ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов

ГОСТы и обозначения
полупроводниковых приборов
Работу выполнили студенты
группы 21303
Федотов Роман
Филиппов Артём
Обозначения полупроводниковых
приборов на принципиальных
электрических схемах
Диод
А
+
Тиристор
К
-
А
+
«А» - Анод
«К» - Катод
«УЭ» - Управляющий Электрод
К
УЭ
А
P N
К
А
P N P N
УЭ
К
Обозначения выводов биполярного
транзистора
К
Э
Б
Э
P N P
«Э» - Эмиттер
«К» - Коллектор
«Б» - База
Б
К
Транзисторы
Обозначения выводов полевого транзистора
З
З З
И
И
С
«З» - Затвор
«С» - Сток
«И» - Исток
«П» - Подложка
С
П
З
И
P+
С
P+
N
П
Фотодиод
Буквенно-цифровые обозначения
полупроводниковых приборов на основе
государственного стандарта
ГОСТ 11 336.919-81
Диоды
Первый элемент
Обозначает исходный материал, на основе которого
изготовлен прибор
Г(1) - для германия или его
соединений
К(2) - для кремния или его
соединений
А(3) - соединения галлия
(например арсенид галлия)
И(4) - соединения индия
(например фосфид индия)
Второй элемент
Буква, определяющая подкласс (или группу) приборов
Д -Диоды выпрямительные и импульсные
Ц - выпрямительные столбы и блоки
В - варикапы
И - туннельные диоды
А - сверхвысокочастотные диоды
С - стабилитроны
Г - генераторы шума
О - оптопары
Н - диодные тиристоры
У - триодные тиристоры
Третий элемент
Назначение прибора:
Диоды выпрямительные с
прямым током А:
1. менее 0.3
2. 0.3...10
Генераторы шума:
1.низкочастотные
2.высокочастотные
Туннельные диоды:
1.усилительные
2.генераторные
3.переключательные
4.обращенные
Условное обозначение:
«1»
«2»
«1»
«2»
«1»
«2»
«3»
«4»
Четвертый элемент
Число, обозначающее порядковый номер разработки
технологического типа
Пятый элемент
Буква, условно определяющая разбраковку по параметрам
приборов, изготовленных по единой технологии
Пример
КД213Б
8612
КД213Б
2Д106А
КЦ405А
8503
КЦ405А
Транзисторы
Первый элемент
Обозначает исходный материал, на основе которого
изготовлен транзистор
Г(1) - для германия или его
соединений
К(2) - для кремния или его
соединений
А(3) - соединения галлия
(например арсенид галлия)
И(4) - соединения индия
(например фосфид индия)
Второй элемент
Буква, определяющая подкласс (группу) транзисторов
Т - для биполярных
П - для полевых
Третий элемент
Цифра, определяющая основные функциональные
возможности
цифра
1
2
3
4
5
6
7
8
9
максимальная
граничная частота
не более 3 МГц
от 3 до 30 МГц
более 30 МГц
не более 3 МГц
от 3 до 30 МГц
более 30 МГц
не более 3 МГц
от 3 до 30 МГц
более 30 МГц
максимальная
мощность
0,3 Вт
1,5 Вт
Больше 1,5 Вт
Четвёртый элемент
Число, обозначающее порядковый номер разработки
Пятый элемент
Буква, условно определяющая классификацию по параметрам
транзистора, изготовленного по единой технологии
Пример
Б
А
8
КТ315Б
КТ805АМ
lll-83
КТ805АМ
Обозначения транзисторов по ГОСТам:
ГОСТ 10862 - 64
ГОСТ 10862 - 72
П217Г
Класс
Номер разработки,
указывающий на материал и
функциональные возможности
ВЗР
П217Г
2-79
Группа
Зарубежные обозначения
полупроводниковых приборов
-Американская система JEDEC
-Японская система JIS
Американская система JEDEC
Первый элемент
Число p-n переходов:
1 – диод
2 – транзистор
3 – тиристор
4 – оптоприбор
Второй элемент
Буква N
Третий элемент
Серийный номер прибора (100-9999)
Четвертый элемент
Буква модификации прибора
Пример
S 2N
5551
CB114
2N5551
1
1N
1N4007
Японская система JIS
Пример: 2SB247
Первый элемент
0 - фотодиод, фототранзистор
1 - диод
2 - транзистор
3 - тиристор
Второй элемент
Буква: S
Третий элемент
Буква - тип прибора:
A - высокочастотный PNP транзистор
B - низкочастотный NPN транзистор
C - высокочастотный NPN транзистор
D - низкочастотный PNP транзистор
F - тиристор
I – Полевой транзистор с Р-каналом
К - Полевой транзистор с N-каналом
М - Симметричный Тиристор (Семистор)
Q - Светодиод
R - Выпрямительный диод
V - Варикап
Z – Стабилитрон
Четвертый элемент
Серийный номер:10-9999
Пятый элемент
Одна или две буквы: модификации прибора