спиновые транзисторы
ВИНИТИ 291.19.36.25.17
В: приборы спиновой электроники
спиновые фильтры
ВИНИТИ 291.19.36.25.19
В: приборы спиновой электроники
спиновый эффект Холла
ВИНИТИ 291.19.36.21.51
В: эффект Холла
В: эффекты спинтроники
спинполяризованный перенос в металлах
ВИНИТИ 291.19.36.21.25
В: эффекты спинтроники
спинполяризованный перенос в полупроводниках
См: перенос поляризованного спина в полупроводниках
спинтроника
ГРНТИ 29.19.36
ВИНИТИ 291.19.36
В: физика твёрдых тел
Н: материалы спинтроники
Н: приборы спиновой электроники
Н: спиновые системы в полупроводниках
Н: структуры спинтроники
Н: технология материалов спинтроники
Н: экспериментальные методы спинтроники
Н: эффекты спинтроники
старение полупроводниковых люминофоров
ББК В379.249
В: люминесценция полупроводников
статистико-термодинамические свойства аморфных полупроводников
ВИНИТИ 291.19.31.17.35
*УДК 536.9:621.315.59-026.764
В: аморфные полупроводники – физика
В: статистико-термодинамические свойства полупроводников
статистико-термодинамические свойства полупроводников
ВИНИТИ 291.19.31.17
*УДК 536.9:621.315.59
В: полупроводники
В: статистико-термодинамические свойства (электрические) твёрдых тел
Н: магнитные свойства электронов проводимости в полупроводниках
Н: примеси /влияние на статистические свойства полупроводников/
Н: размерные эффекты /в статистических свойствах полупроводников/
Н: статистико-термодинамические свойства аморфных полупроводников
Н: тепловые свойства полупроводников (электронные)
Н: тепловые шумы /в полупроводниках/
Н: электронные фазовые переходы /в полупроводниках/
А: статистическая теория полупроводников
статистико-термодинамические свойства (электрические) твёрдых тел
ВИНИТИ 291.19.23.17
*УДК [537:536.9]-026.76
В: электрические свойства твёрдых тел
Н: статистико-термодинамические свойства полупроводников
статистическая теория полупроводников
ББК В379.1
*УДК 536.9:621.315.59
В: теория полупроводников
А: статистико-термодинамические свойства полупроводников
статистические кинетические явления в аморфных полупроводниках
ВИНИТИ 291.19.31.21.43
В: аморфные полупроводники – физика
В: кинетические явления в полупроводниках
Н: гальваномагнитные явления в аморфных полупроводниках
Н: теплопроводность аморфных полупроводников
Н: термомагнитные эффекты в аморфных полупроводниках
Н: термоэлектрические эффекты в аморфных полупроводниках
Н: электропроводность аморфных полупроводников
статическое электричество
УДК 537.2
В: электричество
Н: распределение электричества
стеклообразные полупроводники – физика
ББК В379.212.4
В: структура полупроводников
А: аморфные полупроводники – физика
А: неупорядоченные полупроводники – физические свойства
стримерные разряды в полупроводниках
ББК В379.231.24
В: электронные явления в полупроводниках
строение материи
УДК 539
В: физика
Н: физика элементарных частиц
Н: ядерная физика
структура и морфология тонких плёнок
PACS 68.55.-a
В: поверхности и границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и
неэлектронные свойства)
Н: выращивание полупроводниковых плёнок
Н: структура и морфология тонких плёнок полупроводников
структура и морфология тонких плёнок полупроводников
PACS 68.55.ag
*УДК 538.975.2::621.315.59
В: структура и морфология тонких плёнок
структура металл-диэлект рик-полупроводник
С: МДП-структура
В: слоистые структуры /полупроводников/
Н: структура металл-оксид-полупроводник
структура металл-оксид-полупроводник = МДП-структура, в которой роль диэлектрика
играет слой оксида (обычно Si-SiO2-M)
ББК В379.212
*УДК 538.975.5:[546.3::546.216::621.315.59]
С: МОП-структура
В: структура металл-диэлектрик-полупроводник
структура металл-полупроводник-металл
ВИНИТИ 291.19.31.33.29
*УДК 538.975.5:[546.3::621.315.59::546.3]
В: слоистые структуры /полупроводников/
структура полупроводников
ББК В379.212
*УДК 538.91:621.315.59
В: структура твёрдых тел
В: физика полупроводников
Н: аморфные полупроводники – физика
Н: анизотропные полупроводники
Н: дефекты кристаллической решётки
Н: кристаллическая решётка полупроводников
Н: локальные состояния в полупроводниках
Н: многокомпонентные соединения – полупроводниковые свойства
Н: неоднородные системы /полупроводников/
Н: неупорядоченные полупроводники – физические свойства
Н: поверхностная структура полупроводников
Н: поверхностные явления в полупроводниках
Н: полупроводниковые сверхрешётки
Н: пористые слои полупроводников
Н: радиационные эффекты в полупроводниках
Н: стеклообразные полупроводники - физика
Н: твёрдые растворы полупроводников
Н: тонкие слои полупроводников - физика
Н: травление кристаллов полупроводников
Н: электронно-дырочные капли в полупроводниках
А: структурный анализ полупроводников
структура твёрдых и жидких тел
PACS 61
*ББК В371.2:В365.3
УДК 538.91
В: конденсированное вещество: структура, механические и тепловые свойства
Н: дефекты и примеси в кристаллах; микроструктура
Н: структура полупроводников III – V и II – VI
Н: структура твёрдых тел
Н: физические радиационные эффекты; радиационные повреждения
А: структуры вещества
структура твёрдых тел
ББК В371.2
ВИНИТИ 291.19.04
ГРНТИ 29.19.04
*УДК 538.91-026.763
В: структура твёрдых и жидких тел
В: структуры вещества
В: физика твёрдых тел
Н: структура полупроводников
структурные нарушения (радиационные) в полупроводниках
См: радиационные дефекты в полупроводниках
структурный анализ полупроводников = исследования кристаллической структуры и
дефектов полупроводников
ББК В379.212.1
*УДК 538.911:621.315.59:620.18
Н: нейтронные исследования полупроводников
Н: позитроны в структурном анализе
Н: протонография полупроводников
Н: рентгеновский анализ полупроводников и их поверхностных слоёв
Н: ультразвуковые методы структурного анализа полупроводников
Н: электронная микроскопия полупроводников
Н: электронограммы Кикучи в электронографии полупроводников
Н: эффект Мёссбауэра в исследовании полупроводников
А: структура полупроводников
структуры вещества
УДК 538.91
В: физика конденсированного состояния
Н: динамика и статика структур
Н: квазирешёточные структуры
Н: кристаллические структуры
Н: полупроводниковые структуры
Н: структура твёрдых тел
Н: электронные состояния
Н: электронные структуры
структуры полупроводник-изолятор
PACS 73.40.Qv
*УДК 538.975.5:[621.315.59::621.315.61]
В: слоистые структуры /полупроводников/
структуры полупроводник-изолятор-полупроводник
PACS 73.40.Ty
*УДК 538.975.5:[621.315.59::621.315.61::621.315.59]
В: слоистые структуры /полупроводников/
структуры полупроводник-металл-полупроводник
PACS 73.40.Vz
*УДК 538.975.5:[621.315.59::546.3::621.315.59]
В: слоистые структуры /полупроводников/
структуры спинтроники
ВИНИТИ 291.19.36.19
В: спинтроника
Н: многослойные структуры спинтроники
Н: обменно-смешанные структуры спинтроники
Н: магнитные сверхрешётки
Н: спиновые вентили
Н: наностолбики
Н: наносужения
Н: магнитные туннельные переходы
Н: переходы ферромагнетик-сверхпроводник
сублимат-фосфоры полупроводниковые
ББК В379.249
В: люминесценция полупроводников
сурьма
*ББК Г125.32:К232.9
УДК 546.86
В: полуметаллы
А: сурьма и её соединения – полупроводниковые свойства
сурьма и её соединения – полупроводниковые свойства
*ББК Г125.322/325-2:В379.2:К232.9
*УДК 546.86:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: сурьма
Т т – 76 статей.
таллий
*ББК Г123.33:К235.25
УДК 546.683
А: таллий и его соединения – полупроводниковые свойства
таллий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2: Г123.33-2
*УДК 546.683:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: таллий
твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия излучений и частиц с
конденсированными телами
В: оптические свойства, твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия
излучений и частиц с конденсированными телами
Н: инфракрасные и рамановские спектры
Н: поглощательные и отражательные спектры, видимого и ультрафиолетового
излучения
твердотельные детекторы
PACS 29.40.Wk
В: ядерная физика
твердотельные переходы в полупроводниках
PACS 64.70.kg
твердые поверхности полупроводников
PACS 68.47.Fg
С: поверхности твёрдых полупроводников
Н: поверхности и границы раздела твёрдых полупроводникоВ: структура и
энергетика
твёрдые растворы полупроводников = Однородные кристаллические вещества, в которых
атомы разных сортов хаотически распределены по узлам правильной кристаллической рещётки
ББК В379.212.3
В: структура полупроводников
Н: твёрдые эвтектические сплавы – полупроводниковые свойства
твёрдые эвтектические сплавы – полупроводниковые свойства
ББК В379.212.3
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: твёрдые растворы полупроводников
твёрдый гелий
*ББК Г120.2:В371.2
УДК 538.941
В: квантовые жидкости и тела
А: жидкий гелий
теллур
*ББК Г126.23:Л245
УДК 546.24
В: полуметаллы
А: теллур и его соединения – полупроводниковые свойства
теллур и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г126.23-2
*УДК 546.24:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: теллур
температура – действие на проводимость
УДК537.312.6
В: сопротивление и проводимость – действие внешних факторов
Н: агрегатное состояние – действие на проводимость
температурные напряжения в полупроводниках
ББК В379.253
В: тепловое расширение полупроводников
теоретические проблемы полупроводников
См: теория полупроводников
теория диэлектриков
*УДК 537.226.01:621.315.61-027.21
В: теория полупроводников и диэлектриков
теория конденсированного состояния
ВИНИТИ 291.19.03
ГРНТИ 29.19.03
*УДК 538.9.01
В: физика твёрдых тел
Н: теория полупроводников и диэлектриков
теория магнитных свойств твёрдых тел
*ББК В334.2:В373.3
ВИНИТИ 291.19.37
ГРНТИ 29.19.37
*УДК 537.6.01:538.955-027.21
В: магнитные свойства твёрдых тел
В: магнетизм – теория
А: магнитные свойства твёрдых тел
теория полупроводников
*УДК 621.315.59-027.21
%УДК 537.311.322.01
С: теоретические проблемы полупроводников
В: теория полупроводников и диэлектриков
Н: горячие электроны /в полупроводниках/
Н: дефекты в полупроводниках
Н: диффузионные явления в полупроводниках
Н: дырки в полупроводниках – теория
Н: зонная теория твёрдых тел
Н: квантовая теория (полупроводников)
Н: легирование полупроводников – теория
Н: плазма носителей заряда
Н: полупроводниковые гетероструктуры – теория
Н: статистическая теория полупроводников
Н: феноменологическая теория полупроводников
Н: электронная теория полупроводников
А: теоретические проблемы полупроводников
теория полупроводников и диэлектриков
ББК В379.1
*УДК 621.315.61/.592-027.21
В: теория конденсированного состояния
В: физика полупроводников и диэлектриков
Н: квантовая теория полупроводников и диэлектриков
теория псевдопотенциала полупроводников
ББК В379.12
В: электронная теория полупроводников
теория фазовых переходов для электрических свойств твёрдых тел
ВИНИТИ 291.19.23.21
В: теория электрических свойств твёрдых тел
теория электрических свойств твёрдых тел
ВИНИТИ 291.19.23
ГРНТИ 20.19.23
*УДК 537-027.21-026.76
В: электрические свойства твёрдых тел
тепловое действие электрического тока
УДК 537.321
В: термоэлектричество
Н: закон Джоуля-Ленца
тепловое расширение полупроводников
ББК В379.253
*УДК 536.41:621.315.59
В: тепловые свойства полупроводников
В: термодинамика полупроводников
Н: температурные напряжения в полупроводниках
тепловые волны
В: неэлектронная теплопроводность и распространение тепловых ударов в
твёрдых телах
В: тепловые явления в конденсированном веществе
Н: тепловые удары
тепловые свойства полупроводников
ББК В379.25
*УДК 536.2/.4:621.315.59
В: тепловые свойства твёрдых тел
В: термодинамика полупроводников
Н: тепловое расширение полупроводников
Н: тепловые свойства полупроводников (электронные)
тепловые свойства полупроводников (электронные)
ВИНИТИ 291.19.31.17.15
В: статистико-термодинамические свойства полупроводников
тепловые свойства твёрдых тел
ВИНИТИ 291.19.09
ГРНТИ 29.19.09
*УДК 536.2/.4:538.9-026.76
В: тепловые явления в конденсированном веществе
В: физика твёрдых тел
Н: тепловые свойства полупроводников
Н: тепловые шумы /в полупроводниках/
тепловые удары
В: неэлектронная теплопроводность и распространение тепловых ударов в
твёрдых телах
В: тепловые волны
В: тепловые явления в конденсированном веществе
тепловые шумы /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.17.19
В: статистико-термодинамические свойства полупроводников
тепловые явления в конденсированном веществе
УДК 538.953
В: свойства и явления в конденсированном веществе
Н: тепловые свойства твёрдых тел
теплоёмкость полупроводников
ББК В379.252
*УДК 536.63:621.315.59
В: термодинамика полупроводников
теплопроводность /аморфных полупроводников/
*ББК В379.255:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.21.43.19
*УДК 536.21:621.315.59-026.764
В: теплопроводность полупроводников
В: статистические кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: термомагнитные эффекты /в аморфных полупроводниках/
Н: термоэлектрические эффекты /в аморфных полупроводниках/
теплопроводность полупроводников
ББК В379.255
ВИНИТИ 291.19.31.21.19
*УДК 536.21:621.315.59
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: термодинамика полупроводников
Н: неэлектронная теплопроводность полупроводников
Н: теплопроводность /аморфных полупроводников/
термические дефекты в полупроводниках
ББК В379.212.2
*УДК 536.49:544.022.3:548.4:621.315.59
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
термическое высвечивание в полупроводниках
ББК В379.249
В: люминесценция полупроводников
термоактивационная спектроскопия полупроводников
ББК В379.247
В: спектроскопия полупроводников
В: термостимулированные фотоэффекты /в полупроводниках/
термодинамические свойства ферритов
ББК В379.233.6; В379.233.4
*УДК 536:537.622.4:666.653
В: ферромагнетизм полупроводников
термодинамика полупроводников
ББК В379.25
*УДК 536:621.315.59
Н: диффузия и самодиффузия в полупроводниках
Н: кинетические явления в полупроводниках.
Н: температурные напряжения в полупроводниках
Н: тепловое расширение полупроводников
Н: тепловые свойства полупроводников
Н: теплоемкость полупроводников
Н: теплопроводность полупроводников
Н: фазовые превращения
Н: фазовые равновесия
термолюминесценция /полупроводников/ = люминесценция, возникающая при нагревании
вещества, предварительно возбуждённого светом или жёстким излучением
ВИНИТИ 291.19.31.30.25
УДК 535.377
В: термооптические свойства полупроводников
В: люминесценция /полупроводников/
термомагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
ВИНИТИ 291.19.31.46.17
*УДК 537.638:621.315.59-026.764
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
В: термомагнитные эффекты /в полупроводниках/
термомагнитные эффекты /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.21.25
*УДК 537.638:621.315.59
В: кинетические явления /в полупроводниках/
Н: термомагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
Н: термомагнитные эффекты /в аморфных полупроводниках/
термомагнитные эффекты /в аморфных полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.21.43.25
*УДК 537.638:621.315.59-026.764
В: статистические кинетические явления в аморфных полупроводниках
В: термомагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
термооптические свойства полупроводников
ББК В379.24…
В: оптические свойства полупроводников
Н: термолюминесценция /полупроводников/
А: термостимулированные фотоэффекты /в полупроводниках/
термостимулированные фотоэффекты /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.29.27
В: фотоэлектрические и рекомбинационные эффекты в полупроводниках
Н: термоактивационная спектроскопия полупроводников
А: термооптические свойства полупроводников
термоэлектрически постоянные материалы
УДК 537.323
В: термоэлектричество
термоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
ВИНИТИ 291.19.31.46.17
*УДК 537.322:621.315.59-026.764
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
Н: термоэлектрические эффекты /в аморфных полупроводниках/
термоэлектрические эффекты
УДК 537.322
В: термоэлектричество
Н: термоэлектрические явления в полупроводниках
Н: эффект Бенедикта
Н: эффект Бриджмена
Н: эффект Зеебека
Н: эффект Пельтье
Н: эффект Томсона
термоэлектрические эффекты /в аморфных полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.21.43.23
*УДК 537.322:621.315.59-026.764
В: статические кинетические явления в аморфных полупроводниках
В: термоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
термоэлектрические эффекты /в полупроводниках/
См: термоэлектрические явления в полупроводниках
термоэлектрические явления в полупроводниках
ББК В379.231.51
ВИНИТИ 291.19.31.21.23
*УДК 537.322:621.315.59
С: термоэлектрические эффекты /в полупроводниках/
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: термоэлектрические эффекты
В: физика полупроводников
термоэлектричество
УДК 537.32
В: электричество
Н: тепловое действие электрического тока
Н: термоэлектрически постоянные материалы
Н: термоэлектрические эффекты
Н: термоэлектрические явления в полупроводниках
термоэлектронная эмиссия /полупроводников/ = испускание электронов нагретыми
телами (твёрдыми, реже - жидкостями) в вакуум или в различные среды
ББК В379.231.3
ВИНИТИ 291.19.31.37.21
*УДК 537.533.2:537.58:621.315.59
С: эффект Ричардсона
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводнимков/
В: электронная эмиссия /полупроводников/
технология материалов спинтроники
ВИНИТИ 291.19.36.17
В: спинтроника
тонкие плёнки аморфных полупроводников
PACS 73.61.Jc
*ББК В379.212.4:212.6
*УДК 538.975.2:621.315.59-026.764
В: структура полупроводников
В: тонкие плёнки полупроводников
тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства)
В: поверхности и границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и
неэлектронные свойства)
Н: наносистемы (структура и неэлектронные свойства)
тонкие плёнки и слоистые структуры полупроводников II-VI
Н: оптические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников IIVI
Н: слоистые структуры полупроводников II-VI
Н: тонкие плёнки полупроводников II-VI
Н: электрические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников
II-VI
тонкие плёнки и слоистые структуры полупроводников III-V
Н: оптические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников IIIV
Н: слоистые структуры полупроводников III-V
Н: тонкие плёнки полупроводников III-V
Н: электрические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников
III-V
тонкие плёнки полупроводников
УДК 538.975.2/.3
В: плёнки полупроводников
Н: оптические свойства тонких полупроводниковых плёнок
Н: процессы переноса в тонких полупроводниковых плёнках
Н: тонкие плёнки аморфных полупроводников
Н: тонкие плёнки полупроводников II-VI
Н: тонкие плёнки полупроводников III-V
Н: тонкие плёнки элементарных полупроводников
А: тонкие слои полупроводников – физика
тонкие плёнки полупроводников II-VI
В: тонкие плёнки и слоистые структуры полупроводников
В: тонкие плёнки полупроводников
тонкие плёнки полупроводников III-V
В: тонкие плёнки и слоистые структуры полупроводников
В: тонкие плёнки полупроводников
тонкие плёнки элементарных полупроводников
В: тонкие плёнки полупроводников
В: элементарные полупроводники
Н: оптические свойства тонких плёнок элементарных полупроводников
Н: фотоэмиссия и фотоэлектронные спектры тонких плёнок элементарных
полупроводников
Н: электропроводность тонких плёнок элементарных полупроводников
тонкие слои полупроводников – физика
ББК В379.212.6
УДК 538.975.5
В: структура полупроводников
Н: размерный эффект в полупроводниковых плёнках
А: тонкие плёнки полупроводников
точечные дефекты /в полупроводниках/ = дефекты кристаллической решётки, масштабы
которых по трём измерениям сравнимы с межатомными расстояниями
ББК В379.212.2
*УДК 539.219.1:544.022.341:548.4:621.315.59
С: нульмерные дефекты
В: дефекты /в полупроводниках
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
Н: вакансии /в структуре полупроводника/
Н: дислоцированные атомы /в полупроводнике/
травление кристаллов полупроводников = растворение и последующее удаление части
материала с поверхности полупроводника в технологических целях (изменения формы, очистки и
т.д.)
ББК В379.212
В: структура полупроводников
туннельная и фононная спектроскопия /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.39
В: полупроводники
туннельная микроскопия /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.39
В: микроскопия
В: полупроводники
туннельная спектроскопия
В: спектроскопия
Н: туннельная спектроскопия в спинтронике
Н: туннельная спектроскопия полупроводников
туннельная спектроскопия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.25
В: экспериментальные методы спинтроники
туннельная спектроскопия полупроводников
ВИНИТИ 291.19.31.39
В: полупроводники
В: спектроскопия полупроводников
туннельная эмиссия
См: автоэлектронная эмиссия
туннельное магнитосопротивление
ВИНИТИ 291.19.36.21.19
В: магнитосопротивление
В: эффекты спинтроники
туннельные контакты /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.33.27
В: контакты /полупроводников/
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
туннельный эффект = Квантовый переход частицы (системы частиц) между состояниями,
которые разделены потенциальным барьером и не могут быть связаны к.-л. траекторией
классического движения частицы (системы частиц).
Н: резонансное туннелирование в магнитных структурах
Н: туннельный эффект в полупроводниках
туннельный эффект в полупроводниках
ББК В379.231.25
В: электронные явления в полупроводниках
тушение люминесценции полупроводников
*ББК В343.8:В379.24
В: люминесценция полупроводников
У у – 23 статьи
увлечение /кинетические эффекты в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.21.39
В: кинетические явления в полупроводниках
увлечение свободных носителей тока фотонами в полупроводниках.
ББК В379.231.4
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
ударная ионизация /в полупроводниках/ = образование ионов из нейтральных частиц в процессах
столкновений
ББК В379.231.3
В: ионизация полупроводников
ударная рекомбинация
См: Оже-рекомбинация
удельное сопротивление и проводимость = физическая величина, равная электрическому
сопротивлению (проводимости) цилиндрического образца материала единичной длины и
единичной площади поперечного сечения
УДК 537.311.3
В: сопротивление и проводимость
Н: удельное сопротивление и проводимость в вакууме
Н: удельное сопротивление и проводимость газов
Н: удельное сопротивление и проводимость диэлектриков
Н: удельное сопротивление и проводимость неэлекролитических жидкостей
Н: удельное сопротивление и проводимость проводников
удельное сопротивление и проводимость в вакууме
УДК 537.311.33
В: удельное сопротивление и проводимость
удельное сопротивление и проводимость газов
УДК 537.311.37
В: удельное сопротивление и проводимость
удельное сопротивление и проводимость диэлектриков
УДК 537.311.32
В: удельное сопротивление и проводимость
Н: удельное сопротивление и проводимость изоляционных материалов
Н: удельное сопротивление и проводимость полупроводниковых материалов
удельное сопротивление и проводимость изоляционных материалов
УДК 537.311.324
В: удельное сопротивление и проводимость диэлектриков
удельное сопротивление и проводимость неэлекролитических жидкостей
УДК 537.311.35
В: удельное сопротивление и проводимость
удельное сопротивление и проводимость полупроводниковых материалов
УДК 537.311.322
В: удельное сопротивление и проводимость диэлектриков
удельное сопротивление и проводимость проводников
УДК 537.311.31
В: удельное сопротивление и проводимость
узкозонные полупроводники
%УДК 537.311.322.01NG
В: теория полупроводников
узкощелевые полупроводники - физика = полупроводники с малой шириной запрещённой зоны
ББК 379.2
В: физика полупроводников
ультразвуковые методы структурного анализа полупроводников
ББК В379.212.18
В: структурный анализ полупроводников
ультрафиолетовое излучение - действие на проводимость = УФ-излучение,
электромагнитное излучение, занимающее спектральную область между видимым и
рентгеновским излучениями в пределах длин волн 400—10 нм.(БСЭ)
УДК 537.312.53
В: излучения – действие на проводимость
ультрафиолетовые спектры полуметаллов
PACS 78.40.Kc
В: видимые и ультрафиолетовые спектры полуметаллов
уравнения состояния, фазовые равновесия и фазовые переходы
PACS 64
УДК 536.76
В: конденсированное вещество: структура, механические и тепловые свойства
Н: фазовые равновесия и фазовые переходы
уровни Ландау в полупроводниках
ББК В379.237.2
В: магнитные свойства полупроводников
усиление акустических волн /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.35.15.15
В: усиление колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
усиление колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.35.15
В: неустойчивости /в полпроводниках/
Н: усиление акустических волн
Н: усиление электромагнитных волн
усиление свечения путём стимулирования /в полупроводниках/
*УДК 535.374:621.315.59
В: усиление электромагнитных волн
усиление электромагнитных волн /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.35.15.17
В: усиление колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
Н: усиление свечения путём стимулирования
Ф ф – 85 статей
фазовые переходы = фазовое превращение, в широком смысле – переход вещества из одной фазы в
другую при изменении внешних условий – температуры, давления, магнитного и электрического
полей и т.д.; в узком смысле – скачкообразное изменение физических свойств при непрерывном
изменении внешних параметров
PACS 64.70.-р
ВИНИТИ 291.19.15
ГРНТИ 29.19.15
УДК 536.42
С: фазовые превращения
В: фазовые равновесия и фазовые переходы
Н: фазовые превращения в полупроводниках
А: фазовые равновесия
фазовые переходы в полупроводниках
См: фазовые превращения в полупроводниках
фазовые превращения
См: фазовые переходы
фазовые превращения в полупроводниках
PACS 61.82.Fk
ББК В379.251
*УДК 536.42:621.315.59
С: фазовые переходы в полупроводниках
В: термодинамика полупроводников
В: фазовые переходы
В: фазовые равновесия и превращения в полупроводниках
фазовые равновесия
PACS 64.75.-g
В: фазовые равновесия и фазовые переходы
Н: разделение фаз в полупроводниках
А: фазовые переходы
фазовые равновесия и фазовые переходы
ВИНИТИ 291.19.15
ГРНТИ 29.19.15
УДК 536.42
В: физика твёрдых тел
Н: фазовые переходы
Н: фазовые равновесия и превращения в полупроводниках
фазовые равновесия и превращения в полупроводниках
ББК В379.251
*УДК 536.42:621.315.59
В: термодинамика полупроводников
В: фазовые равновесия и фазовые переходы
Н: фазовые превращения в полупроводниках
феноменологическая теория полупроводников
ББК В379.1
В: теория полупроводников
ферримагнетизм /полупроводников/
ББК В379.233.6
*УДК 537.611.46:621.315.59
В: магнитные свойства полупроводников
В: ферримагнетизм – теория
В: ферримагнетики
Н: магнитный резонанс в полупроводниках
Н: ортохромиты – физика
Н: ферромагнетизм полупроводников
ферримагнетизм – теория = магнитное состояние вещества, при котором элементарные
магнитные моменты, ионов, входящих в состав вещества (ферримагнетика), образуют две
или большее число подсистем – магнитных подрешёток. Каждая из подрешёток содержит ионы
одного сорта с одинаково ориентированными магнитными моментами. Магнитные моменты
ионов разных подрешёток направлены навстречу друг другу или, в более общем случае, образуют
сложную пространственную конфигурацию
УДК 537.611.46
В: магнетизм – теория
Н: ферримагнетизм полупроводников
ферримагнетики
ВИНИТИ 291.19.41
ГРНТИ 29.19.41
УДК 537.622.6
С: ферримагнитные материалы
В: магнитные материалы
В: магнитные свойства материалов
В: магнитные свойства твёрдых тел
Н: ферримагнетизм полупроводников
ферримагнитные материалы
См: ферримагнетики
ферримагнитный резонанс
УДК 537.635:537.611.46
В: магнитные резонансы
феррит-гранаты – физика
См: феррогранаты – физика
ферриты /полупроводники/ – физика = ферромагнитная керамика
ББК В379.233.4
*УДК 537.622.4:666.653
В: ферромагнетики
Н: ортоферриты – физика
Н: перовскиты-ферриты
Н: порошки ферритовые – физические свойства
Н: феррогранаты – физика
Н: эффект Баркгаузена в ферритах
Н: эффект Гольдгаммера-Томсона в ферритах
Н: эффект Керра в ферритах /полупроводниках/
Н: эффект Яна-Теллера в ферритах /полупроводниках/
Н: явление Фарадея в ферритах /полупроводниках/
Н: явление Холла в ферритах /полупроводниках/
феррогранаты – физика /полупроводники/
ББК В379.233.4
С: феррит-гранаты – физика
В: ферриты
ферромагнетизм = магнитоупорядоченное состояние макроскопических объемов вещества, в
котором магнитные моменты атомов параллельны и одинаково ориентированы
УДК 537.611.44
Н: слабый ферромагнетизм
Н: ферромагнетизм полупроводников
Н: ферромагнетизм – теория
Н: ферромагнитные домены
А: ферромагнетики
ферромагнетизм полупроводников
ББК В379.233.4
*УДК 537.611.44:621.315.59
В: ферримагнетизм полупроводников
В: ферромагнетизм
Н: магнитные свойства структуры феррит-металл-диэлектрик
Н: магнитооптические явления в ферритах
Н: параметрический резонанс спиновых волн в ферритах
Н: радиационный эффект в ферритах
Н: термодинамические свойства ферритов
Н: ферромагнитные полупроводники
Н: ферромагнитный резонанс в ферритах
Н: электрическое старение ферритов
Н: электрооптические явления в ферритах
Н: эффект Баркгаузена в ферритах
Н: эффект Гольдгаммера-Томсона в ферритах
Н: эффект Керра в ферритах
Н: эффект Яна-Теллера в ферритах
А: ферромагнитные полупроводники
ферромагнетизм – теория
УДК 537.611.44-027.21
В: магнетизм – теория
В: ферромагнетизм
ферромагнетики
ВИНИТИ 291.19.39
ГРНТИ 29.19.39
УДК 537.622.4
С: ферромагнитные материалы
В: магнитные материалы
В: магнитные свойства материалов
В: магнитные свойства твёрдых тел
Н: ферриты
Н: ферромагнитные полупроводники
ферромагнитные домены = области самопроизвольной намагниченности, намагниченные до
насыщения части объёма ферромагнетика
В: домены
В: ферромагнетизм
ферромагнитные материалы
См: ферромагнетики
ферромагнитные полупроводники
ББК В379.233.4
*УДК 537.622.4:621.315.59
В: полупроводник
В: ферримагнетизм полупроводников
В: ферромагнетики
А: ферромагнетизм полупроводников
ферромагнитный резонанс
УДК 537.635:537.611.44
В: магнитные резонансы
физика
PACS ????
ББК В3
ВИНИТИ 291
ГРНТИ 29
УДК 53
Н: квантовая теория
Н: оптика
Н: строение материи
Н: физика конденсированного состояния
Н: электромагнетизм
физика диэлектриков
ББК В379.3
ВИНИТИ 291.19.33
ГРНТИ 29.19.33
*УДК 538.956
В: физика полупроводников и диэлектриков
А: диэлектрики
А: диэлектрические свойства конденсированного вещества
физика конденсированного состояния
УДК 538.9
В: физика
Н: квантовые жидкости и тела
Н: свойства и явления в конденсированном веществе
Н: специальная геометрия тел
Н: структуры вещества
Н: физика твёрдых тел
Н: частицы и излучение - взаимодействие с конденсированным веществом
Н: явления переноса в конденсированном веществе
физика наноструктур
ВИНИТИ 291.19.22
ГРНТИ 29.19.22
*УДК 538.9-022.532
В:физика твёрдых тел
А: мезоскопические структуры
А: низкоразмерные структуры
физика полупроводников
ББК В379.2
ВИНИТИ 291.19.31
ГРНТИ 29.19.31
*УДК 538.9:621.315.59
%УДК 537.311.322
В: физика полупроводников и диэлектриков
Н: бесщелевые полупроводники /физика/
Н: варизонные полупроводники – физика
Н: гомеополярные полупроводники – физика
Н: диэлектрические свойства полупроводников
Н: магнитный резонанс в полупроводниках
Н: механические свойства полупроводников
Н: оптические свойства полупроводников
Н: полупроводниковые гетероструктуры
Н: полупроводниковые свойства твёрдых тел
Н: полярные полупроводники - физика
Н: пьезополупроводники
Н: сегнетополупроводники
Н: структура полупроводников
Н: слоистые полупроводники – физика
Н: теоретия полупроводников
Н: термоэлектрические явления в полупроводниках
Н: узкозонные полупроводники
Н: узкощелевые полупроводники – физика
Н: физические свойства полупроводников
Н: широкозонные полупроводники – физика
Н: электрические и магнитные свойства полупроводников
А: полупроводники
физика полупроводников и диэлектриков
ББК В379
*УДК 538.9:621.315.59/621.315.61
В: физика твёрдых тел
Н: теория полупроводников и диэлектриков
Н: физика диэлектриков
Н: физика полупроводников
А: полупроводниковые и диэлектрические свойства твёрдых тел
физика твёрдых тел
ББК В37
ВИНИТИ 291.19
ГРНТИ 29.19
*УДК 538.9-026.76
В: физика конденсированного состояния
Н: взаимодействие проникающего излучения с твёрдыми телами
Н: влияние облучения на свойства твёрдых тел
Н: дефекты кристаллической структуры
Н: диффузия и ионный перенос в твёрдых телах
Н: домены
Н: колебания кристаллическх решёток
Н: кристаллическая структура и динамика решётки
Н: магнитные свойства твёрдых тел
Н: методы исследования кристаллической структуры и динамики решётки
Н: механические свойства твёрдых тел
Н: низкоразмерные структуры
Н: поверхности и границы раздела
Н: структура твёрдых тел
Н: теория конденсированного состояния
Н: теория электрических свойств твёрдых тел
Н: тепловые свойства твёрдых тел
Н: фазовые равновесия и фазовые переходы
Н: физика наноструктур
Н: физика полупроводников и диэлектриков
Н: физика тонких плёнок
Н: химическая связь и кристаллические поля
Н: электрические свойства твёрдых тел
Н: ядерный магнетизм
физика тонких плёнок
ББК В371.26
ВИНИТИ 291.19.16
ГРНТИ 29.19.16
УДК 538.975.2/.3
В: физика твёрдых тел
Н: физика тонких плёнок, нитевидных кристаллов и дендритов
физика тонких плёнок, нитевидных кристаллов и дендритов
УДК 538.975
В: специальная геометрия тел
Н: физика тонких плёнок
физика элементарных частиц
ББК В38
ВИНИТИ 291.05
ГРНТИ 29.05
УДК 539.12
В: строение материи
Н: экспериментальные методы и инструменты для физики элементарных частиц и
ядерной физики
физическая акустика
ББК В326
УДК 534.2
В: акустика
Н: акустические явления в конденсированном веществе
физические радиационные эффекты; радиационные повреждения
PACS 61.82.-x
В: структура твёрдых и жидких тел
Н: физические радиационные эффекты; радиационные повреждения в
полупроводниках
физические радиационные эффекты; радиационные повреждения в полупроводниках
PACS 61.82.Fk
В: физические радиационные эффекты; радиационные повреждения
физические свойства полупроводников = эффекты, связанные прежде всего с устройством
зонной структуры и наличием достаточно узкой запрещённой зоны
*УДК 538.91:621.315.59-02
%УДК 537.311.322.04
С: физические эффекты в полупроводниках
В: физика полупроводников
Н: взаимодействие полупроводников с частицами и излучением
Н: зависимость физических свойств полупроводников от размеров
Н: магнитные свойства полупроводников
Н: оптические свойства полупроводников
Н: радиационные эффекты в полупроводниках
физические эффекты в полупроводниках
См: физические свойства полупроводников
флуктуоны /в полупроводниках/ = В неупорядоченных сплавах вокруг электрона образуется
флуктуация концентрации одной из компонент сплава, которая создает для электрона
потенциальную яму и, захватив его, тем самым может сделать флуктуацию устойчивой.
Такие устойчивые образования и являются флуктуонами
ВИНИТИ 291.19.31.15.23
В: поляроны, флуктуоны и др. /квазичастицы в полупроводниках/
фононный спектр /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.15.17
В: фононы в полупроводниках
В: энергетический спектр полупроводников
Н: поверхностные фононы /в полупроводниках/
фононы = квазичастицы, кванты колебательного движения атомов кристалла
В: квазичастицы
Н: акустические фононы
Н: оптические фононы
Н: фононы в полупроводниках
фононы в полупроводниках
ББК В379.133.1
В: колебания атомов в кристаллической решетке полупроводников
В: фононы
Н: фононный спектр /полупроводников/
фотоакустические эффекты /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.27.21.15
В: нелинейные электро- и магнито-акустические эффекты /в полупроводниках/
фотовольтаический эффект в гетеропереходах в полупроводниках
ББК В379.231.21
В: гетеропереходы в полупроводниках
В: фотовольтаический эффект в полупроводниках
фотовольтаический эффект в контакте металл–полупроводник
ББК В379.231.5
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
В: фотовольтаический эффект в полупроводниках
фотовольтаический эффект в полупроводниках.
ББК В379.231.4
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
Н: фотовольтаический эффект в гетеропереходах в полупроводниках
Н: фотовольтаический эффект в контакте металл–полупроводник
фотогальванические явления в полупроводниках
ББК В379.231.4
*УДК 535.215.6:621.315.59
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
фотодиэлектрический эффект в полупроводниках.
ББК В379.231.4
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
фотоионизация в полупроводниках
ББК В379.231.41
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
фотолюминесценция /полупроводников/
*ББК В343.81:В379.2
ВИНИТИ 291.19.31.30.15
PACS 78.55.–m
В: люминесценция /полупроводников/
Н: фотолюминесценция полупроводников II-VI
Н: фотолюминесценция полупроводников III-V
Н: фотолюминесценция элементарных полупроводников
фотолюминесценция полупроводников II-VI
PACS 78.55.Cr
В: фотолюминесценция /полупроводников/
В: полупроводники II-VI
фотолюминесценция полупроводников III-V
PACS 78.55.Et
В: фотолюминесценция /полупроводников/
В: полупроводники III-V
фотолюминесценция; свойства и материалы
PACS 78.55.-m
Н: фотолюминесценция /полупроводников/
В: оптические свойства, твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия
излучений и частиц с конденсированными телами
фотолюминесценция элементарных полупроводников
PACS 78.55.Ap
В: фотолюминесценция /полупроводников/
В: элементарные полупроводники
фотомагнитные эффекты /в полупроводниках/
ББК В379.23
ВИНИТИ 291.19.31.29.19
В: фотоэлектрические и рекомбинационные явления /в полупроводниках/
В: электрические и магнитные свойства полупроводников
Н: фотонамагничивание магнитных полупроводников
фотонамагничивание магнитных полупроводников
ББК В379.233
В: магнитные свойства полупроводников
В: фотомагнитные эффекты /в полупроводниках/
фотополяризация /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.29.21
В: фотоэлектрические и рекомбинационные явления /в полупроводниках/
Н: оптическая ориентация спинов
фотопроводимость = Увеличение электропроводности вещества под действием
электромагнитного излучения
УДК 537.312.5
С: внутренний фотоэффект
В: фотоэлектрические явления
Н: фотопроводимость полупроводников
фотопроводимость полупроводников
ББК В379.231.42
ВИНИТИ 291.19.31.29.15
*УДК 537.312.5:621.315.59
В: действие излучений на проводимость и сопротивление
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
Н: гашение фотопроводимости /полупроводников/
Н: собственная фотопроводимость /полупроводников/
Н: фотопроводимость неоднородных систем /полупроводников/
А: фотополупроводники
фотопроводимость неоднородных систем /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.29.15.21
В: фотопроводимость /полупроводников/
фотополупроводники
ББК В379.231.42
*УДК 537.312.5:621.315.59
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
А: фотопроводимость полупроводников
фотоструктурные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
ВИНИТИ 291.19.31.47.19
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
фото-э.д.с. /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.29.17
*УДК 535.215.3:621.315.59
В: фотоэлектрические и рекомбинационные явления /в полупроводниках/
Н: фото-э.д.с. в неоднородных системах /полупроводников/
А: фотоэлектрический потенциал
фото-э.д.с. в неоднородных системах /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.29.17.15
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
В: фото-э.д.с. /в полупроводниках/
фотоэлектреты полупроводниковые
ББК В379.231.7
В: электреты полупроводниковые
фотоэлектрические и рекомбинационные явления /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.29
В: полупроводники
Н: фотопроводимость /полупроводников/
Н: фотоэлектрические явления в полупроводниках
Н: фото-э.д.с. /в полупроводниках/
Н: фотомагнитные эффекты /в полупроводниках/
Н: фотополяризация /полупроводников/
Н: рекомбинация /в полупроводниках/
Н: термостимулированные /фото/эффекты
Н: плёнки /фотоэлектрические и рекомбинационные явления в полупроводниках/
Н: фотоэлектрические явления в аморфных полупроводниках
фотоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
ВИНИТИ 291.19.31.47.19
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
А: фотоэлектрические явления в аморфных полупроводниках
фотоэлектрические явления
УДК 535.215
С: фотоэлектрический эффект
С: электрические действия светового излучения
Н: фотопроводимость
Н: фотоэлектрические явления в полупроводниках
Н: фотоэлектрический потенциал
Н: фотоэлектронная эмиссия
фотоэлектрические явления в аморфных полупроводниках
ВИНИТИ 291.19.31.29.33
*УДК 535.215:621.315.59-026.764
В: аморфные полупроводники – физика
В: фотоэлектрические и рекомбинационные явления /в полупроводниках/
А: фотоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические
полупроводники/
фотоэлектрические явления в полупроводниках
ББК В379.231.4
*УДК 535.215:621.315.59
С: фотоэффект /в полупроводниках/
В: фотоэлектрические и рекомбинационные явления /в полупроводниках/
В: фотоэлектрические явления
В: электрические свойства полупроводников
Н: лазерное излучение – исследование фотоэлектрических явлений в
полупроводниках.
Н: увлечение свободных носителей тока фотонами в полупроводниках.
Н: фотовольтаический эффект в полупроводниках.
Н: фотогальванические явления в полупроводниках.
Н: фотодиэлектрический эффект в полупроводниках.
Н: фотоэлектрические явления в полупроводниках – исследование лазерным
излучением.
Н: фотоэлектрические явления в полупроводниках – конденсаторные
исследования.
Н: электрофотографические свойства полупроводников
Н: фотоионизация в полупроводниках
Н: фотоэлектронная эмиссия полупроводников (внешний фотоэффект)
Н: фотополупроводники
Н: фотопроводимость полупроводников (внутренний фотоэффект)
фотоэлектрические явления в полупроводниках – исследование лазерным излучением
ББК В379.231.4
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
фотоэлектрические явления в полупроводниках – конденсаторные исследования
ББК В379.231.4
ВИНИТИ 291.19.31.37.17 (?)
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
фотоэлектрический потенциал
УДК 535.215.3
В: фотоэлектрические явления
А: фото-э.д.с.
фотоэлектический эффект
См: фотоэлектрические явления
фотоэлектронная спектроскопия /полупроводников/
ББК В379.247
ВИНИТИ 291.19.31.37.19
С: ФЭС
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
В: электронная спектроскопия /полупроводников/
Н: поверхностные свойства полупроводников – исследование с помощью ФЭС
Н: энергетический спектр массивных образцов – исследование с помощью ФЭС
фотоэлектронная эмиссия = Испускание электронов твёрдым телом в вакуум или др. среду под
воздействием электромагнитного излучения
*УДК 535.215.1:537.533.2
С: внешний фотоэффект
В: фотоэлектрические явления
Н: фотоэлектронная эмиссия полупроводников
фотоэлектронная эмиссия /полупроводников/
ББК В379.231.41
*УДК 535.215.1:537.533.2:621.315.59
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
Н: фотоэмиссия и фотоэлектронные спектры тонких плёнок элементарных
полупроводников
фотоэмиссия и фотоэлектронные спектры
PACS 79.60.-i
В: электронная и ионная эмиссия жидких и твёрдых тел при бомбардировке
Н: фотоэмиссия и фотоэлектронные спектры с поверхности чистых металлов,
полупроводников и изоляторов
Н: фотоэмиссия и фотоэлектронные спектры тонких плёнок элементарных
полупроводников
фотоэмиссия и фотоэлектронные спектры с поверхности чистых металлов,
полупроводников и изоляторов
PACS 79.60.Bm
В: фотоэмиссия и фотоэлектронные спектры
фотоэмиссия и фотоэлектронные спектры тонких плёнок элементарных
полупроводников
PACS 79.60.Bm
В: тонких плёнок элементарных полупроводников
В: фотоэлектронная эмиссия /полупроводников/
фотоэффект /в полупроводниках/
См: фотоэлектрические явления в полупроводниках
фуллерены и подобные вещества: спектры видимого и ультрафиолетового излучения
См: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового
излучения фуллеренов и подобных материалов
Фурье-спектрометрия
См: спектроскопия Фурье
ФЭС
См: фотоэлектронная спектроскопия /полупроводников/
Х х – 4 статьи
халькогениды – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
характеристическая температура полупроводников
ББК В379.1
В: квантовая теория
химическая связь и кристаллические поля
*ББК Г51:Г52
ВИНИТИ 291.19.05
ГРНТИ 29.19.05
*УДК 544.14:548.31
В: физика твёрдых тел
холодная эмиссия электронов
УДК 537.533.2
В: электронная эмиссия
Ц ц – 8 статей
цезий
*ББК Г121.25:К233.5
УДК 546.36
А: цезий и его соединения – полупроводниковые свойства
цезий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2: Г121.25-2
*УДК 546.36:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: цезий
центры захвата в полупроводниках
ББК В379.231.2
В: электронные явления в полупроводниках
церий и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК В379.2: Г123.51-2
*УДК 546.655:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
циклотрон-фононный резонанс в полупроводниках
ББК В379.24…
В: оптические свойства полупроводников
циклотронный резонанс /в полупроводниках/ = Поглощение электромагнитной волны при
переходе электрона (или дырки) с одной на другую стационарную орбиту в кристалле,
находящемся во внешнем постоянном магнитном поле
ББК В379.233.21
ВИНИТИ 291.19.31.23.19
С: диамагнитный резонанс в полупроводниках
В: магнитные свойства полупроводников
цинк
*ББК Г122.41:К232.5
УДК 546.47
А: цинк и его соединения – полупроводниковые свойства
цинк и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2: Г122.41-2
*УДК 546.47:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: цинк
Ч ч – 2 статьи
частицы и излучение - взаимодействие с конденсированным веществом
УДК 538.97
В: физика конденсированного состояния
чистые полупроводники
УДК 621.315.59.2
В: полупроводники
Ш ш – 5 статей
широкозонные полупроводники - физика = полупроводники с широкой (> 2эВ) запрещённой
зоной (SiC, GaN, GaP, алмаз)
ББК В379.2
В: физика полупроводников
шнурование /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.35.25
В: S-образные вольтамперные характеристики /в полупроводниках/
шнурование в некристаллических полупроводниках
ВИНИТИ 291.19.31.35.25.15
шумы
ББК з841-017
УДК 536.94
Н: неравновесные шумы /в полупроводниках/
Н: шумы радиодиапазона /в полупроводниках/
шумы радиодиапазона /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.23.42
*УДК 536.94:537.8.029.5/.6:621.315.59
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
Э э – 159 статей
эквиваленты орбит – метод расчета в квантовой теории полупроводников
ББК В379.1
В: квантовая теория
экзоэлектронная эмиссия /полупроводников/
ББК В379.231.3
В: электрические свойства полупроводников
В: электронная эмиссия /полупроводников/
экситонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.25.19.21
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/
экситонные уровни в полупроводниках
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
экситоны /в полупроводниках/ =квазичастицы, представляющие собой электронное
возбуждение в диэлектрике или полупроводнике, мигрирующее по кристаллу и не связанное с
переносом электрического заряда и массы. В полупроводниках Э. представляет собой
водородоподобное связанное состояние электрона проводимости и дырки (экситон Ванье—
Мотта).
ББК В379.212.2
ВИНИТИ 291.19.31.15.19.19
*УДК 544.522.121.3:621.315.692
%УДК 537.311.322.01:538.915
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
В: квазичастицы в полупроводниках
В: коллективные возбуждения /в полупроводниках/
В: плазма носителей заряда /в полупроводниках/
Н: перенос экситонов в полупроводниках
Н: экситоны Ванье
экситоны Ванье = слабо связанное состояние электрона и дырки, возникающее в условиях, когда
межчастичное расстояние в экситоне много больше постоянной кристаллической решётки
ББК В379.212.2
В: экситоны /в полупроводниках/
эксклюзия при контакте полупроводников с разными материалами
ББК В379.231.5
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
экспериментальные методы и инструменты для физики элементарных частиц и
ядерной физики
PACS 29
ББК В381
ВИНИТИ 291.15.39
ГРНТИ 29.15
УДК 539.1
В: физика элементарных частиц
В: ядерная физика
Н: детекторы излучений
электреты полупроводниковые
ББК В379.231.7
*УДК 621.312.2:621.315.692
В: электрические свойства полупроводников
Н: фотоэлектреты полупроводниковые
электризация полупроводников
ББК В379.231.1
УДК 537.222.22
В: электростатика полупроводников
А: электрический заряд в полупроводниковых материалах
электрическая неустойчивость в полупроводниках
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводников
электрические действия магнитных полей
См: гальваномагнитные явления
электрические действия светового излучения
См: фотоэлектические явления
электрические и магнитные свойства полупроводников
ББК В379.23
*УДК 537:621.315.59
В: физика полупроводников
Н: гальваномагнитные явления в полупроводниках
Н: магнитные свойства полупроводников
Н: магнитоакустические явления в полупроводниках
Н: фотомагнитные эффекты в полупроводниках
Н: электрические свойства полупроводников
электрические разряды
УДК 537.52
В: электронные и ионные явления
Н: пробой
электрические свойства границ раздела
В: электронная структура и электрические свойства границ раздела
электрические свойства низкоразмерных структур
В: электронная структура и электрические свойства низкоразмерных структур
электрические свойства отдельных тонких плёнок
PACS 73.61.-r
*УДК 537:538.975.2
В: электронная структура и электрические свойства поверхностей, границ раздела,
тонких плёнок и низкоразмерных структур
В: электрические свойства тонких плёнок
Н: электрические свойства тонких плёнок аморфных полупроводников, стёкол
Н: электрические свойства тонких плёнок полупроводников II-VI
Н: электрические свойства тонких плёнок полупроводников III-V
Н: электрические свойства тонких плёнок элементарных полупрорводников
электрические свойства полупроводников
ББК В379.231
*УДК 537:621.315.59
В: электрические и магнитные свойства полупроводников
В: электрические свойства твёрдых тел
Н: акустоэлектрические явления в полупроводниках
Н: высокие давления – влияние на электрические свойства полупроводников
Н: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
Н: низкие температуры – влияние на электрические свойства полупроводников
Н: инжекционные токи в полупроводниках
Н: ионные явления в полупроводниках
Н: локализованные электронные состояния полупроводников
Н: объёмный эффект в полупроводниках
Н: примеси – влияние на электрические свойства /полупроводников/
Н: релаксация Максвелла в полупроводниках
Н: семиэлектрики
Н: фотоэлектрические явления в полупроводниках (фотоэффект)
Н: электреты полупроводниковые
Н: электрическая неустойчивость в полупроводниках
Н: электронные явления в полупроводниках
Н: электропроводность полупроводников
Н: электростатика полупроводников
Н: эффект Ганна в полупроводниках
Н: эффект переключения в полупроводниках
Н: эффект поля в полупроводниках
Н: эффект «смещения поля» в полупроводниках
электрические свойства слоистых структур полупроводников II-VI
PACS 73.61.Ga
В: электрические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников
II-VI
электрические свойства слоистых структур полупроводников III-V
PACS 73.61.Ey
В: электрические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников
III-V
электрические свойства твёрдых тел
ВИНИТИ 291.19.23
ГРНТИ 20.19.23
*УДК 537-026.76
В: физика твёрдых тел
Н: диэлектрики
Н: нормальные (несверхпроводящие) металлы
Н: полупроводники
Н: сверхпроводники
Н: сегнетоэлектричество
Н: теория электрических свойств твёрдых тел
Н: электрические свойства полупроводников
электрические свойства тонких плёнок
*УДК 537:538.975.3
В: электронная структура и электрические свойства тонких плёнок
электрические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников III-V
PACS 73.61.Ey
В: тонкие плёнки и слоистые структуры полупроводников III-V
В: электрические свойства полупроводников
Н: электрические свойства тонких плёнок полупроводников III-V
электрические свойства тонких плёнок полупроводников II-VI
PACS 73.61.Ga
В: электрические свойства отдельных тонких плёнок
В: электрические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников
II-VI
электрические свойства тонких плёнок полупроводников III-V
PACS 73.61.Ey
В: электрические свойства отдельных тонких плёнок
В: электрические свойства тонких плёнок и слоистых структур полупроводников
III-V
электрические свойства тонких плёнок элементарных полупроводников
PACS 73.61.Cv
В: электрические свойства отдельных тонких плёнок
электрические флуктуации в полупроводниках
ББК В379.231.2
В: электронные явления в полупроводниках
электрические явления при контакте полупроводников с разными материалами
ББК В379.231.5
*УДК 536.94:537:621.315.59
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
электрический заряд в диэлектриках
УДК 537.222.2
В: электрический заряд – распределение плотности
Н: электрический заряд в полупроводниковых материалах
Н: электрический заряд в изоляционных материалах
электрический заряд в изоляционных материалах
УДК 537.222.4
В: электрический заряд в диэлектриках
электрический заряд в полупроводниковых материалах
УДК 537.222.22
В: электрический заряд в диэлектриках
А: электризация полупроводников
электрический заряд – распределение плотности
УДК 537.222
В: распределение электричества
Н: электрический заряд в диэлектриках
электрический пробой полупроводников
ББК В379.231.24
*УДК 537.521.7:621.315.59
В: электронные явления в полупроводниках
электрический ток в проводниках – распределение
УДК 537.311.5
В: сопротивление и проводимость
электрический ток - действие на проводимость
УДК537.312.7
В: сопротивление и проводимость – действие внешних факторов
электрическое поле /влияние на энергетический спектр полупроводников/
*ББК В331:В379.13
ВИНИТИ 291.19.31.15.29
В: энергетический спектр полупроводников
электрическое старение ферритов
ББК В379.233.6; В379.233.4
В: ферромагнетизм полупроводников
электричество
УДК 537.3
В: электромагнетизм
Н: статическое электричество
Н: термоэлектричество
Н: электрокинетика
Н: электронные и ионные явления
Н: электропроводность
электроакустические явления в полупроводниках
См: акустоэлектрические явления в полупроводниках
электроакустическое преобразование /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.27.23
В: акустические явления в полупроводниках
электрокинетика
УДК 537.36
В: электричество
электролюминесценция /полупроводников/
*ББК В343.83:В379.2
ВИНИТИ 291.19.31.30.17
*УДК 535.376:621.315.692
В: люминесценция /полупроводников/
электромагнетизм
УДК 537
Н: магнетизм
Н: электричество
Н: электромагнитные колебания в полупроводниках
электромагнетики
ББК з264.36
электромагнитные излучения – действие на электропроводность
См: действие излучений на проводимость и сопротивление
электромагнитные колебания в полупроводниках
ББК В379.24
*УДК 537.86:621.315.692
В: физика полупроводников
В: электромагнетизм
Н: высокочастотная диэлектрическая проницаемость и распространение
электромагнитных волн /в полупроводниках/
А: оптические свойства полупроводников
А: распространение электромагнитных волн в полупроводниках
электрон-фононное взаимодействие в полупроводниках
ББК В379.1
В: квантовая теория
электронная бомбардировка /вторичная эмиссия полупроводников/
ББК В379.231.31
В: электронная и ионная эмиссия жидких и твёрдых тел при бомбардировке
В: электронная эмиссия полупроводников
электронная и дырочная проводимости полупроводников
ББК В379.231.2
*УДК 537.112:621.315.59
В: электронные явления в полупроводниках
В: электропроводность полупроводников
электронная и ионная эмиссия жидких и твёрдых тел при бомбардировке
PACS 79
В: конденсированное вещество: электронная структура, электрические, магнитные
и оптические свойства
Н: фотоэмиссия и фотоэлектронные спектры
Н: электронная бомбардировка /вторичная эмиссия полупроводников/
электронная микроскопия полупроводников
ББК В379.212.15
*УДК 537.533.35:621.315.692
В: структурный анализ полупроводников
электронная плотность состояний и зонная структура кристаллических тел
PACS 71.20.-b
В: электронная структура макроскопических тел
Н: зонная структура кристаллических тел
электронная плотность состояний и зонная структура отдельных металлов и сплавов
PACS 71.20.Gj
В: электронная структура макроскопических тел
Н: зонная структура отдельных металлов и сплавов
электронная плотность состояний и зонная структура полупроводниковых
соединений
PACS 71.20 Nr
В: электронная структура макроскопических тел
Н: зонная структура полупроводниковых соединений
электронная плотность состояний и зонная структура элементарных полупроводников
PACS 71.20.Mq
В: электронная структура макроскопических тел
Н: зонная структура элементарных полупроводников
электронная спектроскопия /полупроводников/
*ББК В344.331.31:В379.247
ВИНИТИ 291.19.31.37
В: полупроводники
В: спектроскопия полупроводников
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
Н: фотоэлектронная спектроскопия /полупроводников/
электронная структура жидких металлов, полупроводников и их сплавов
PACS 71.22.+i
В: электронная структура макроскопических тел
Н: электронная структура жидких полупроводников
электронная структура жидких полупроводников
PACS 71.22.+i
В: электронная структура жидких металлов, полупроводников и их сплавов
В: электронная структура полупроводников
электронная структура и электрические свойства границ раздела
В: электронная структура и электрические свойства поверхностей, границ раздела,
тонких плёнок и низкоразмерных структур
Н: электрические свойства границ раздела
электронная структура и электрические свойства низкоразмерных структур
В: электронная структура и электрические свойства поверхностей, границ раздела,
тонких плёнок и низкоразмерных структур
Н: электрические свойства низкоразмерных структур
электронная структура и электрические свойства поверхностей, границ раздела,
тонких плёнок и низкоразмерных структур
PACS 73
В: конденсированное вещество: электронная структура, электрические, магнитные
и оптические свойства
Н: электрические свойства отдельных тонких плёнок
Н: электронная структура и электрические свойства границ раздела
Н: электронная структура и электрические свойства низкоразмерных структур
Н: электронная структура и электрические свойства тонких плёнок
Н: электронный перенос на поверхностях раздела
Н: электронный перенос в тонких плёнках
электронная структура и электрические свойства тонких плёнок
В: электронная структура и электрические свойства поверхностей, границ раздела,
тонких плёнок и низкоразмерных структур
Н: электрические свойства тонких плёнок
электронная структура макроскопических тел
PACS 71
В: конденсированное вещество: электронная структура, электрические, магнитные
и оптические свойства
Н: зонная структура кристаллических тел
Н: зонная структура отдельных металлов и сплавов
Н: зонная структура элементарных полупроводников
Н: электронная плотность состояний и зонная структура кристаллических тел
Н: электронная плотность состояний и зонная структура отдельных металлов и
сплавов
Н: электронная плотность состояний и зонная структура полупроводниковых
соединений
Н: электронная плотность состояний и зонная структура элементарных
полупроводников
Н: электронная структура жидких металлов, полупроводников и их сплавов
Н: электронные уровни на примесях и дефектах
А: электронная структура твёрдых тел
электронная структура полуметаллов
PACS 71.20.Gj
В: полуметаллы
электронная структура полупроводников
ББК В379.1
В: квантовая теория
В: электронная структура твёрдых тел
Н: электронная структура жидких полупроводников
электронная структура твёрдых тел
ВИНИТИ 291.19.24
ГРНТИ 29.19.24
В: физика твёрдых тел
Н: электронная структура полупроводников
электронная теория полупроводников
ББК В379.12
В: теория полупроводников
Н: многоэлектронная теория полупроводников
Н: теория псевдопотенциала полупроводников
электронная эмиссия = испускание электронов в вакуум или газообразную среду
УДК 537.533.2
Н: автоэлектронная эмиссия
Н: работа выхода электронов
Н: холодная эмиссия электронов
Н: электронная эмиссия /полупроводников/
электронная эмиссия /полупроводников/
ББК В379.231.3
*УДК 537.533.2:621.315.692
В: электрические свойства полупроводников
В: электронная эмиссия
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
Н: термоэлектронная эмиссия полупроводников
Н: экзоэлектронная эмиссия полупроводников
Н: электронная бомбардировка
Н: эмиссия /электронов/ из аморфных полупроводников
электронно-дырочная жидкость /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.30
В: коллективные эффекты /в полупроводниках/
А: электронно-дырочные капли в полупроводниках
электронно-дырочные капли в полупроводниках = образование относительно плотной
электронно-дырочной фазы при достижении некоторой критической концентрации (зависящей от
температуры) экситонов.
ББК В379.212
В: структура полупроводников
А: электронно-дырочная жидкость /в полупроводниках/
электронно-дырочные системы на поверхности полупроводников
ББК В379.212.5
В: поверхностные явления в полупроводниках
электронно-оптические свойства полупроводников
ББК 379.24…
В: оптические свойства полупроводников
электронные и ионные явления
УДК 537.5
В: электричество
Н: электрические разряды
электронные и магнитные устройства; микроэлектроника
PACS 85
Н: полупроводниковые устройства
электронные дефекты = нерегулярности в структуре электронных оболочек атомов и/или ионов
*УДК 539.219.1:544.022.37
С: электронный беспорядок
В: дефекты кристаллической структуры
Н: поляроны
Н: электронные дырки
Н: электронные зоны проводимости
электронные дырки = При высвобождении электрона из кристаллической решетки
полупроводника за счет теплового движения на его месте образуется так называемая дырка —
положительно заряженная ячейка кристаллической структуры, которая может в любой момент
оказаться занятой отрицательно заряженным электроном, перескочившим в нее с внешней
орбиты соседнего атома
УДК 544.022.373
В: электронные дефекты
Н: дырки в полупроводниках – теория
электронные зоны проводимости
УДК 544.022.372
В: эоны проводимости
В: электронные дефекты
электронные парамагнетики
ВИНИТИ 291.19.45
ГРНТИ 29.19.45
*УДК 537.622.3:537.12
В: парамагнетики
В: физика твёрдых тел
электронные переходы в полупроводниках
ББК В379.231.21
В: барьерные эффекты в полупроводниках
Н: электронные фазовые переходы /в полупроводниках/
электронные поверхностные состояния /влияние на энергетический спектр
полупроводников/
*ББК В379.425:В344.331.31
ВИНИТИ 291.19.31.15.25
В: электронные состояния
В: энергетический спектр полупроводников
электронные полупроводники = полупроводники с n-типом проводимости, где основные
носители – электроны
*УДК 621.315.59:537.12
В: полупроводники
электронные состояния
УДК 538.915
В: структуры вещества
Н: электронные поверхностные состояния /влияние на энергетический спектр
полупроводников/
Н: электронные состояния полупроводников
электронные состояния /полупроводников/
*УДК 538.915:621.315.59
%УДК 537.311.322.01:538.915
В: плазма носителей заряда /в полупроводниках/
В: электронные состояния
Н: локализованные электронные состояния полупроводников
электронные структуры
УДК 538.915
В: структуры вещества
электронные уровни на примесях и дефектах
PACS 71.55.–i
В: электронная структура макроскопических тел
Н: электронные уровни на примесях и дефектах в полуметаллах
Н: электронные уровни на примесях и дефектах в полупроводниках III-V
Н: электронные уровни на примесях и дефектах в полупроводниках III-V
электронные уровни на примесях и дефектах в полуметаллах
PACS 71.55.Ak
В: электронные уровни на примесях и дефектах
электронные уровни на примесях и дефектах в полупроводниках III-V
PACS 71.55.Eq
В: электронные уровни на примесях и дефектах
электронные уровни на примесях и дефектах в полупроводниках III-V
PACS 71.55.Eq
В: электронные уровни на примесях и дефектах
электронные фазовые переходы /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.17.21
В: статистико-термодинамические свойства полупроводников
В: электронные переходы в полупроводниках
электронные явления в полупроводниках
ББК В379.231.2
В: электрические свойства полупроводников
Н: акустоэлектрические явления в полупроводниках
Н: электропроводность полупроводников
Н: барьерные эффекты в полупроводниках
Н: горячие электроны в полупроводниках
Н: нелинейные свойства полупроводников /электронные/
Н: носители тока в полупроводниках
Н: разогрев электронов в полупроводниках
Н: стримерные разряды в полупроводниках
Н: туннельный эффект /в полупроводниках/
Н: центры захвата в полупроводниках
Н: электрические флуктуации в полупроводниках
Н: электронная и дырочная проводимости полупроводников
Н: электронный газ в полупроводниках
Н: электрический пробой /полупроводников/ /
электронный беспорядок
См: электронные дефекты
электронный газ
Н: низкоразмерный электронный газ
Н: электронный газ в полупроводниках
электронный газ в полупроводниках
ББК В379.231.2
В: электронные явления в полупроводниках
В: электронный газ
электронный перенос в конденсированных телах
PACS 72
УДК 538.935
В: конденсированное вещество: электронная структура, электрические, магнитные
и оптические свойства
В: явления переноса /в конденсированном веществе/
Н: перенос поляризованного спина /в полупроводниках/
Н: электропроводность отдельных материалов
Н: электропроводность полупроводников и изоляторов
электронный перенос в тонких плёнках
PACS 73.50.–h
*УДК 538.935:538.975.2
В: электронная структура и электрические свойства поверхностей, границ раздела,
тонких плёнок и низкоразмерных структур
электронный перенос на контактах полупроводник-электролит
PACS 73.40.Mr
В: электронный перенос на поверхностях раздела
электронный перенос на поверхностях раздела
PACS 73.40.-c
В: электронная структура и электрические свойства поверхностей, границ раздела,
тонких плёнок и низкоразмерных структур
Н: электронный перенос на контактах полупроводник-электролит
Н: электронный перенос на структурах металл-изолятор-полупроводник
Н: электронный перенос на структурах полупроводник-изолятор
Н: электронный перенос на структурах полупроводник-изолятор-полупроводник
Н: электронный перенос на структурах полупроводник-металл-полупроводник
электронный перенос на структурах металл-изолятор-полупроводник
PACS 73.40.Qv
В: электронный перенос на поверхностях раздела
В: явления переноса в полупроводниках
электронный перенос на структурах полупроводник-изолятор
PACS 73.40.Qv
В: электронный перенос на поверхностях раздела
В: явления переноса в полупроводниках
электронный перенос на структурах полупроводник-изолятор-полупроводник
PACS 73.40.Ty
В: электронный перенос на поверхностях раздела
В: явления переноса в полупроводниках
электронный перенос на структурах полупроводник-металл-полупроводник
PACS 73.40.Vz
В: электронный перенос на поверхностях раздела
В: явления переноса в полупроводниках
электронограммы Кикучи в электронографии полупроводников
ББК В379.212.14
В. структурный анализ полупроводников
Н: дифракция электронов в кристаллах полупроводников
электроны в полупроводниках – теория полупроводников
ББК В379.1
*УДК 537.12:621.315.59
В: квантовая теория
электрооптические явления /в полупроводниках/
*ББК В379.2:В343.7
ВИНИТИ 291.19.31.25.27
*УДК 537.1/.5:535.1/.5:621.315.59
В: оптические явления в полупроводниках
Н: электрооптические явления в ферритах /полупроводниках/
Н: электроотражение /света/ в полупроводниках
Н: электропоглощение /света/ в полупроводниках
электрооптические явления в ферритах /полупроводниках/
ББК В379.233.4
*УДК 537.1/.5:535.1/.5: 537.622.4:666.653
В: ферромагнетизм полупроводников
В: электрооптические явления /в полупроводниках/
электроотражение /света/ в полупроводниках.
ББК В379.24…
В: оптические свойства полупроводников
В: электрооптические явления /в полупроводниках/
электропоглощение /света/ в полупроводниках.
ББК В379.24…
В: оптические свойства полупроводников
В: электрооптические явления /в полупроводниках/
электропроводность
УДК 537.31
В: электричество
Н: законы Кирхгофа
Н: напряжение электрического тока
Н: скорость распространения электрического тока
Н: электропроводность отдельных материалов
А: сопротивление и проводимость
электропроводность аморфных и аморфно-кристаллических полупроводников
ВИНИТИ 291.19.31.47.17
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
В: электропроводность полупроводников
электропроводность аморфных полупроводников
*ББК В379.212.4:231.2
ВИНИТИ 291.19.31.21.43.15
PACS 72.80.Ng
*УДК 537.311.322:621.315.59-026.764
С: проводимость аморфных полупроводников
В: статические кинетические явления в аморфных полупроводниках
В: электропроводность аморфных и аморфно-кристаллических полупроводников
электропроводность в зависимости от агрегатного состояния
См: агрегатное состояние – действие на проводимость
электропроводность жидких полупроводников
*ББК В333.79:В332.2
PACS 72.80.Ph
*УДК 537.311.322:621.315.59-026.73
С: проводимость жидких полупроводников
В: электропроводность полупроводников
электропроводность неупорядоченных твёрдых тел
PACS 72.80.Ng
*УДК 537.311.322:[539.219.1+538.9-026.76]
В: электропроводность отдельных материалов
электропроводность отдельных материалов
PACS 72.80.-r
*УДК 537.31-03
В: электронный перенос в конденсированных телах
В: электропроводность
Н: электропроводность полупроводников
Н: электропроводность неупорядоченных твёрдых тел
электропроводность полупроводников
ББК В379.231.2
ВИНИТИ 291.19.31.21.15
*УДК 537.31:621.315.59
В: кинетические явления в полупроводниках
В: электронные явления в полупроводниках
В: электропроводность отдельных материалов
В: электропроводность полупроводников и изоляторов
Н: анизотропная электропроводность полупроводников
Н: электропроводность аморфных и аморфно-кристаллических полупроводников
Н: электропроводность жидких полупроводников
Н: электропроводность полупроводников III-V и II-VI
Н: электропроводность полупроводников в радиодиапазоне
Н: электропроводность элементарных полупроводников
электропроводность полупроводников III-V и II-VI
PACS 72.80.Ey
В: электропроводность полупроводников
электропроводность полупроводников в радиодиапазоне
ВИНИТИ 291.19.31.23.15
*УДК537.311.322:537.311.6:537.86.029.5
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон /в полупроводниках/
В: электропроводность полупроводников
электропроводность полупроводников и изоляторов
PACS 72.20.–i
УДК 537.311.32
В: электронный перенос в конденсированных телах
Н: электропроводность полупроводников
электропроводность элементарных полупроводников
PACS 72.80.Cw
В: электропроводность полупроводников
В: элементарные полупроводники
электростатика полупроводников
ББК В379.231.1
*УДК 537.2:621.315.692.
В: электрические свойства полупроводников
Н: электризация полупроводников
электростатическая эмиссия электронов
См: автоэлектронная эмиссия
электрофотографические свойства полупроводников.
ББК В379.231.4
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
элементарные возбуждения /в полупроводниках/
См: квазичастицы /в полупроводниках/
элементарные полупроводники
PACS 81.05.Cy
*УДК 621.315.59:544-121
В: материаловедение
В: полупроводники
Н: германий
Н: графит – полупроводниковые свойства
Н: зонная структура элементарных полупроводников
Н: инфракрасные и рамановские спектры элементарных полупроводников
Н: кремний – полупроводниковые свойства
Н: обработка элементарных полупроводников
Н: тонкие плёнки элементарных полупроводников
Н: фотолюминесценция элементарных полупроводников
Н: электропроводность элементарных полупроводников
эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
*ББК В379.3:247
ВИНИТИ 291.19.31.37
В: полупроводники
Н: автоэлектронная эмиссия /в полупроводниках/
Н: вторичная эмиссия электронов в полупроводниках
Н: исследование поверхностных свойств полупроводников с помощью ФЭС
Н: работа выхода электрона из полупроводника
Н: термоэлектронная эмиссия /в полупроводниках/
Н: электронная спектроскопия /полупроводников/
Н: электронная эмиссия /полупроводников/
эмиссия /электронов/ из аморфных полупроводников
*ББК В379.3:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.37.29
*УДК 537.533.2:621.315.59-026.764
В: электронная эмиссия /полупроводников/
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
энергетическая щель
См: запрещённая зона полупроводников
энергетические зоны /полупроводников/
ББК В379.13
С: зона
В: зонная теория твёрдых тел
Н: запрещённая зона /полупроводников/
Н: зоны проводимости
Н: разрешённая зона /полупроводников/
энергетические спектры полупроводников – теория
ББК В379.13
В: квантовая теория
В: энергетический спектр полупроводников
энергетический спектр аморфных полупроводников
*ББК В379.13:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.15.31
В: аморфные полупроводники – физика
В: энергетический спектр неупорядоченных и аморфных полупроводников
энергетический спектр массивных полупроводников – исследование с помощью ФЭС
ВИНИТИ 291.19.31.37.19.15
В: фотоэлектронная спектроскопия /полупроводников/
В: энергетический спектр /полупроводников/
энергетический спектр неупорядоченных и аморфных полупроводников
ВИНИТИ 291.19.31.15.31
В: энергетический спектр полупроводников
Н: энергетический спектр аморфных полупроводников
Н: энергетический спектр неупорядоченных полупроводников
энергетический спектр неупорядоченных полупроводников
*ББК В379.212.4:13
ВИНИТИ 291.19.31.15.31
В: неупорядоченные полупроводники – физические свойства
В: энергетический спектр неупорядоченных и аморфных полупроводников
энергетический спектр /полупроводников/ = зависимость энергии частиц от импульса
ВИНИТИ 291.19.31.15
В: полупроводники
Н: дефекты – влияние на энергетический спектр полупроводников
Н: зонный электронный спектр /полупроводников/
Н: коллективные возбуждения /в полупроводниках/
Н: магнитное поле – влияние на энергетический спектр полупроводников
Н: поляроны, флуктуоны и др. /квазичастицы в полупроводниках/
Н: примесные состояния /влияние на энергетический спектр полупроводников/
Н: примесные уровни полупроводников
Н: фононный спектр /полупроводников/
Н: электрическое поле /влияние на энергетический спектр полупроводников/
Н: электронные поверхностные состояния /влияние на энергетический спектр
полупроводников/
Н: энергетические спектры полупроводников – теория
Н: энергетический спектр массивных полупроводников – исследование с помощью
ФЭС
Н: энергетический спектр неупорядоченных и аморфных полупроводников
эффект Баркгаузена /в ферритах/ = скачкообразное изменение намагниченности
ферромагнетиков при непрерывном изменении внеш. условий, например магнитного поля
ББК В379.233.6; В379.233.4
В: ферриты /полупроводники/ – физика
В: ферромагнетизм полупроводников
эффект Бенедикта
УДК 537.322.3
В: термоэлектрические эффекты
эффект Бриджмена = термоЭДС в анизотропном электропроводящем веществе
УДК 537.322.5
В: термоэлектрические эффекты
эффект Ганна в полупроводниках = явление генерации высокочастотных колебаний
электрического тока в полупроводнике, у которого объемная вольтамперная характеристика
имеет N-образный вид
ББК В379.231
ВИНИТИ 291.19.31.35.21.17.15
В: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
В: генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
В: электрические свойства полупроводников
эффект Гольдгаммера-Томсона в ферритах
ББК В379.233.6; В379.233.4
В: ферриты /полупроводники/ – физика
В: ферромагнетизм полупроводников
эффект Зеебека = возникновение электродвижущей силы в электрической цепи, состоящей из
последовательно соединённых разнородных проводников, контакты между которыми находятся
при различных температурах
УДК 537.322.11
В: термоэлектрические эффекты
эффект Керра /в полупроводниках/ = возникновение двойного лучепреломления в оптически
анизотропных веществах под действием внешних полей (электрического, магнитного,
оптического)
ББК В379.24…
В: двойное лучепреломление
В: оптические свойства полупроводников
Н: эффект Керра в ферритах /полупроводниках/
эффект Керра в ферритах /полупроводниках/
*ББК В379.233.4:244
В: ферриты /полупроводники/ – физика
В: ферромагнетизм полупроводников
В: эффект Керра в полупроводниках
эффект Мёссбауэра /в исследовании полупроводников/ = (ядерный гамма-резонанс),
испускание и поглощение гамма-квантов атомными ядрами в твердом теле, не сопровождающееся
изменением колебательной энергии тела
ББК В379.212.17
С: ядерный гамма-резонанс
В: структурный анализ полупроводников
эффект Пельтье = процесс выделения или поглощения тепла при прохождении электрического
тока через контакт двух разнородных проводников
УДК 537.322.15
В: термоэлектрические эффекты
эффект переключения в полупроводниках
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводников
эффект поля в полупроводниках
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводников
Н: эффекты поля /неоднородные системы в полупроводниках/
эффект Ричардсона
См: термоэлектронная эмиссия
эффект «смещения поля» в полупроводниках
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводников
эффект Томсона = если в проводнике с током существует перепад температур, то
дополнительно к теплоте, выделяемой в соответствии с законом Джоуля — Ленца, в объёме
проводника будет выделяться или поглощаться дополнительная теплота
УДК 537.322.2
В: термоэлектрические эффекты
эффект Фарадея
См: явление Фарадея
эффект Франца-Келдыша /в полупроводниках/ = сдвиг границы (края) собств. поглощения
света в полупроводнике в сторону меньших частот в присутствии внешнего электрического поля.
ББК В379.24…
В: оптические свойства полупроводников
Н: явление Фарадея в полупроводниках
эффект Холла = возникновение поперечной разности потенциалов при протекании тока во внешнем
магнитном поле
ВИНИТИ 291.19.31.21.21.17
В: магнитное поле - действие на проводимость
Н: квантовый эффект Холла
Н: классический эффект Холла
Н: явление Холла в ферритах /полупроводниках/
эффект Штарка
См: явление Штарка
эффект Яна-Теллера в ферритах /полупроводниках/ = совокупность явлений, обусловленных
взаимодействием электронов с колебаниями атомных ядер в молекулах или твёрдых телах при
наличии вырождения электронных состояний
ББК В379.233.4
В: ферриты /полупроводники/ – физика
В: ферромагнетизм полупроводников
эффективные массы носителей заряда в полупроводниках
ББК В379.1
В: квантовая теория
эффекты поля /неоднородные системы в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.33.15
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
В: эффект поля в полупроводниках
эффекты увлечения /кинетические явления в полупроводниках/
ББК В379.253
ВИНИТИ 291.19.31.21.39
В: кинетические явления /в полупроводниках/
Я я – 16 статей
явление Пельтье в полупроводниках
ББК В379.231.51
В: эффект Пельтье
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
явление Фарадея /в полупроводниках/ = вращение плоскости поляризации света в магнитном
поле
ББК В379.24-2
С: эффект Фарадея
В: оптические свойства полупроводников
В: эффект Франца-Келдыша в полупроводниках
Н: явление Фарадея в ферритах /полупроводниках/
явление Фарадея в ферритах /полупроводниках/
ББК В379.233.4
В: ферромагнетизм полупроводников
В: ферриты /полупроводники/ - физика
В: явление Фарадея в полупроводниках
явление Холла в ферритах /полупроводниках/
ББК В379.233.4
В: ферриты /полупроводники/ - физика
В: ферромагнетизм полупроводников
В: эффект Холла
явление Штарка = расщепление электронных термов атомов во внешнем электрическом поле
УДК 539.184.27:
С: эффект Штарка
Н: явление Штарка в полупроводниках
явление Штарка в полупроводниках
ББК В379.247
*УДК 539.184.27:621.315.59
В: спектроскопия полупроводников
В: явление Штарка
явления на границе полупроводника и газа (вакуума)
PACS 68.47.Fg
С: граница полупроводника и газа (вакуума)
В: явления на границе твердого тела и газа (вакуума)
явления на границе твердого тела и газа (вакуума)
PACS 68.47.-b
С: граница твердого тела и газа (вакуума)
В: поверхности и границы раздела
Н: явления на границе полупроводника и газа (вакуума)
явления переноса /в конденсированном веществе/
*ББК В375:В365.523
УДК 538.971
С: перенос
В: физика конденсированного состояния
Н: неэлектронные явления переноса
Н: электронный перенос в конденсированных телах
Н: явления переноса в полупроводниках
явления переноса в полупроводниках
ББК В379.25
*УДК 538.971:621.315.59
%УДК 537.311.322.01:538.93
В: кинетические явления в полупроводниках
В: плазма носителей заряда /в полупроводниках/
В: термодинамика полупроводников
В: явления переноса /в конденсированном веществе/
Н: процессы переноса в тонких полупроводниковых плёнках
Н: перенос поляризованного спина в полупроводниках
Н: перенос фононов в магнитных полупроводниках
Н: перенос экситонов в полупроводниках
Н: электронный перенос на структурах металл-изолятор-полупроводник
Н: электронный перенос на структурах полупроводник-изолятор
Н: электронный перенос на структурах полупроводник-изолятор-полупроводник
Н: электронный перенос на структурах полупроводник-металл-полупроводник
ядерная физика
PACS 20
ВИНИТИ 291.15
ГРНТИ 29.15
УДК 539.14
В: строение материи
Н: экспериментальные методы и инструменты для физики элементарных частиц и
ядерной физики
Н: ядерный магнетизм
ядерный гамма-резонанс
См: эффект Мёссбауэра
ядерный магнетизм
ВИНИТИ 291.19.49
ГРНТИ 29.19.49
УДК 539.143.43
В: физика твёрдых тел
В: ядерная физика
Н: ядерный магнитный резонанс
ядерный магнитный резонанс = Резонансное поглощение (излучение) электромагнитных волн,
связанное с переориентацией магнитных моментов ядер
ББК В334.22
УДК 539.143.43
С: ЯМР
В: ядерный магнетизм
Н: ядерный магнитный резонанс в полупроводниках
ядерный магнитный резонанс в полупроводниках
ББК В379.233
*УДК 539.143.43:621.315.59
В: ядерный магнитный резонанс
В: физика полупроводников
ЯМР
См: ядерный магнитный резонанс
ИТОГО (на 2010-08-16)
Всего статей 1146, из них 1060 дескрипторов и 86 аскрипторов.
Дескрипторов из следующих источников:
PACS
165
Предметный указатель (полупроводники и спинтроника)
ББК
440
Таблица ИФП
УДК
204
Выборка из эталона (ВИНИТИ)
%УДК
42
Рабочая таблица БЕН РАН
ГРНТИ
58
Раздел физики твёрдого тела
Рубрикатор ВИНИТИ
302
Разделы физики полупроводников и спинтроники
Всего
1183
Заиндексировано по:
*УДК
317
*ББК
151
Ссылок
С: (синоним)
85
См (смотри)
86
В: (выше)
1415
Н: (ниже)
1414
А: (ассоциация)
179
Всего
3179
Всего элементов дескрипторных статей (индексов и связей) – 4801, т.е. по 4 на
дескриптор, или по 3 связи и 1 индексу на дескриптор.
Определений – 167, т. е. у 16% дескрипторов