Автор: Старков Д.А., группа 21302, ФТФ

Автор: Старков Д.А., группа 21302, ФТФ
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ.
Приборы полупроводниковые.
ГОСТ 2.730-73 был утверждён и введён в действие
Постановлением Государственного комитета
стандартов Совета Министров СССР
от 16.08.1973 № 2002.
ГОСТ прошёл 5 переизданий с изменениями.
Последние переиздание утверждено в мае 2002
года.
 база с одним выводом
 база с двумя выводами
 Р - эмиттер с N-областью
 N-эмиттер с Р – областью
 коллектор с базой
 диод (общее обозначение)
 диод туннельный
 стабилитрон односторонний
 стабилитрон двухсторонний
 диод теплоэлектрический
 варикап
 диод двунаправленный
 диод Шоттки
 диод светоизлучающий
 тиристор диодный, запираемый
в обратном направлении
 тиристор диодный, проводящий в
обратном направлении
 тиристор диодный симметричный
 тиристор триодный
(общее обозначение)
 тиристор триодный выключаемый
(общее обозначение)
 тиристор триодный симметричный
(двунаправленный)
 тиристор тетроидный,
запираемый в обратном
направлении
Примечание:
Допускается обозначение тиристора с управлением
по аноду изображать в виде продолжения
соответствующей стороны треугольника.
 транзистор типа p-n-p
 транзистор типа n-p-n, коллектор
соединен с корпусом
 транзистор лавинный типа n-p-n
 транзистор однопереходный
с n-базой
 транзистор однопереходный с
p-базой
 транзистор двухбазовый
типа n-p-n
 транзистор многоэмиттерный
типа n-p-n
Примечание:
При выполнении схем допускается:
 а) выполнять обозначения транзисторов в
зеркальном изображении
 б) изображать корпус транзистора
 транзистор полевой с каналом типа n
 транзистор полевой с каналом типа p
 транзистор полевой с изолированным
затвором без вывода от подложки
обогащенного типа с p-каналом
 транзистор полевой с изолированным
затвором без вывода от подложки
обедненного типа с n-каналом
 транзистор полевой с изолированным
затвором обогащенного типа
с n-каналом, с внутренним
соединением истока и подложки
 транзистор полевой
с затвором Шоттки
 транзистор полевой с
двумя затворами Шоттки
Примечание:
Допускается изображать корпус транзисторов.
 фоторезистор
 фоторезистор дифференциальный
 фотодиод
 фототиристор
 фототранзистор p-n-p типа
 фототранзистор n-p-n типа
 фотоэлемент
 фотобатарея
 оптрон диодный
 оптрон тиристорный
 оптрон резисторный
 прибор оптоэлектронный с
фототранзистором:
с выводом от базы
 датчик Холла (токовые выводы
датчика изображены линиями,
отходящими от коротких сторон
прямоугольника)
 резистор магниточувствительный
 магнитный разветвитель
 однофазная мостовая
выпрямительная схема
(развернутое изображение)
 однофазная мостовая
выпрямительная схема
упрощенное изображение
Изображения даны на миллиметровой бумаге:
 диод
 тиристор диодный
 транзистор
 транзистор полевой
"Приборы полупроводниковые.
Система условных обозначений"
ОСТ 11.336.919-81 представляет систему
обозначений полупроводниковых приборов,
которая состоит из 5 элементов. В основу системы
обозначения положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент (буква или цифра) обозначает
исходный полупроводниковый материал, на базе
которого создан полупроводниковый прибор. Для
приборов общегражданского применения
используются 4 буквы Г, К, А и И, являющиеся
начальными буквами в названии полупроводника
или полупроводникового соединения.
Для приборов специального применения
(более высокие требования при испытаниях,
например выше температура,) вместо этих букв
используются цифры от 1 до 4.
Второй элемент (буква) обозначает подкласс
полупроводниковых приборов. Обычно буква
выбирается из названия прибора, как первая буква
названия
Третий элемент (цифра) в обозначении
полупроводниковых приборов, определяет
основные функциональные возможности прибора.
У различных подклассов приборов наиболее
характерные эксплуатационные параметры
различные. Для транзисторов - это рабочая частота
и рассеиваемая мощность, для выпрямительных
диодов - максимальное значение прямого тока, для
стабилитронов - напряжение стабилизации и
рассеиваемая мощность, для тиристоров значение тока в открытом состоянии.
Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) означает
порядковый номер технологической разработки и
изменяется от 01 до 999.
Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом
коде системы условных обозначений указывает
разбраковку по отдельным параметрам приборов,
изготовленных в единой технологии. Для
обозначения используются заглавные буквы
русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш,
Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.
 Биполярный транзистор средней мощности: КТ201
К – кремний, Т – транзистор биполярный, 2 –
средней частоты, 01 – номер разработки.
 Полевой транзистор большой мощности: ГП320
Г – германий, П – транзистор полевой, 3 – высокой
или сверхвысокой частоты, 20 – номер разработки.
 Выпрямительный диод: КД102А
К – кремний, Д – выпрямительный, универсальный
или импульсный диод, 1 – прямой ток менее 0,3 А,
02 – номер разработки, А – разбраковка.
Спасибо за внимание!