ТРАНЗИСТОРЫ СОСТАВНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ серии ТКД265 Общие сведения Модули серии ТК являются биполярными транзисторами, которые имеют полупроводниковую структуру типа n-p-n и в зависимости от управляющего сигнала могут находиться в открытом и закрытом состоянии. Работа силовых полупроводников данной серии основывается на электронной(n) электр опроводности. Модуль транзисторный ТК(Д) предназначен для генерации, усиления и преобразования электрического сигнала, а также коммутации ц епей с высокой токовой нагрузкой. Обладая значительными коэффициентами усиления по току, транзисторы получили наиболее широ кое применение в области радиоэлектронной промышленности, электротехнике, приборостроении и в различных схемах управления исполнительными механизмами. Транзисторы составные биполярные серии ТКД265 предназначены для применения в устройствах силовой электроники и преобразовательной техники в качестве ключевого элемента, в особенности, при необходимости коммутации больших мощностей. Обладая высокими коэффициентами передачи тока, транзисторы позволяют значительно упростить схему и конструкцию устройств управления. Структура условного обозначения ТКД265-Х-Х О2: ТКД - транзистор составной биполярный; 2 - порядковый номер модификации конструкции; 6 - обозначение межцентрового расстояния; 5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса; Х - максимально допустимый ток коллектора, А; Х - класс по постоянному напряжению коллектор-эмиттер; О2 - климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150-69 и ГОСТ 15543.1-89. Условия эксплуатации Транзисторы допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от минус 40°С до максимально допустимой температуре перехода, атмосферном давлении 86-106 кПа, относительной влажности воздуха 98% при температуре 35°С. Транзисторы допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот 1-100 Гц с ускорением 5 g и многократных ударов длительностью 2-15 мс с ускорением 15 g. Вероятность безотказной работы на время 1000 ч не менее 0,99. Рекомендуемый охладитель - О165 (ТУ 16-720.377-83, каталог 05.20.06-92). Транзисторы составные биполярные соответствуют требованиям ТУ 16-432.045-84. ТУ 16432.045-84 Технические характеристики Предельно допустимые значения параметров транзисторов представлены в табл. 1, характеристики - в табл. 2 и на рис. 1-6. Параметр и единица измерения Постоянное напряжение коллекторэмиттер при разомкнутой цепи базы, В, для классов: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Постоянное напряжение эмиттер-база при разомкнутой цепи коллектора, В Постоянное напряжение коллектор-база при разомкнутой цепи эмиттера, В, для классов: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Постоянный ток коллектора, А Буквенное обозначение Значение параметра для типов транзисторов ТКД265-63 ТКД265-80 ТКД265-100 ТКД265-125 ТКД265-160 ТКД265-200 Условия установления норм на параметры ТКД265-250 UСЕО – – 300 400 500 600 700 800 900 100 200 300 400 – – – – – UЕВО Tj = 25° C Tj = 125° C Цепь базы разомкнута 100 200 300 400 – – – – – Tj = 25 C Tj = 125 C Цепь коллектора разомкнута Минус 7 UСВО Tj = 25° C Tj = 125° C – – 400 500 600 700 800 900 1000 IС 63 80 200 300 400 500 600 – – – – 100 125 200 300 400 500 – – – – – 160 200 Цепь эмиттера разомкнута 250 Т с 85 С Импульсный ток коллектора, А I СМ 100 125 160 200 250 320 400 T j = 125 C t i 300 мкс Скважность 100 Постоянный ток базы, А IВ 6,3 8 10 12,5 16 20 25 T j = 125 С Импульсный ток базы, А I ВМ 12,5 16 20 25 32 40 50 T j = 125 C t i 300 мкс Скважность 100 Импульсная рассеиваемая мощность, кВт Температура перехода, ° С: максимально допустимая минимально допустимая Температура хранения, ° С: максимально допустимая минимально допустимая Таблица 2 Параметр и единица измерения Статический коэффициент передачи тока, не менее Напряжение насыщения коллекторэмиттер, В, не более Напряжение насыщения база-эмиттер, В, не более Граничное напряжение коллекторэмиттер, В Обратный ток коллекторэмиттер при разомкнутой цепи базы, мА, не более Обратный ток коллектора, мА, не более Обратный ток эмиттера, мА, не более PM 18–89 Tjm 125 Tjmin Минус 60 Tstgm 50 Tstgmin Минус 60 Буквенное обозначе-ние ТКД26563 – – Значение параметра для типов транзисторов ТКД265ТКД265ТКД265ТКД265ТКД26580 100 125 160 200 ТКД265250 Условия установления норм на параметры h21Е 100 Tj = 25° C Ic = 0,5 I c max UCE = 5 В UСЕsаt 3,0 Tj = 25° C Ic = 0,5 I c max IB = 0,006 Ic mах UВЕsаt 3,5 Tj = 25° C Ic = 0,5 I c max IB = 0,006 Ic mах UСЕХsus 240–700 80–400 IСЕО 3,0 8,0 IСВО 3,0 8,0 IЕВО 1000 Время включения, мкс, не более tоn 2,5 Время выключения, мкс, не более tоff 10 Rthjс 0,09 – 0,165 Тепловое сопротивление переход-корпус, Вт, не более Масса, кг T j = 125 C t i = 5 мкс 80–320 Tj = 25° C Tj = 125° C Ic = 0,3 A L = 75 мГн Tj = 25° C Tj = 125° C Цепь базы разомкнута Tj = 25° C Tj = 125° C Цепь эмиттера разомкнута Tj = 25° C Tj = 125° C Цепь коллектора разомкнута Tj = 25° C Ic = 0,5 I c max UCE £ 0,03UCEO IB = 0,0066 I c mах Tj = 25° C UCE £ 0,3UCEO Ic = 0,5 I cmax IB1 = 0,0066 I c max IB2 = -10 IВ1 P = соnst – Зависимость статического коэффициента передачи тока h 21 от тока коллектора I с при Т = 25°С, U = 5 В а - ТКД265-63 (1), ТКД265-80 (2), ТКД265-100 (3), ТКД265-125 (4); б - ТКД265-160 (1), ТКД265-200 (2), ТКД265-250 (3) Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U &&&0[0]sа от тока коллектора I с при Тj = 25°C а - ТКД265-63 (1), ТКД265-80 (2), ТКД265-100 (3), ТКД265125 (4); б - ТКД265-160 (1), ТКД265-200 (2), ТКД265-250 (3) Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы I вв при Тj = 25°С, Iс = 0,5 Iс mаx а - ТКД265-63 (1), ТКД265-80 (2), ТКД265-100 (3), ТКД265-125 (4); б ТКД265-160 (1), ТКД265-200 (2), ТКД265-250 (3) Зависимость времени включения t оп от тока коллектора I с при Тj = 25°С, Iс = 0,5 Iс mаx, I = 0,0066 Iс mаx а - ТКД265-63 (1), ТКД265-80 (2), ТКД265-100 (3), ТКД265-125 (4); б - ТКД265-160 (1), ТКД265-200 (2), ТКД265-250 (3) Зависимость времени выключения t о от тока коллектора I с при Тj = 25°C, I о = 0,5 Iс mаx, I 1 = 0,0066 I с mаx, I 2 = -10 I 21 а - ТКД265-63 (1), ТКД265-80 (2), ТКД265-100 (3), ТКД265-125 (4); б - ТКД265-160 (1), ТКД265-200 (2), ТКД265-250 (3) Типичная зависимость переходного теплового сопротивления переход-корпус Z(jс)) от времени t для всех типов транзисторов Габаритные и присоединительные размеры транзисторов приведены на рис. 7. Габаритные и присоединительные размеры транзисторов составных биполярных серии ТКД265 С - вывод коллектора, В - вывод базы, Е - вывод эмиттера Г Транзиторы поставляются без охладителей. каждой партии транзисторов, транспортируемых в один адрес, прилагается паспорт.
