Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ И ПИЩЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ Кафедра электротехники и электроники РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ Методические указания к курсовой работе для студентов, обучающихся по специальности 220301 и по направлению 220200 всех форм обучения Санкт-Петербург 2008 3 УДК 621.3 Дорошков А.В. Расчет выходного каскада усилителя: Метод. указания к курсовой работе для студентов, обучающихся по специальности 220301 и по направлению 220200 всех форм обучения. – СПб.: СПбГУНиПТ, 2008. – 31 с. Сформулирована цель курсовой работы и даны задания для расчета 30 вариантов бестрансформаторных выходных каскадов (усилителей мощности) переменного тока низкой частоты. Указаны требования к содержанию пояснительной записки и графической документации. Приведена методика расчета. В приложении даны статические характеристики ряда мощных биполярных транзисторов, применяемых в усилителях. Рецензент Канд. техн. наук, доц. Ю.А. Рахманов Рекомендованы к изданию редакционно-издательским советом университета Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий, 2008 4 ВВЕДЕНИЕ Цель работы и задание для расчета Основной целью курсовой работы является овладение методикой и навыками инженерного расчета бестрансформаторных выходных каскадов (усилителей мощности) переменного тока на транзисторах. Работа выполняется в соответствии с учебным планом студентами, обучающимися по направлению подготовки бакалавров 220200 «Автоматизация и управление» и по направлению подготовки дипломированных специалистов 220301 «Автоматизация технологических процессов и производств пищевой промышленности» всех форм обучения. Исходные данные для расчета выходного каскада приведены в табл. 1. В ней даны эффективные величины напряжений UН на нагрузке. Выходной каскад должен быть спроектирован как функционально законченное устройство с минимальным числом источников питающих напряжений. В нем необходимо предусмотреть контрольные точки для измерения токов и напряжений в наиболее характерных узлах схемы. Результаты выполнения курсовой работы представляются в виде пояснительной записки и схемы электрической принципиальной рассчитанного усилителя. Номер задания Сопротивление нагрузки RН, Ом Сопротивление источника сигнала Rг, Ом Номинальное выходное напряжение UН , В Нижняя граничная частота fН, Гц Верхняя граничная частота fВ, кГц Допустимый фазовый сдвиг φдоп, град Диапазон рабочих температур tН…tВ, оС Таблица 1 1 2 3 4 5 4 10 12 4 6 4 10 12 4 6 8 20 12 9 10 20 400 400 20 300 15 10 10 20 2 30 30 30 20 15 0…40 0…40 0…50 0…40 0…50 5 Номер задания Сопротивление нагрузки RН, Ом Сопротивление источника сигнала Rг, Ом Номинальное выходное напряжение UН , В Нижняя граничная частота fН, Гц Верхняя граничная частота fВ, кГц Допустимый фазовый сдвиг φдоп, град Диапазон рабочих температур tН…tВ, оС Окончание табл. 1 6 20 20 24 80 10 20 0…40 7 8 4 8 4 8 10 12 60 60 2 2 15 15 0…30 0…40 9 10 12 10 12 10 8 10 100 20 5 2 15 20 0…60 0…60 11 1 1 5 200 1 20 0…40 12 1 1 4 20 1 30 0…50 13 14 6,8 1 6,8 1 8 8 300 20 3,4 1,8 20 10 0…50 0…30 15 16 6 6 6 6 7 6 20 50 15 5 30 15 0…50 0…50 17 18 2 10 2 10 6 10 400 40 3 10 20 15 0…45 0…50 19 20 5 2 5 2 10 5 20 150 20 3 20 15 0…40 0…50 21 22 52 7 52 7 24 8,5 80 60 10 10 20 20 0…30 0…55 23 24 19 4 19 4 16 12 20 20 10 10 30 15 0…50 0…40 25 26 4 13 4 13 7 13 800 15 4 20 15 12 0…50 0…50 27 28 6 5,3 6 5,3 10 6 50 25 8 10 30 30 0…35 0…45 29 30 24 11 24 11 17 9 10 40 1 4 30 25 0…50 0…60 6 Требования к пояснительной записке Пояснительная записка к курсовой работе выполняется рукописным или машинописным способом на одной стороне листа формата А4 в соответствии с требованиями действующих стандартов. Она должна содержать: – Титульный лист (см. прил. 1). – Задание на курсовую работу. – Содержание. – Перечень условных обозначений, символов, единиц и терминов (если они имеются). – Введение. – Выбор принципиальной схемы выходного каскада и описание ее работы. – Выбор выходных транзисторов. – Определение режима работы выходных транзисторов по постоянному току и построение линии нагрузки. – Выбор предвыходных транзисторов. – Определение режимов работы предвыходных транзисторов по постоянному току и построение линии нагрузки. – Определение основных параметров выходного каскада. – Расчет элементов межкаскадной связи. – Заключение. – Список литературы. – Перечень элементов (если он не выполнен на поле схемы электрической принципиальной). Все рисунки в тексте должны иметь подрисуночные подписи. Рисунки, содержащие построения, должны иметь масштабную сетку. Буквенно-цифровые обозначения условных графических обозначений на рисунках, содержащих схемы, допускается проставлять не по сквозной нумерации. Номиналы резисторов и конденсаторов, типы транзисторов должны быть указаны на рисунках схем пояснительной записки. В тексте пояснительной записки по ходу выбора элементной базы должны быть приведены основные справочные данные применяемых транзисторов. 7 Рисунки и схемы можно и желательно выполнять с применением современных компьютерных технологий, используя возможности таких программ как PCAD, Accel PCAD, AutoCAD и др. При окончательном оформлении курсовой работы пояснительная записка сшивается. Требования к оформлению электрической схемы Электрическая схема по формату, условным графическим обозначениям, шрифтам и масштабам строго должна соответствовать требованиям действующих стандартов. Схема может быть выполнена в карандаше либо при помощи графопостроителя (плоттера) на формате А3 или А4. Не допускается склеивание формата. Перечень элементов может выполняться как на свободном поле схемы электрической принципиальной, так и в виде отдельного конструкторского документа. Буквенно-цифровые позиционные обозначения на схеме должны быть проставлены в соответствии с требованиями ЕСКД – слева направо, сверху вниз. Высота букв и цифр должна быть одинаковой и при выполнении карандашом шрифт должен быть не менее 5. Порядок защиты курсовой работы Защита курсовой работы проводится только после проверки окончательно оформленной пояснительной записки и электрической схемы преподавателем, ведущим курсовое проектирование. Полностью оформленная курсовая работа должна быть сдана на проверку не позднее, чем за неделю до защиты. Допуск к защите заверяется подписью преподавателя, ведущего курсовое проектирование. Защита курсовой работы осуществляется публично перед комиссией, состоящей из ведущего лектора и преподавателя, ведущего курсовое проектирование. На защите студенту предоставляется 5–8 минут для доклада, в котором он в сжатой форме должен осветить основные моменты работы, а именно: – Назначение спроектированного усилителя мощности и технические требования, предъявленные к нему в задании на работу. 8 – Пути решения поставленной задачи, выбор оптимальных вариантов построения. – Состав и принцип действия усилителя. – Реализация функциональных блоков и особенности схемотехнического решения. – Использованные компьютерные технологии и особенности применения программных продуктов. – Результаты экспериментальных исследований или компьютерного моделирования (в случае их проведения). – Особенности настройки и эксплуатации спроектированного усилителя. После доклада студент должен ответить на вопросы, которые ему могут быть заданы членами комиссии и присутствующими на защите. Оценка курсовой работы выставляется с учетом полноты и содержательности ответов при защите, объема и качества проделанной работы, степени самостоятельности, аккуратности оформления и систематичности работы в течение семестра. Оценка выставляется на титульном листе, заверяется подписями членов комиссии и заносится в ведомость и зачетную книжку студента. Пересдача курсовых работ не разрешается. В целях повышения оценки по курсовой работе с разрешения деканата студенту может быть выдано новое задание на курсовую работу и после его выполнения производится защита. ВЫБОР И РАСЧЕТ ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ Принципиальную схему проектируемого выходного каскада составляют на основе типовой схемы (рис. 1). На данном этапе схема является ориентировочной, поскольку после выполнения расчетов может потребоваться ее корректировка. Например, для увеличения величины входного сопротивления проектируемого усилителя окажется необходимым увеличение числа транзисторов в плечах каскада и т. п. При составлении принципиальной схемы необходимо учесть следующее: 9 – Коэффициент усиления по напряжению бестрансформаторного выходного каскада меньше единицы и обычно лежит в следующих пределах: К uВК 2U н ВК U вх m 0,85...0,95 , ВК где U вх – амплитудное значение напряжения на входе входного m каскада. – Выходной каскад лучше следует выполнять на комплементарных парах транзисторов. – В качестве элементов связи между источником сигнала, каскадами и нагрузкой проще всего использовать разделительные конденсаторы, которые устраняют взаимосвязь каскадов по постоянному току. – Для питания усилителя целесообразно применять двуполярные источники питания. R1 +E п VT1 VT3 Rп R3 C2 Uн VD1 R4 C1 VD2 VT4 Rн VT2 U вх R2 -E п Рис. 1. Бестрансформаторный выходной каскад на комплементарных транзисторах с диодно-резистивной регулирующей цепочкой (VD1, VD2, Rп) 10 Расчет выходного каскада заключается в решении следующих основных задач: – составление принципиальной схемы выходного каскада, позволяющей реализовать требуемые коэффициенты усиления сигнала по мощности и напряжению, а также обладающей КПД не менее 40…55 %; – подбор транзисторов, исходя из требуемой мощности Pн в нагрузке, температуры окружающей среды tв и заданного либо выбираемого напряжения Eп источника питания; – выбор оптимальных режимов работы транзисторов по постоянному току, обеспечивающих малый уровень нелинейных искажений в заданном интервале температур; – определение электрических параметров выходного каскада по ВК переменному току (входного сопротивления Rвх , коэффициентов усиления по току К iВК , напряжению К uВК и мощности К ВК p ; амплиВК ВК туд входного тока I вх и напряжения U вх ); m m – нахождение минимально-необходимой площади S радиаторов. 1. Выбор выходных транзисторов Амплитудное значение коллекторного напряжения транзистора VT 3 (VT 4) (см. рис. 1) U кm3 2U н , где U н – эффективное значение напряжения на нагрузке. Амплитуда импульса коллекторного тока транзистора VT 3 (VT 4) I кm3 U кm3 . Rн Мощность, выделяемая каскадом в нагрузке U н2 Pн . Rн 11 Необходимое напряжение источника питания Еn = (1,01…1,1) (U кm3 + I кm3 rнас ), где rнас = (0,1…1) – внутреннее сопротивление транзистора в режиме насыщения, Ом. Величину источника питания следует выбирать из ряда: (5, 6, 9, 12, 15, 18, 24, 27, 36, 48) В. Ориентировочная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора Pк3 (0,4...0,9)Pн . Используя полученные значения Pк3 , I кm3 , Eï , из компьютерной базы кафедры подбирают транзисторы VT 3 и VT 4 , отдавая предпочтение приборам с малым обратным током I к 0 . Отбор выполняется в два этапа. На первом этапе проверяют, удовлетворяют ли предельнодопустимые параметры транзисторов следующей системе неравенств: Pк доп 20 (1,2...1,4) Pк3 ; U кэ доп 2,2 Eп ; I к доп 1,15I кm3 . Если да, то переходят ко второму этапу, на котором проверяют могут ли транзисторы VT 3 и VT 4 при наибольшей температуре своих корпусов (коллекторов) tк max рассеивать мощность, не меньшую, чем 1,1Pк3 . Для этого рассчитывают Pк' доп Pк доп [1 0,01(tк max 20 C)] , 20 где tк max tв (15...30) – максимальная температура коллекторного перехода, C; t в – верхнее значение диапазона рабочих температур, C. 12 Если оказывается, что Pк' доп 1,1Pк3 , то транзисторы подходят. Из компьютерной базы и из прил. 2 настоящих методических указаний необходимо перерисовать выходные и входные статические характеристики выбранных транзисторов и выписать их следующие основные предельно-допустимые параметры: Pк доп – максимально допустимая постоянная рассеиваемая 20 мощность на коллекторе при 20 С, Вт; U кэ доп – максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером, В; I к доп – максимально допустимый постоянный ток коллектора, А; h21э min – минимальный коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером; TП доп – максимально допустимая температура перехода, оС; Rt п к – тепловое сопротивление подложка-корпус, оС/Вт; I к0 20 C – обратный ток коллектора при 20 С, мкА. 2. Выбор режима работы по постоянному току и построение линии нагрузки Если в справочниках дается максимальное значение обратного тока коллектора I к 0 max (при максимально возможной температуре tк max коллекторного перехода транзистора), то ток покоя коллектора I oк3 транзисторов VT 3 (VT 4) можно определить из соотношения I oк3 (10...30) I к 0 max . Когда в справочниках дается значение обратного тока при 20 С, то необходимо сначала рассчитать величину обратного тока коллектора при максимальной температуре по формуле 13 I к 0 max I к 0 20o C e ( 0 ,07...0 ,13)(t к max 20 ) . Ток покоя Iок3 должен быть, как минимум, в 10–30 раз меньше амплитудного значения тока коллектора Iок3 (0,03…0,1) Iкm3. Если это условие не выполняется, то необходимо подобрать транзистор с меньшим значением обратного тока коллектора. На семействе выходных статических характеристик транзисторов VT 3 (VT 4) строят нагрузочные прямые по переменному току с координатами (рис. 2): А (Iок3, Еп); В (Iок3 + Iкm3, Еп – Uкm3). Рис. 2. Построение нагрузочной прямой транзистора VT3 (VT4) 14 В результате построения нагрузочной прямой находят ток покоя базы Iоб3, максимальный ток базы I б3 max и вычисляют амплитудное значение тока базы Iбm3 = I б3 max – Iоб3 Перенеся соответствующие значения токов Iоб3 и I б3 max на входную характеристику (рис. 3), находят для транзисторов VT 3 (VT 4) напряжение покоя базы Uоб3, максимальное значение напряжения на базоэмиттерном переходе U бm3 max и вычисляют амплитудное значение напряжения на базоэмиттерном переходе Uбm3 = U б3 max – Uоб3. Рис. 3. Определение параметров входного сигнала транзистора VT3 (VT4) После этого рассчитывают: – входное сопротивление базоэмиттерного перехода транзистора VT 3 (VT 4) U Rвх бэ3 бm3 ; I бm 3 15 – номиналы резисторов R3 и R4 R3 R4 (2...5)Rвхбэ3 (для маломощных транзисторов); R3 = R4 = (0,5…2) U об3 (для мощных транзисторов). I об3 3. Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их по постоянному току. Построение линии нагрузки Ток покоя эмиттера транзисторов VT1 (VT 2) Iоэ1 = Iоб3 + U об3 R3 Амплитудное значение тока эмиттера транзисторов VT1 (VT 2) I эm1 U бm3 . R3 || Rвхбэ3 Соответственно амплитудное значение тока коллектора I кm1 I эm1 , так как коэффициент передачи тока эмиттера близок к единице. Аналогично выбору выходных транзисторов VT 3 (VT 4) выбирают транзисторы VT1 и VT 2 . Транзисторы подходят, если выполняются неравенства: I к доп I к1max I кm1 I ок1 I эm1 I оэ1 ; U к доп 2,1Eп ; Pк доп Pн I бm3 . I кm3 Для построения линии нагрузки по постоянному току транзисторов VT1 (VT 2) выбирают следующие координаты точек A' и A'' (см. рис. 4): A' ( I oк1; Eп U oб3 ) ; 16 A' ' ( I ок1 I кm1; Eп U об3 U кm1 ) , где Uкm1 Uкm3 Uбm3 . Рис. 4. Построение линии нагрузки транзистора VT1 (VT2) Рис. 5. Определение параметров входного сигнала транзистора VT1 (VT2) 17 В результате построения нагрузочной прямой находят ток покоя базы Iоб1, максимальный ток базы I б1max и вычисляют амплитудное значение тока базы Iбm1 = I б1max – Iоб1. Перенеся соответствующие значения токов Iоб1 и I б1max на входную характеристику (рис. 5), находят для транзисторов VT1 (VT2) напряжение покоя базы Uоб1, максимальное значение напряжения на базоэмиттерном переходе U бm1max и вычисляют амплитудное значение напряжения на базоэмиттерном переходе Uбm1 = U бm1max – Uоб1. 4. Определение основных параметров выходного каскада Входное сопротивление базоэмиттерного перехода транзистора VT1 (VT 2) U Rвх бэ1 бт1 . I бт1 Входные сопротивления верхнего и нижнего плеча выходного каскада в силу комплементарности транзисторов можно считать одинаковыми, поэтому входное сопротивление выходного каскада Rвх13 Rвх24 Rвхбэ1 (R3 || Rвхбэ3 ) I кm1 I Rн кm3 . I бm1 I бm1 Амплитудное значение входного напряжения: ВК U вх = Uбm1 + Uбm3 + Uкm3; m Требуемое падение напряжения U од1,2 на диодах VD1, VD 2 U од1,2 2U об1 U об3 . 18 Если величина напряжения U од1,2 получается в пределах (0,8…1,6)В, то можно обойтись двумя диодами, а если получается больше, то необходимо включать последовательно 3–4 диода. Из результирующей вольтамперной характеристики последовательно включенных диодов определяют требуемое значение тока Iод через цепочку R1–VD1–VD2–R2, но в любом случае должны выполняться следующие условия: I од (0,5...1)мА I од (2...3) I об1 . Сопротивление R1 , R 2 делителя напряжения R1 R 2 2 Eп U од I од . Входные сопротивления верхнего и нижнего плеч каскада с учетом шунтирующего действия резисторов R1 и R 2 : ВК Rвх (R1|| R 2) || Rвх13 ) Среднее значение коэффициента усиления по напряжению выходного каскада K uВК U кm3 ВК U вх m . Среднее значение амплитуды входного тока выходного каскада ВК I вх m ВК U вх m ВК Rвх Мощность сигнала на входе выходного каскада BK ВК Pвх 0 ,5(U вх I вВК хm ) . m 19 Коэффициент полезного действия всего каскада Pн 2 Eп [ I ок 3 I од 1 I ок1 ( I кm1 I кm3 )] . Уточненное значение мощности, рассеиваемой одним транзистором VT 3 ( VT 4 ) Pк3max U к2m3 0,1 Eп I oк3 . Rн Тепловое сопротивление корпус–среда: Rt кс tк max tв Pк3max Rt пк , где Rt п-к – тепловое сопротивление подложка-корпус. Площадь радиатора S 1 см2 , K T Rt кс где KT (0,0012...0,014), Вт см–2 град–1 – коэффициент теплоотдачи. 5. Расчет элементов связи Целью данного расчета является определение величин емкостей разделительных конденсаторов С1 и С2. Наличие указанных реактивных элементов приводит к завалу амлитудно-частотной характеристики усилителя в области низких частот и, соответственно, к возникновению сдвига фаз между сигналами до и после разделительных емкостей. Обозначим фазовый сдвиг, вносимый разделительным конденсатором C1 через 1 , а фазовый сдвиг, вносимый разделительным конденсатором C 2 через 2 . Согласно заданию на работу, общая величина фазового сдвига сигнала в выходном каскаде не должна превышать допустимую доп 1 2 . Обеспечить это требование мож20 но, правильно распределив допустимые значения фазовых сдвигов, вносимых разделительными конденсаторами С1 и С2. На практике фазовый сдвиг 2 , вносимый конденсатором C 2 , трудно сделать малым из-за небольшой величины сопротивления нагрузки Rн . Для минимизации величины емкости конденсатора C 2 принимают: 1 (0,2...0,3)доп 2 (0,7...0,8)доп . Емкости разделительных конденсаторов рассчитывают по формулам: С1 1 ВК 2fн (Rвх С2 Rг )tg1 ; 1 . 2f н Rн tg2 Допустимые рабочие напряжения на разделительных конденсаторах выбирают из условия: U C доп ≥ (1,1…1,2) (Еп1 + Еп2). Полученное значение U C доп округляется в сторону большего стандартного значения для типовых значений напряжений. 21 ПРИЛОЖЕНИЕ 1 Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ И ПИЩЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ Кафедра электротехники и электроники ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА к курсовой работе «РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ» по курсу «Общая электротехника и электроника» Руководитель работы _______________ ФИО Выполнил студент ________________ группы 231 ФИО Санкт-Петербург 2008 22 ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Статические характеристики транзисторов а б Рис. 1. Статические характеристики транзисторов КТ3102А, В и КТ3107А, В: а – входная; б – выходные Рис. 2. Входная статическая характеристика транзисторов КТ502А–Е 23 Рис. 3. Выходные статические характеристики транзисторов КТ502Б–Г Рис. 4. Выходные статические характеристики транзисторов КТ502А, В, Д, Е 24 Рис. 5. Входная статическая характеристика транзисторов КТ503А–Е Рис. 6. Выходные статические характеристики транзисторов КТ503А, В, Д, Е 25 Рис. 7. Входная статическая характеристика транзисторов КТ814А–Г и КТ815А–Г а б Рис. 8. Выходные статические характеристики транзисторов: а – КТ814А–Г; б – КТ815А–Г 26 а б Рис. 9. Входные статические характеристики транзисторов: а – КТ816А–Г; б – КТ817А–Г (б) Рис. 10 Выходные статические характеристики транзисторов КТ816А–Г 27 Рис. 11. Выходные статические характеристики транзисторов КТ817А–Г а б Рис. 12. Начальные участки выходных статических характеристик транзисторов: а – КТ816А–Г; б – КТ817А–Г 28 а б Рис. 13. Входные статические характеристики транзисторов: а – КТ818А–Г; б – КТ818АМ, БМ, ВМ, ГМ а б Рис. 14. Входные статические характеристики транзисторов: а – КТ819А–Г; б – КТ819АМ, БМ, ВМ, ГМ 29 Рис. 15. Выходные статические характеристики транзисторов КТ819А–Г, КТ819АМ, БМ, ВМ, ГМ 30 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника: учеб. для вузов – 3-е изд., перераб. и доп. – М. : Высш. шк., 2004. – 790 с. 2. Дорошков А.В. Расчет бестрансформаторного усилителя низкой частоты: Метод. указания к выполнению курсовой работы по курсу «Электротехника и электроника» для студентов спец. 210200 и специализации 210206 всех форм обучения. – СПб.: СПбГУНиПТ, 2003. – 51 с. 3. Дорошков А.В. Теория и компьютерное моделирование устройств электроники: Учеб. пособие. СПб.: СПбГУНиПТ, 2006. 131 с. 31 СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ ............................................................................................... Цель работы и задание для расчета .................................................... Требования к пояснительной записке ................................................ Требования к оформлению электрической схемы ............................ Порядок защиты курсовой работы ..................................................... 3 5 7 8 8 ВЫБОР И РАСЧЕТ ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ .......................... 1. Выбор выходных транзисторов ...................................................... 2. Выбор режима работы по постоянному току и построение линии нагрузки.......................................................... 3. Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их по постоянному току. Построение линии нагрузки .............. 4. Определение основных параметров выходного каскада ............. 5. Расчет элементов связи .................................................................... 9 11 13 16 18 20 ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Форма титульного листа ........................................ 22 ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Статические характеристики транзисторов ............................................................................................. 23 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ....................................................................... 31 32 Дорошков Александр Валентинович РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ Методические указания к курсовой работе для студентов, обучающихся по специальности 220301 и по направлению 220200 всех форм обучения Редактор Л.Г. Лебедева Корректор Н.И. Михайлова Компьютерная верстка Н.В. Гуральник _____________________________________________________________________ Подписано в печать 21.06.2008. Формат 6084 1/16 Усл. печ. л. 1,86. Печ. л. 2,0. Уч.-изд. л. 1,81 Тираж 250 экз. Заказ № C 100 _____________________________________________________________________ СПбГУНиПТ. 191002, Санкт-Петербург, ул. Ломоносова, 9 ИИК СПбГУНиПТ. 191002, Санкт-Петербург, ул. Ломоносова, 9 33
