1 Рабочая программа по ФП в ЭЦ (поток ЭР-11..17-07) 2009-10 учебный год Лекция 1 Раздел 1. Введение. 1.1 Цель курса, изучаемые объекты, задачи, которые нужно научиться решать. 1.2 Классификация режимов электронных приборов в функциональных узлах. Раздел 2. Базовые ячейки функциональных узлов на полупроводниковых диодах. 2.1 Статические характеристики и модели п/п диодов. Идеальный и реальный п/п диоды. Лекция 2 2.2. Диодные стабилизаторы напряжения. 2.2.1 Назначение и основные характеристики стабилизатора напряжения. 2.2.2 Стабилизатор напряжения на прямой ветви ВАХ п/п диода. 2.2.3 Преобразование малых изменений входного напряжения на выход диодного стабилизатора напряжения. Малосигнальная эквивалентная схема диодного стабилизатора напряжения. Лекция 3 2.2.4 Стабилизатор напряжения на обратной ветви ВАХ п/п диода. 2.3 Цепи согласования уровней постоянных напряжений в смежных каскадах. 2.4 Выпрямители переменного напряжения и амплитудные детекторы. Лекция 4 Раздел 3. Базовые ячейки функциональных узлов на полевых транзисторах (ПТ). 3.1 Классификация ПТ. Статические ВАХ и модели ПТ. 2 3.1.1 Таблица обозначений и вид проходных характеристик. 3.1.2 Статические ВАХ ПТ и их аппроксимации. Крутизна ВАХ. 3.1.3 Влияние температуры на статические ВАХ ПТ. 3.1.4 Малосигнальная эквивалентная схема ПТ для низких частот. Лекция 5 3.2 Резистивный усилительный каскад с включением ПТ по схеме с общим истоком. 3.2.1 Схема каскада, принцип действия. Коэффициент усиления малого сигнала на средних частотах. 3.2.2 Влияние сопротивления нагрузки Rс и напряжения смещения Uзи,о на коэффициент усиления на средних частотах. Лекция 6 3.2.3 Использование нелинейной нагрузки для увеличения коэффициента усиления на средних частотах. 3.2.4 Анализ работы каскада с общим истоком на умеренно высоких частотах. Верхняя граничная частота полосы усиления такого каскада по напряжению. (Часть1). Лекция 7 3.2.4 Анализ работы каскада с общим истоком на умеренно высоких частотах. Верхняя граничная частота полосы усиления такого каскада по напряжению. (Часть 2). 3.2.5 Связь между коэффициентом усиления на средних частотах и верхней граничной частотой полосы сквозного усиления по напряжению. Понятие о площади усиления. Лекция 8 + Практическое занятие №4 3.2.6 Входная проводимость резистивного усилительного каскада по схеме с общим истоком. 3.2.7 Стабилизация РТ ПТ в усилителях малого сигнала по схеме с общим истоком (рассм. в методическом пособии «Базовые ячейки на ПТ» §2.7 стр. 4250). 3.2.8 Усиление большого сигнала при работе каскада с общим истоком на средних частотах. Оценка и минимизация нелинейных искажений. 3 Лекция 9 3.3 Резистивный усилительный каскад с включенным ПТ по схеме с общим стоком (истоковый повторитель). 3.3.1 Схема с общим стоком. Коэффициент усиления малого сигнала на средних частотах. 3.3.2 Усиление большого сигнала каскадом с общим стоком на средних частотах. Построение передаточной характеристики по напряжению. 3.3.3 Анализ работы каскада с общим стоком на умеренно-высоких частотах. Верхняя частота полосы пропускания каскада. Входная и выходная проводимости. Лекция 10 3.4 Резистивный усилительный каскад с включением ПТ по схеме с общим затвором. 3.4.1 Схема. Коэффициент усиления малого сигнала на средних частотах. Входная и выходная проводимости. 3.4.2 Усиление большого сигнала каскадом с общим затвором на средних частотах. Передаточная характеристика каскада по напряжению. 3.4.3 Работа каскада с общим затвором на умеренно-высоких частотах, частотные зависимости коэффициента усиления. 3.5 Сравнение каскадов с различными способами включения ПТ. Лекция 11+Практическое занятие №5 Раздел 4. Базовые ячейки функциональных узлов на БТ. 4.1 Статические характеристики, параметры, малосигнальные эквивалентные схемы БТ (практическое занятие 5). 4.2 Резистивные усилительный каскад с включением БТ по схеме с общим эмиттером. 4.2.1 Схема. Принцип действия. Выбор рабочей точки. 4.2.2 Коэффициент усиления малого сигнала на средних частотах. (Часть 1. Общие выражения.) 4 Лекция 12 4.2.2 Коэффициент усиления малого сигнала на средних частотах. (Часть 2. Анализ общих выражений. Численный пример.) 4.2.3 Анализ работы каскада с общим эмиттером на умеренно-высоких частотах. Верхняя граничная частота полосы усиления. Входная проводимость. (Часть 1. Общие выражения.) Лекция 13+Практическое занятие №7 4.2.3 Анализ работы каскада с общим эмиттером на умеренно-высоких частотах. Верхняя граничная частота полосы усиления. Входная проводимость. (Часть 2. Анализ общих выражений. Численный пример.) 4.2.4 Методы стабилизации рабочей точки БТ в каскаде с общим эмиттером (практическое занятие 7). 4.2.5 Передаточная характеристика по напряжению каскада с общим эмиттером. Лекция 14 4.3 Резистивный каскад с БТ, включенным по схеме с общим коллектором. Эмиттерный повторитель. 4.3.1 Схема. Коэффициент передачи по напряжению на средних частотах. Входная и выходная проводимости. 4.3.2 Работа каскада с общим коллектором на умеренно-высоких частотах. Верхняя граничная частота коэффициента передачи каскада по напряжению. 4.3.3 Преобразование больших сигналов каскадом с общим коллектором. Передаточная характеристика каскада по напряжению. Лекция 15 Раздел 5. Ключевые каскады и простейшие логические элементы. 5.1 Ключевые каскады и простейшие логические элементы на МОП-транзисторах. 5.1.1 Ключевые каскады (инверторы). Квазистатический анализ. 5.1.2 Переходные процессы в МОП-инверторах. 5.1.3 Простейшие логические элементы на КМОП структурах. 5 Лекция 16 5.2 Ключевые каскады и простейшие логические элементы на БТ. 5.2.1 Ключевой каскад (инвертор) на БТ с резистивной нагрузкой. Квазистатический анализ. 5.2.2 Переходные процессы в резистивном инверторе на БТ. 5.2.3 Простейшие логические элементы на БТ. Список литературы. Основная 1. Кулешов В.Н., Болдырева Т.И., Томашевская М.В. Базовые ячейки функциональных узлов радиоэлектронных устройств на полупроводниковых диодах. – М.: Издательство МЭИ, 2002. 2. Кулешов В.Н., Болдырева Т.И., Томашевская М.В. Базовые ячейки функциональных узлов радиоэлектронных устройств на полевых транзисторах. – М.: Издательство МЭИ, 2005. 3. Кулешов В.Н., Болдырева Т.И., Васильев М.В. Базовые ячейки функциональных узлов радиоэлектронных устройств на биполярных транзисторах. – М.: Издательство МЭИ, 2009. 4. Болдырева Т.И., Кулешов В.Н. Сборник задач по курсу «Электроника и микроэлектроника». Расчет диодных и транзисторных схем. – М.: МЭИ, 1996. 5. Характеристики и основы применения полупроводниковых диодов и транзисторов. / Под ред. Л.А.Корнеева. – М.: Изд-во МЭИ, 2003. Дополнительная 6. Павлов В.Н., Ногин В.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств. – М.: Горячая линия – Телеком, 2003. 7. Аваев Н.А., Шишкин Г.Г. Электронные приборы. – М.: Изд-во МАИ, 1996. 8. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1991. 9. Шишкин Г.Г. , Шишкин А.Г. Электроника. – М.: Дрофа, 2009. Лектор проф. _________________________ В.Н. Кулешов