семейство серий БМК

Научно-производственный комплекс
«Технологический центр»
ПОЛУЗАКАЗНЫЕ БИС НА БМК
Июнь 2015г.
Главный конструктор направления ИМС, к.т.н. А.Н. Денисов
СЕМЕЙСТВО СЕРИЙ БМК, РАЗРАБОТАННЫХ
НПК «ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР»
Серии 5503 и 5507
3

основные параметры
 категория качества
 серия 5503 с напряжением питания
 серия 5507 с напряжением питания
 в каждой серии по 4 типа БМК объёмом
 корпуса на 28, 42 и 64 выводов с шагом
 устойчивость к электростатике не менее
 надёжность не менее
«ВП»
5В±10%
3В ±10%
от 600 до 5 500 вентилей
1мм
2кВ
100 000 часов
Серии 5503 и 5507 введены в Перечень электрорадиоизделий, разрешенных к применению
при разработке модернизации), производстве и эксплуатации аппаратуры, приборов,
устройств и оборудования военного назначения МОП 44 001.02-2011.
Серии 5503 и 5507
4
Примеры применения БИС на БМК 5503 и 5507
5
Разработано более 500 типов БИС на БМК серий 5503 и 5507
 Космические аппараты:
ЕКС (блоки МЦА, ЛКА. ЦБК, БСО, БВМ около 60% от общего числа ИС),
«Меридиан», «Лабиринт», «Пион», «Аркон-2», «Фобос», «Электра»,
«Луч», «ГЛОНАСС-М», «ГЛОНАСС-К», «Кондор», «Экспресс» и др.
 Система управления разгонным блоком “Бриз-М”
 Космические корабли: «Прогресс-М», «Союз-ТМА»
Экспресс-AM ,
Экспресс -AM33
Экспресс-AM44
Глонасс-M, Глонасс-К
КазСат, КазСат 2
Разгонный блок
«Бриз М»
(более 50 пусков)
«Прогресс-М»
(более 40 пусков)
«Союз-ТМА»
(более 30 пусков)
Серия БМК 5529 на КНИ-структурах (0,25мкм)
6
БМК серии 5529ТН разрешены к применению при
разработке
модернизации,
производстве
и
эксплуатации
аппаратуры, приборов, устройств и оборудования специального
назначения.
Основные характеристики серии 5529ТН:

Технология изготовления - КМОП – 0.25 мкм на структурах
«кремний на изоляторе».

Напряжение питания микросхем в диапазоне от 2,7В до 3,6В.

Категория качества «ВП».

Изготовитель кристаллов микросхем - ОАО «НИИМЭ и Микрон».

Имеется возможность реализации встроенных блоков ОЗУ.

Разработка БИС осуществляется с применением оригинальных
средства топологического
проектирования и методов
прототипирования проекта
микросхемы в аппаратуре
Заказчика.

Серия БМК 5529 на КНИ-структурах (0,25мкм)
7
Состав серии - 9 типов кристаллов БМК объёмом 39, 75, 180, 380, 800, 900, 1250, 1700 и 2200 тыс.
вентилей в различных корпусных исполнениях.
Серия БМК 5529 на КНИ-структурах (0,25мкм)
8
Встроенные блоки ОЗУ реализуются на оригинальной
ячейке памяти, на которую получен Патент РФ №
2507611.
Размер однобитной ячейки составляет 2 топологические
ячейки поля БМК.
Испытаниями образцов микросхем серии 5529
подтверждён высокий уровень стойкости ячейки памяти
к воздействию одиночных ядерных частиц:

сбоев и отказов не обнаружено до уровня
64 МэВ×см2/мг.
Конструкция БМК позволяет создать в поле БМК 4
части с независимым питанием для организации
троированной системы с «холодным» резервом.
В совокупности с возможностью использования
троированных триггеров могут быть реализованы
сверхустойчивые к факторам космического пространства
специализированные микросхемы.
Серия БМК 5529 на КНИ-структурах (0,25мкм)
9
Параметры стойкости микросхем к воздействию специальных факторов
Серия БМК 5529 на КНИ-структурах (0,25мкм)
10
Параметры чувствительности микросхем к воздействию факторов с характеристиками
7.К11 (7.К12) по ГОСТ РВ 20.39.414.2:






пороговые линейные потери энергии (ЛПЭ) тяжёлых заряженных частиц (ТЗЧ) по
тиристорному эффекту (ТЭ): Li.th.ТЭ
≥ 85 МэВ•см2/мг;
сечение насыщения по ТЭ при воздействии ТЗЧ: Ϭis.ТЭ
≤ 1.2E-05 см2;
пороговые ЛПЭ ТЗЧ по катастрофическим отказам (КО): Li.th.КО ≥ 85 МэВ•см2/мг;
сечение насыщения по КО при воздействии ТЗЧ: Ϭis.КО
≤ 1.2E-05 см2;
пороговые ЛПЭ ТЗЧ по отдельным сбоям (ОС): Li.th.ОС
≥ 68 МэВ•см2/мг;
сечение насыщения по ОС при воздействии ТЗЧ: Ϭis.ОС
≤ 2E-06 см2/бит.
Серия БМК 5528 на объёмном кремнии (0,18мкм)
11
Серия БМК 5528БЦ включает в свой состав один кристалл БМК объёмом
1700 тыс. вентилей, который поставляется в трёх корпусных исполнениях.

Технология КМОП – 0.18 мкм с кольцевыми транзисторами на
объёмном кремнии.

Категория качества «ОТК».

Напряжение питания микросхем:
периферийной области 3,3В±10%;
ядра БМК 1,8В±10%.

Оригинальные средства топологического проектирования и
прототипирования.

Надёжность не менее 100 000 часов.
Серия БМК 5521 на объёмном кремнии (0,18мкм)
12
Серия БМК 5521ТН является полным функциональным аналогом
серии 5529ТН, но реализована на объёмном кремнии.
Основные характеристики серии 5521ТН:

Состав серии - 9 типов кристаллов БМК объёмом 39, 75, 180,
380, 800, 900, 1250, 1700 и 2200 тыс. вентилей в различных
корпусных исполнениях.

Напряжение питания микросхем в диапазоне от 2,7В до 3,6В.

Категория качества «ОТК».

Технология изготовления КМОП – 0.18 мкм с кольцевыми
транзисторами.

Имеется возможность реализации встроенных блоков ОЗУ.

Разработка БИС осуществляется с применением оригинальных
средства топологического
проектирования и методов
прототипирования проекта
микросхемы в аппаратуре
Заказчика
Особенности конструкции БМК новых серий
13
Базовая ячейка имеет
двойные контакты к
областям затвора, а
также
двойные
переходные контакты
между
слоями
металлизации
Семейство серий БМК
14
Красным цветом обозначены разработанные и находящиеся в стадии освоения типы БМК,
желтым – БМК, находящиеся в разработке.
КОНТАКТНАЯ ИНФОРМАЦИЯ
124498, МОСКВА, ПР.4806, Д.5, МИЭТ,
НПК «ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР»
ТЕЛЕФОН: +7 (499) 720-8992
ФАКС: +7 (495) 913-21-92
HTTP://WWW.ASIC.RU, СПЕЦБМК.РФ
E-MAIL: A.Denisov@TCEN.RU
СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ