2 - Кафедра радиофизики, полупроводниковой микро

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Физический факультет
Кафедра радиофизики, полупроводниковой микро- и наноэлектроники
УТВЕРЖДАЮ
Проректор по учебной работе
______________В.П. ГАРЬКИН
«____»_______________ 2012 г.
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ПРИБОРОВ
образовательная программа направления 011200.68 – Физика
(Цикл М2. Профессиональный, вариативная часть)
Профиль подготовки
«Физика полупроводников. Наноэлектроника»
Квалификация выпускника
Магистр
Форма обучения
Очная
Курс 1, семестр 9
Самара
2012
1
Рабочая программа составлена на основании федерального государственного
образовательного стандарта высшего профессионального образования по направлению
подготовки 011200 Физика (квалификация (степень) «магистр»), утвержденного приказом
Министерства образования и науки Российской Федерации №637 от 18 ноября 2009 г.
Зарегистрировано в Минюсте РФ 17 декабря 2009 г. №15676.
Составитель рабочей программы:
Покоева В.А., к.ф.-м.наук, доцент кафедры радиофизики, полупроводниковой микро- и
наноэлектроники
Рецензент: Осинская Ю.В. – к.ф.-м.н., доцент каф. физики твердого тела и неравновесных
систем СамГУ
Рабочая программа утверждена на заседании кафедры
радиофизики, полупроводниковой микро- и наноэлектроники (протокол №_____ от
«____»________________2012 г.)
Заведующий кафедрой
«___»_________________2012 г.
___________________ Г.П. ЯРОВОЙ
СОГЛАСОВАНО
Председатель методической
комиссии факультета
«____»________________2012 г.
___________________ И.С.ЦИРОВА
СОГЛАСОВАНО
Декан факультета
«___»_________________ 2012 г.
___________________ В.В.ИВАХНИК
СОГЛАСОВАНО
Начальник
методического отдела
___»__________________2012 г.
___________________ Н.В.СОЛОВОВА
2
1. Цели и задачи дисциплины, ее место в учебном процессе, требования к уровню
освоения содержания дисциплины
1.1. Цели и задачи изучения дисциплины
Прогресс современной науки и техники неразрывно связан с прогрессом в получении
различных новых материалов, в том числе полупроводниковых материалов и структур и в
изготовлении на их основе новых полупроводниковых приборов и интегральных схем.
В данном спецкурсе «Технология полупроводниковых материалов и приборов»
рассмотрены основные технологические процессы изготовления полупроводниковых
материалов и структур, такие как выращивание и очистка полупроводников, легирование,
получение полупроводниковых пленок и методы изготовления полупроводниковых
приборов. При этом, наряду с рассмотрением физических основ процессов, существенное
внимание уделяется практическим приемам их проведения.
1.2. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины
Студенты, завершившие изучение данной дисциплины, должны:
 иметь четкое представление об основных направлениях развития технологии
полупроводниковых материалов и приборов;
 обладать теоретическими знаниями основных методов, процессов, применяемых в
современной технологии;
 приобрести
навыки
теоретического
расчета
основных
параметров
полупроводниковых материалов;
 обладать следующими компетенциями:
Код
компетенции
Наименование результата обучения
ОК-1
быть способными демонстрировать углубленные знания в области
математики и естественных наук
ОК-5
быть способными порождать новые идеи
ПК-2
быть способными использовать знания современных проблем физики,
новейших достижений физики в своей научно-исследовательской
деятельности
ПК-3
быть способными самостоятельно ставить конкретные задачи научных
исследований в области физики (в соответствии с профилем магистерской
программы) и решать их с помощью современной аппаратуры,
оборудования, информационных технологий с использованием новейшего
отечественного и зарубежного опыта
ПК-12
быть способными использовать знания по теоретическим и прикладным
вопросам физики тонких пленок и вакуумной техники в своей научноисследовательской деятельности
ПК-13
быть способными владеть знаниями об основных направлениях развития
технологии полупроводниковых материалов, приборов и интегральных
микросхем
1.3. Место дисциплины в структуре ООП
Данный лекционный курс основан на курсах общей физики, спецкурсах «Физика
полупроводников», «Физика твердого тела», «Основы кристаллографии». Отдельные его
разделы будут более обстоятельно рассмотрены в спецкурсах «Физика тонких пленок и
основы вакуумной техники»,
«Технология интегральных микросхем», «Основы
3
технологии низкоразмерных систем».
Полученные магистрантами знания и умения при изучении данного курса необходимы
при проведении научно-исследовательской работы в семестрах, при прохождении научноисследовательской практики, при работе над магистерской диссертацией.
2. Содержание дисциплины
2.1. Объем дисциплины и виды учебной работы
Семестр – 9, вид отчетности – экзамен
Вид учебной работы
Трудоемкость изучения дисциплины
Обязательная аудиторная учебная нагрузка (всего)
Объем часов/
зачетных единиц
108/3
36
В том числе:
лекции
18
практические занятия
6
контроль самостоятельной работы
12
Самостоятельная работа студента (всего)
36
В том числе:
подготовка к практическим занятиям
3
самостоятельное изучение тем
11
подготовка реферата
16
подготовка к контрольным работам
4
получение индивидуальных консультаций преподавателя
2
Подготовка и сдача экзамена
36
4
2.2 Тематический план учебной дисциплины
2.2.Тематический
план учебной
дисциплины
Наименование
разделов и тем
Введение.
Предмет и задачи
курса.
Тема 1.
Методы очистки и
получения
полупроводниковых
материалов
Содержание учебного материала, лабораторные
работы и практические занятия, самостоятельная
работа обучающихся, курсовая работа (проект)
Объем
часов/
зачетных
единиц
Лекции
1
Основные направления развития технологии
полупроводниковых материалов и приборов
2
Роль и значение технологии на современном
этапе развития физики и техники
полупроводников
3
Основные электрофизические свойства
полупроводников
4
Основные физико-химические и
технологические свойства кремния, германия,
арсенида галлия, карбида кремния
5
Маркировка кристаллов и структур
2
Самостоятельная работа студента
1
Требования, предъявляемые к
полупроводникам, химическим реактивам,
окружающей атмосфере
2
Основные группы полупроводников
Лекции
2
1
2
3
4
5
Особочистые вещества и монокристаллы
Методы очистки полупроводниковых
материалов
Кристаллизационные методы очистки и
выращивания полупроводников
Зонная перекристаллизация. Теория метода
Методы вытягивания из расплава. Теория
метода
Образовательные
технологии
Проблемная
лекция
Технология
развития
аналитического
мышления
Формируемые
компетенции/
уровень
освоения*
Формы текущего
контроля
Контролирующая
консультационная
форма
ПК-12/1
ПК-13/1
Самостоятельное
изучение
Устный опрос
2
Лекция
ОК-1/1
ПК-12/1
ПК-13/1
Контролирующая
консультационная
форма
5
Метод нормальной направленной
кристаллизации
Практические занятия
1
Расчет распределения концентрации примеси
вдоль слитка после выращивания
6
Самостоятельная работа студента
2
Технологические особенности синтеза, очистки
и выращивания монокристаллических
соединений А3В5
3
4
Подготовка к практическим занятиям
Подготовка к контрольной работе №1
Лекции
1
Методы выравнивания концентрации примесей
в кристаллах
2
Легирование слитков при выращивании
3
Радиационное легирование полупроводников
4
Диффузионное легирование
Самостоятельная работа студента
1
Технологические особенности синтеза, очистки
и выращивания монокристаллических
соединений А2В6
Контроль самостоятельной работы
1
Контрольная работа №1
Тема2.
Диффузия в
полупроводниках
Лекции
1
Закономерности диффузии в полупроводниках.
Законы Фика, Аррениуса
2
Основные механизмы диффузии в
полупроводниках
2
1
1
2
Беседа
Самостоятельное
изучение
Индивидуальная
самостоятельная
подготовка
Устный опрос
ОК-1/1
ПК-12/1
ПК-13/1
Устный опрос
2
Контролирующая
консультационная
форма
Лекция
1
2
2
Кейс-технология
Самостоятельное
изучение
Беседа
Самостоятельная
письменная
работа
2
2
Информационная
лекция
ОК-1/1
ОК-5/1
ПК-3/1
ПК-12/1
ПК-13/1
Устный опрос
Устный опрос
Оценка
ОК-1/1
ОК-5/1
ПК-3/1
ПК-12/1
ПК-13/1
Контролирующая
консультационная
форма
6
Математические основы диффузии в
полупроводниках.
4
Распределение примесей в полупроводниках
при диффузии из мгновенного источника
5
Комплексообразование и влияние внутреннего
электрического поля на диффузию примесей в
полупроводниках
Практические занятия
1
Расчет распределения концентрации примеси в
полубесконечном полупроводнике
2
Определение глубины залегания p/n перехода
Самостоятельная работа студента
1
Подготовка к практическим занятиям
2
Особенности диффузии примесей в
полупроводниках при больших концентрациях
3
Методы измерения основных диффузионных
параметров
Лекции
1
Методы исследования диффузии в
полупроводниках
Самостоятельная работа студента
3
1
Подготовка к контрольной работе
Контроль самостоятельной работы
1
Контрольная работа №2
Тема 3.
Получение
полупроводниковых
пленок
Лекции
1
Методы получения пленок
2
Термическое испарение в вакууме
3
Физическое катодное и реактивное катодное
распыление
4
Химический метод
5
Ионно-плазменное распыление и
плазмохимическое.
4
2
2
Инновационные
методы активного
обучения
Беседа
ОК-1/2
Устный опрос
Кейс-технология
Самостоятельное
изучение
Устный опрос
2
Информационная
лекция
Контролирующая
консультационная
форма
1
Кейс-технология
Индивидуальная
подготовка
Самостоятельная
письменная
работа
2
ОК-1/2
ОК-5/1
ПК-2/1
ПК-3/1
ПК-12/1
ПК-13/1
Оценка
2
Информационная
лекция
Промежуточная
аттестация
7
Тема 4.
Технология
полупроводниковых
приборов и
интегральных
микросхем
Тема 5.
Планарная
технология
изготовления
полупроводниковых
приборов и
интегральных
микросхем
6
Эпитаксиальные пленки
Самостоятельная работа студента
1
Методы легирования пленок.
2
Применение пленок в производстве
полупроводниковых приборов и интегральных
схем
Лекции
1
Механическая обработка полупроводников
2
Получение выпрямляющих переходов
3
Сплавление, напыление, химическое осаждение,
формовка, ионное облучение, диффузия
4
Защита переходов, способы защиты
5
Герметизация приборов и схем
Самостоятельная работа студента
1
Резка слитков, пластин.
2
Шлифовка, полировка пластин, кристаллов
3
Требования к качеству обработки поверхности
4
Получение индивидуальных консультаций
преподавателя
Лекции
1
Особенности планарной технологии
2
Основные способы получения слоев окисла
кремния
3
Фотолитография, рентгенолитография
4
Электронная и ионная литография
5
Шаблоны, резисты
6
Контрольная работа №3
Самостоятельная работа студента
1
Локальная эпитаксия, диффузия, окисление
Лекции
1
Пример изготовления ИС на основе p-n-p
транзистора
2
Основные тенденции развития технологии ИС
2
Кейс-технология
Самостоятельное
изучение
Устный опрос
2
Информационная
лекция
2
Кейс-технология
Самостоятельное
изучение
2
Беседа
ОК-1/1
ПК-2/1
ПК-3/1
ПК-12/1
ПК-13/1
Контролирующая
консультационная
форма
Устный опрос
2
Информационная
лекция
1
Кейс-технология
Самостоятельное
изучение
2
Информационная
лекция
ОК-1/2
ОК-5/1
ПК-2/2
ПК-3/1
ПК-12/1
ПК-13/1
Контролирующая
консультационная
форма
Устный опрос
Контролирующая
консультационная
форма
8
Самостоятельная работа студента
3
Подготовка к контрольной работе №3
1
Индивидуальная
подготовка
Контроль самостоятельной работы
4
Беседа
2
Самостоятельная
письменная
работа
Оценка
Реферат
Собеседование по
реферату
1
Контрольная работа №3
Подготовка
16
реферата
Подготовка и сдача
Устный опрос
36
экзамена
Всего:
108/3
*В таблице уровень усвоения учебного материала обозначен цифрами:
1. – репродуктивный (освоение знаний, выполнение деятельности по образцу, инструкции или под руководством);
2. – продуктивный (планирование и самостоятельное выполнение деятельности, решение проблемных задач; применение умений в новых
условиях);
3.– творческий (самостоятельное проектирование экспериментальной деятельности; оценка и самооценка инновационной деятельности).
9
2.3 Содержание учебного курса
Введение. Предмет и задачи курса.
Основные направления развития технологии. Роль и значение технологии на
современном этапе развития физики и техники полупроводников.
Основные
электрофизические
свойства
полупроводников.
Требования,
предъявляемые к полупроводниковым материалам, химическим реактивам, окружающей
атмосфере,
обслуживающему
персоналу
.Основные
физико-химические
и
технологические свойства германия, кремния, арсенида галлия, карбида кремния. Влияние
примесей и дефектов структуры на электрофизические свойства указанных проводников.
Маркировка кристаллов и структур.
Тема 1. Методы очистки и получения полупроводниковых материалов.
Особочистые
вещества
и
монокристаллы.
Методы
очистки
веществ
полупроводниковой электроники. Кристаллизационные методы очистки и выращивания
полупроводников.
Транспортные химические реакции. Кристаллизационные методы. Зонная
перекристаллизация (зонная плавка, метод Пфанна). Бестигельная зонная плавка. Теория
метода Пфанна. Метод вытягивания кристаллов из расплава (метод Чохральского). Метод
нормальной направленной кристаллизации (метод Бриджмена). Метод Стокбаргера.
Теория методов Чохральского и Бриджмена. Методы выравнивания концентраций
примесей в кристаллах.
Легирование полупроводоников. Легирование слитков при выращивании.
Радиационное легирование полупроводников. Диффузионное легирование.
Изготовление сложных полупроводниковых соединений. Технологические
особенности синтеза, очистки и выращивания монокристаллических соединений А3В5.
Методы изготовления соединений типа А2В6.
Тема 2. Диффузия в полупроводниках.
Закономерности диффузии в полупроводниках. Основные механизмы диффузии
примесей в полупроводниках. Закономерности процесса диффузии. Законы Фика,
Аррениуса. Корреляция между диффузией и растворимостью примесей в кремнии и
германии.
Математические основы диффузии в полупроводниках. Распределение примесей в
полупроводниках при условии диффузии из постоянного источника, мгновенного
источника. Особенности диффузии примесей в полупроводниках при больших
концентрациях. Методы измерения основных диффузионных параметров. Диффузия
примесей в условиях взаимодействия. Механизмы диффузии. Комплексообразование и
диффузия. Влияние внутреннего электрического поля на диффузию. Закономерности
диффузии. Исследование диффузии в полупроводниках. Методы исследования диффузии:
прямые, косвенные.
Тема 3. Получение полупроводниковых пленок.
Методы получения. Термическое испарение в вакууме. Физическое катодное и
реактивное катодное распыление, химический метод. Ионно-плазменное распыление.
Плазмохимическое осаждение. Эпитаксиальные пленки. Методы легирования пленок.
Применение пленок в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем
(ИС).
Тема 4. Технология полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Механическая обработка полупроводников. Резка слитков, пластин. Шлифовка,
полировка. Требования к качеству обработки поверхности.
Химическая обработка полупроводников. Химико-динамическая полировка, ионно10
плазменная обработка, плазмохимическое травление. Обработка после травления.
Получение выпрямляющих переходов. Типы переходов. Контакты омические и
выпрямляющие. Контакт металл-полупроводник. Р/n переход. Свойства переходов.
Методы получения переходов. Сплавление, напыление, химическое осаждение, формовка,
ионное облучение, диффузия.
Защита переходов. Методы защиты, материалы, устройства. Герметизация приборов
и схем.
Тема 5. Планарная технология изготовления полупроводниковых приборов и
интегральных схем.
Особенности планарной технологии. Основные способы получения слоев окиси
кремния.
Изготовление интегральных
схем.
Фотолитография, рентгенолитография,
электронная и ионная литографии. Шаблоны, резисты. Локальные эпитаксии, диффузия,
окисление. Пример изготовления ИС на основе p-n-p транзистора. Основные тенденции
развития технологии ИС.
3.Организация входного, текущего и промежуточного контроля обучения
3.1. Организация контроля:
 Текущий контроль - использование балльно-рейтинговой системы;
 Промежуточная аттестация выставляется на основании балльно-рейтинговой
системы.
3.2. Тематика рефератов, проектов, заданий.
1. Особенности и перспективы развития технологии полупроводниковых
материалов и приборов
2. Дефекты в полупроводниковых материалах и их влияние на электрофизические
и технологические свойства полупроводников.
3. Особенности легирования полупроводников примесями в условиях их
взаимодействия с дефектами кристаллической решетки и подвижными носителями заряда.
4. Технологические особенности и применение молекулярно-лучевой эпитаксии.
5. Дислокации и их влияние на диффузию и растворимость примесей в
полупроводниках и полупроводниковых структурах.
6. Использование эпитаксии при изготовлении полупроводниковых приборов и
структур.
7. Методы и средства контроля параметров пленок в процессе их напыления.
3.3. Курсовая работа.
Курсовая работа по дисциплине не предусмотрена.
3.4. Балльно-рейтинговая система.
Максимальная сумма баллов, набираемая студентом по дисциплине “Технология
полупроводниковых материалов и приборов”, закрываемой семестровой (итоговой)
аттестацией, равна 100.
На основе набранных баллов, успеваемость студентов в семестре определяется
следующими
оценками:
“отлично”,
“хорошо”,
“удовлетворительно”
и
“неудовлетворительно”.
 “Отлично” – от 86 до 100 баллов – теоретическое содержание курса освоено
полностью, без пробелов, необходимые практические навыки работы с
освоенным материалом сформированы, все предусмотренные программой
11
обучения учебные задания выполнены, качество их выполненияоценено числом
баллов, близким к максимальному.
 “Хорошо” - от 74 до 85 баллов – теоретическое содержание курса освоено
полностью, без пробелов, некоторые практические навыки работы с освоенным
материалом сформированы недостаточно, все предусмотренные программой
обучения учебные задания выполнены, качество выполнения ни одного из них
не оценено минимальным числом баллов, некоторые виды заданий выполнены с
ошибками.
 “Удовлетворительно” - от 61 до 73 баллов - теоретическое содержание курса
освоено частично, но пробелы не носят существенного характера, необходимые
практические навыки работы с освоенным иатериалом в основном
сформированы, большинство предусмотренных программой обучения учебных
заданий выполнено, некоторые из выполненных заданий, возможно, содержат
ошибки.
 “Неудовлетворительно” - 60 и менее баллов – теоретическое содержание курса
не освоено, необходимфе практические навыки не сформированы, выполненные
учебные задания содержат грубые ошибки, дополнительная самостоятельная
работа над материалом курса не приведет к существенному повышению
качество выполнения учебных заданий.
Баллы, характеризующие успеваемость студента по дисциплине, набираются им в
течение всего периода обучения за изучение отдельных тем и выполнение отдельных
видов работ.
Распределение баллов, составляющих основу оценки работы студента по
изучению дисциплины “Технология полупроводниковых материалов и приборов ” в
течение 12 недель 1-го года обучения, 9 семестра.
1. Посещение занятий (1 балл в неделю)
2. Контрольные мероприятия
Контрольная работа №1
Контрольная работа №2
Контрольная работа №3
Выступление на семинарском занятии
до 12 баллов
до 62 баллов
до 20 баллов
до 20 баллов
до 19 баллов
1 выступление – 1
балл
(всего
баллов)
3. Выполнение дополнительных заданий в течение
семестра
Участие в научной конференции
Реферат
Ответ на экзамене
до
3-х
до 26 баллов
до 12 баллов
до 14 баллов
до 30 баллов
Итого:
100+30 баллов
4. Сведения о материально-техническом обеспечении дисциплины
№ п/п
1
2
Наименование оборудованных
учебных кабинетов, лабораторий
Лекционная аудитория
с интерактивной доской
Компьютерный класс
Перечень оборудования и
технических средств обучения
Мультимедийное оборудование
Компьютеры с выходом в Интернет
12
5. Литература
5.1 Основная
1. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков.
- М.: МИСИС, 2003 - 15 экз.
2. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических
приборов. - СПб.: Изд-во «Лань», 2002 - 3 экз.
3. Рощин В. М., Силибин М.В. Технология материалов микро-, опто- и
наноэлектроники : учеб. пособие для вузов. Ч. 2. М. : Бином. Лаборатория знаний,
2010 – 1 экз.
4. Раскин А.А., Прокофьева В.К .Технология материалов микро-, опто- и
наноэлектроники. Ч. 1. М. : Бином. Лаборатория знаний, 2010. – 1экз.
5.2. Дополнительная
1. Физика твердого тела. Лабораторный практикум. Т.1.Методы получения твердых тел
и исследования их структуры. Под редакцией А.Ф.Хохлова.- М.: Высшая школа,
2001 - 12 экз.
2. Таиров Ю.М., Цветков В.Д. Технология полупроводниковых и диэлектрических
материалов. – М.: Высшая школа, 1990 – 1экз.
3. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. - СПб.: Изд-во
«Лань», 2001. - 1 экз.
4. Чепурнов В,И, Сивакова К.П. Получение тонких пленок методом магнетронного
распыления на постоянном токе. Самара: изд СамГУ, 2007.
5. Парфенов О. Д.. Технология микросхем : Учеб. пособ. для студ. вузов. М. : Высшая
школа, 1977.
6. Крапухин В.В. и др. Физико-химические основы технологии полупроводниковых
материалов . М. :Металлургия, 1982.
7. Редкие и рассеянные элементы. Химия и технология : учеб. для вузов: В 3 кн. Кн. 3 /
С.С. Коровин [и др.] ; Под общ. ред. С.С. Коровина .— М. : МИСИС, 2003.
8. Чепурнов В.И., Сивакова К.П. Учеб. пособ. Эпитаксия в микроэлектронике. Самара:
изд. СамГУ, 2009.
9. Гуртов В.А. Твердотельная электроника. М.: Техносфера, 2005 – 2 экз.
10. Технология материалов микро- и наноэлекроники / Л.В. Кожитов и др. - М. :
МИСИС, 2007 – 1 экз.
5.3. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины для
организации самостоятельной работы студентов (содержит перечень основной
литературы, дополнительной литературы, программного обеспечения и Интернетресурсы).
1.
2.
3.
4.
Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и
диэлектриков. - М.: МИСИС, 2003 - 15 экз.
Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических
приборов. - СПб.: Изд-во «Лань», 2002 - 3 экз.
Рощин В. М., Силибин М.В. Технология материалов микро-, опто- и
наноэлектроники : учеб. пособие для вузов. Ч. 2. М. : Бином. Лаборатория знаний,
2010 – 1 экз.
Раскин А.А., Прокофьева В.К .Технология материалов микро-, опто- и
наноэлектроники. Ч. 1. М. : Бином. Лаборатория знаний, 2010. – 1экз.
13
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
26.
27.
Физика твердого тела. Лабораторный практикум. Т.1.Методы получения твердых
тел и исследования их структуры. Под редакцией А.Ф.Хохлова.- М.: Высшая
школа, 2001 - 12 экз.
Таиров Ю.М., Цветков В.Д. Технология полупроводниковых и диэлектрических
материалов. – М.: Высшая школа, 1990 – 1экз.
Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. - СПб.: Изд-во
«Лань», 2001. - 1 экз.
Чепурнов В,И, Сивакова К.П. Получение тонких пленок методом магнетронного
распыления на постоянном токе. Самара: изд СамГУ, 2007 – 100%
Чепурнов В.И., Фридман Т.П. Учеб пособ. Физика полупроводников и
диэлектриков. Самара: изд. СамГУ, 2003 – 100%.
Парфенов О. Д.. Технология микросхем : Учеб. пособ. для студ. вузов. М. :
Высшая школа, 1977 – 1 экз.
Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых
приборов и интегральных микросхем. – М.: Высшая школа, 1986 – 2 экз
Крапухин В.В. и др. Физико-химические основы технологии полупроводниковых
материалов . М. :Металлургия, 1982 – 2 экз.
Редкие и рассеянные элементы. Химия и технология : учеб. для вузов: В 3 кн. Кн. 3
/ С.С. Коровин [и др.] ; Под общ. ред. С.С. Коровина .— М. : МИСИС, 2003 – 1 экз
Чепурнов В.И., Сивакова К.П. Учеб.пособ. Эпитаксия в микроэлектронике.
Самара: изд. СамГУ, 2009 – 100 %
Гуртов В.А. Твердотельная электроника. М.: Техносфера, 2005 – 2 экз.
Технология материалов микро- и наноэлекроники / Л.В. Кожитов и др. - М. :
МИСИС, 2007 – 1 экз.
Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной техники.
Задачи и вопросы. – СПб.: Изд-во «Лань», 2003 - 2 экз.
Комов А.Н., Покоева В.А., Латухина Н.В. Практикум по физике полупроводников
и диэлектриков. – Самара: Изд-во «Самарский университет», 2001 – 100%
Чепурнов В.И., Покоева В.А., Сивакова К.П. Диффузионные процессы в
микроэлектронной технологии - учебное пособие – Самара: Изд-во “Самарский
университет,” 2008 - 100%
Материаловедение / Наука и технологии .— М. : ООО "Наука и технологии", 1997В библиотеке СамГУ со 2-го пол. 2006; 2007-2009.
Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики / Российская
Академия наук. Отд-ние общей физики и астрономи. Ин-т физических проблем им.
П.Л.Капицы .— М. : Наука, 1965- .— В библиотеке СамГУ 2002-2010 .
Письма в журнал технической физики / Российская Академия наук. Отд. общей
физики и астрономии. Физико-технический ин-т им. А.Ф.Иоффе .— СПб. : Наука,
1975- .— В библиотеке СамГУ 1982-2010 гг.
Журнал экспериментальной и теоретической физики / Российская Академия наук
.— М. : Наука, 1873- .— В библиотеке СамГУ 2002-2010 гг.
Журнал технической физики / Российская Академия наук. Отд-ние общей физики и
астрономии. Физико-технич. ин-т им. А.Ф.Иоффе .— СПб. : Наука, 1931- .— В
библиотеке СамГУ 1931-1942,1944-1960,1967-1968,1971-2010 гг
Известия высших учебных заведений. Сер. Приборостроение
/ СанктПетербургский государственный университет информационных технологий,
механики и оптики .— СПб., 1958 .В библиотеке СамГУ 1973,1975-1994, со 2-го
пол. 2007-2010.
Вестник Самарского государственного университета : Журнал / Самарский
государственный университет .— Самара : Самарский университет, 1995- .—
(Естественнонаучная серия) .— В библиотеке СамГУ 1995-1998, 2000-2009 гг
http://www.edu.ru/ — Федеральный портал Российское образование (единое окно
14
28.
29.
30.
31.
32.
доступа к образовательным ресурсам).
www.ioffe.ru – сайт Физико-технического ин-та им. А.Ф Иоффе РАН. электронные
версии журналов «Физика и техника полупроводников» «Физика твердого тела»,
«Журнал технической физики», «Письма в журнал технической физики»
http://www.phys.msu.ru/rus/library/resources-online/
— электронные учебные
пособия, изданные преподавателями физического факультета МГУ.
http://www.phys.spbu.ru/library/
электронные
учебные пособия, изданные
преподавателями физического факультета Санкт-Петербургского госуниверситета.
http://www.phys.spbu.ru/library/elibrary/ — некоторые вузовские учебники
(электронный вариант).
http://prola.aps.org/ — архив журналов Американского физического общества
15