Характеристики биполярного транзистора Рочев Алексей гр.21303 Устройство биполярного транзистора Рис.1. Схематическое изображение транзистора типа p-n-p. Э - эмиттер, Б - база, К - коллектор, W- толщина базы, ЭП – эмиттерный переход, КП – коллекторный переход. Схемы включения БТ С общим эмиттером эта схема является наиболее распространненой, т. к. дает наибольшее усиление по мощности. С общей базой Такая схема включения не дает значительного усиления, но обладает хорошими частотными и температурными свойствами. Применяется она не так часто, как схема ОЭ. Коэффициент усиления по току схемы ОБ всегда немного меньше еденицы: С общим коллектором Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь. Характеристики БТ в схеме с ОЭ 1. Выходные характеристики – зависимость тока коллектора Iк от напряжения на коллекторе Uк при постоянном токе базы Iб (рис.9а). Iк = f(Uк); Iб = const, Iб3> Iб2> Iб1. 2. Входная характеристика – зависимость тока базы Iб от напряжения на базе Uб при постоянном напряжении на коллекторе Uк (рис.9б): Iб = f(Uб); Uк = const. 3. Переходная характеристика – зависимость тока колллектора Iк от тока базы Iб при постоянном напряжении на коллекторе Uк (рис.9в): Iк = f(Iб); Uк = const. Характеристики БТ в схеме с ОЭ Характеристики БТ в схеме с ОБ Дифференциальные параметры биполярного транзистора. • 1.Дифференциальный коэффициент передачи тока • 2.Сопротивление эмиттерного перехода rэ • 3.Сопротивление коллекторного перехода • 4.Коэффициент обратной связи эк dU K dU э dU э dI э rк dU к dI к dI K dI э uк const (Iк=const) (Iэ=const) (Iэ=const) dI • 5.Дифференциальный коэффициент передачи тока к dI Б • (для схемы с общим эмиттером) u к const Характеристики БТ как четырехполюсника. • Свойства транзистора характеризуются параметрами, которые делятся на: • 1) физические – коэффициент усиления по току a, сопротивления rэ, rб, rк; эти параметры характеризуют свойства самого транзистора, независимо от схемы включения; • 2) схемотехнические – имеют различные значения для разных схем включения. Существуют несколько систем схемотехнических параметров, но все они основаны на том, что транзистор как элемент схемы на малом переменном сигнале рассматривается в виде линейного активного четырехполюсника. Характеристики БТ как четырехполюсника. Характеристики БТ как четырехполюсника. • Основной для БТ является система h-параметров. U 1 h11 I1 h12U 2 I 2 h21 I1 h22U 2 Каждый из h-параметров имеет определенный физический смысл. 1)Параметр h11 представляет собой величину входного сопротивления транзистора rвх при коротком замыкании на выходе (U2=0) и измеряется в Омах. h11 = U1/I1; при U2=0 2)Параметр h12 называется коэффициентом обратной связи и равен отношению входного напряжения U1 к выходному U2 при разомкнутой входной цепи(I1=0). h12 = U1/U2; при I1=0 3)Параметр h22 представляет собой выходную проводимость транзистора при разомкнутом входе (I1=0) и измеряется в микросимменсах ( 1 мкСм =10-6См = 1 мкА/В).h22 = I2/U2; при I1=0 4)Параметр h21 – коэффициент прямой передачи тока при коротком замыкании на выходе.h21 = I2/I1; при U2=0 Характеристики БТ как четырехполюсника. • Поскольку транзистор имеет три электрода и используется как четырехполюсник, то один из его электродов является общим для входной и выходной цепи. При этом значения h-параметров отличаются в зависимости от схемы включения биполярного транзистора: hб для схемы с общей базой или hэ для схемы с общим эмиттером. • h - параметры можно определить с помощью статических характеристик методом измерения их на постоянном токе. Тогда роль малого переменного тока и напряжения будут играть малые приращения постоянных токов Iб, Iк, и напряжений Uк, Uб. Для схемы с общим эмиттером. • В справочниках чаще указаны hпараметры для схемы с ОБ (hб), которые можно найти путем пересчета, если известны hпараметры для схемы с ОЭ (hэ): h11э U б / I б rб , при U к const h12э U б / U к бк , при I б const h21э I к / I б , при U к const h22э I к / U к 1 / rк , при I б const h11б h11э 1 h21э h12б h11э h22э h12 э (1 h21э ) 1 h21э h21б h22б h21э 1 h21э h22э 1 h21э • Между физческими параметрами и h-параметрами для биполярного транзистора в схеме с общей базой существует взаимосвязь: h11б rэ rб (1 ) rэ h11б rб , rк h21б , h11б 1 , rк Благодарим за внимание