Elektronika

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI
OLIY VA O’RTA MAXSUS TA’LIM VAZIRLIGI
O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA
KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
NUKUS FILIALI
«Kompyuter injiniringi» fakulteti Dasturiy injiniringi yo'nalishi
2-kurs 104-21 gurux talabasi
Sabirova Nigoraning
Elektronika va sxemalar fanidan
Laboratoriya ishi
TOPSHIRGAN:
_____________________
QABUL QILGAN: _____________________
Nukus 2022
________
________
10-laboratoriya ishi
Optronni tadqiq etish
Ishning maqsadi: Optronlar ishlashini va parametrlarini o‘lchash uslublarini
o‘rganish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:
Optronlar – funksional elektronikaaning zamonaviy yo‘nalishlaridan biri –
optoelektronikaning asosiy struktura elementi hisoblanadi.
Eng sodda diodli optron (1– rasm) uchta elementdan tashkil topgan: fotonurlatgich
1, nur o‘tkazgich 2 va foto qabul qilgich 3 bo‘lib, yorug‘lik nuri tushmaydigan
germetik korpusga joylashtirilgan. Kirishga elektr signali berilsa fotonurlatgich
qo‘zg‘otiladi. Yorug‘lik nuri nur o‘tkazgich orqali foto qabul qilgichga tushadi va
unda chiqish elektr signali yuzaga keladi. Optronning asosiy xususiyati shundaki,
undagi elementlar o‘zaro nur orqali bog‘langan bo‘lib, kirish bilan chiqishlar esa
elektr jihatdan bir – biridan ajratilgan. Shu xususiyatidan kelib chiqqan holda, yuqori
kuchlanishli va past kuchlanishli zanjirlar bir – biri bilan oson muvofiqlashtiriladi.
1- rasm. Sodda diodli optron
2- rasm.Diodli optronning
shartli belgisi
Sxema 1
Run:
Sxema 2
Run :
Sxema 3
Run:
Sxema 4
Run:
11-laboratoriya ishi
UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy
statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o‘lchash va
tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:
Grafik ko‘rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog‘liqlik
tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy emitter ulanish sxemasida
mustaqil o‘zgaruvchilar sifatida baza toki
u КE
iB
va kollektor – emitter kuchlanishi
tanlanadi, shunda:
u EB  f iB , u КE 

iК  f iB , u КE 
(11.1)
Ikki o‘zgaruvchili funktsiya grafik ko‘rinishda xarakteristikalar oilasi kabi
tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi
1 b-rasmda keltirilgan.
a)
b)
1- rasm. UE ulanish sxemasidagi BT ni kirish (a)
va chiqish xarakteristikalar oilasi (b)
Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog‘liqlik bilan ifodalanadi:
uEB  f iB  , u КE  const bo‘lganda
iК  f u КE , iB  const bo‘lganda
Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda I Bт , U BEт , I Km , U КEт
(11.2)
(11.3)
i B 0
va U КE 0 qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli
bog‘liqliklar (5.1-5.3), chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan
tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.
U BEт  h11I Bт  h12U КEт

I Кт  h21I Bт  h22U КEт
Sxema 1
Run:
(11.4)
Sxema 2
Run:
Sxema 3
Run:
Sxema 4
Run:
12 laboratoriya ishi
UB ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UB ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy
statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o‘lchash va
tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko’rish:
Grafik ko‘rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog‘liqlik
tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy baza ulanish sxemasida
mustaqil o‘zgaruvchilar sifatida emitter toki i E va kollektor – baza kuchlanishi
uКB
tanlanadi, shunda:
u EB  f iE , u КB 

(12.1)
iК  f iE , u КB 
Ikki o‘zgaruvchili funktsiya grafik ko‘rinishda xarakteristikalar oilasi kabi
tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi
1 b-rasmda keltirilgan. Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog‘liqlik bilan
ifodalanadi:
uEB  f iE  , u КB  const , bo‘lganda
iК  f uКB  , iE  const , bo‘lganda
Sxema 1
(12.2)
(12.3)
Run:
Sxema 2
Run:
Sxema 3
Run: