Федеральное государственное унитарное предприятие Федеральный научно-производственный центр

Федеральное государственное унитарное предприятие
Федеральный научно-производственный центр
Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова
Ход выполнения ОКР
по разработке радиационно-стойких
СОЗУ 512 Кбит и ПЗУ 2 Мбит
ОКР «Память»
Докладчики
Труфанов Сергей Иванович
(НИИИС, Руководитель ОКР «Память»)
Петров А.Г.
(ОАО «ЭНПО СПЭЛС»)
Назначение микросхем
1620РУ10У и 1620РЕ4У
Организация радиационно-стойких запоминающих
устройств для комплектования радиоэлектронной
аппаратуры (спецстойкие вычислители, бортовая
аппаратура спутниковой навигации, ГЛОНАСС,
авиационная техника, техника военного назначения)
Разработка ведется на основании
ГОСТ РВ 15.205 и ОСТ В 11 0998
2
Основные особенности разрабатываемых
микросхем СОЗУ и ПЗУ
• Радиационная стойкость
• Синхронный и асинхронный режим
работы
• Толерантность к воздействию сигналов на
входах и выходах с уровнями 3,3 В и 5 В
при напряжении питания 3,3 В
• Информационная емкость ПЗУ 2 Мбита
• Информационная емкость СОЗУ 512 Кбит
3
Основные требования технического задания к
микросхеме 1620РУ10У (СОЗУ)
Наименование параметра,
единица измерения
Значение параметра
Информационная емкость, Кбит
512
(64К слов х 8 разрядов)
Напряжение питания, В
Диапазон рабочей температуры,
0С
Ток потребления в режиме
хранения, мА
3,3 ± 10%
от минус 60 до 85
1,0
Динамический ток потребления,
мА
40,0
Время выборки, нс
60,0
Специальные
воздействующие
факторы:
Исполнение
7.И1
7.И6
7.И7
7.И8
5Ус
5Ус
0,4*5Ус
2Ус
Металлокерамический
корпус 5134.64-6 /
ГПН
4
Основные требования технического задания к
микросхеме 1620РЕ4У (ПЗУ)
Наименование параметра,
единица измерения
Информационная емкость, Кбит
Напряжение питания, В
Диапазон рабочей температуры, 0С
Ток потребления в режиме
хранения, мА
Значение параметра
2048
(64К слов х 32 разряда)
3,3 ± 10%
от минус 60 до 85
1,0
Динамический ток потребления,
мА
40,0
Время выборки, нс
60,0
Специальные
воздействующие
факторы:
Исполнение
7.И1
7.И6
7.И7
7.И8
5Ус
5Ус
0,4*5Ус
2Ус
Металлокерамический
корпус 5134.64-6 /
ГПН
5
Результаты испытаний микросхем
Наименование параметра,
единица измерения
Значение параметра
СОЗУ 512 Кбит
ПЗУ 2 Мбит
Ток потребления в режиме хранения,
мА
0,1
0,1
Динамический ток потребления, мА
30,0
25,0
40
40
5Ус
2,2*5Ус
0,3*5Ус
1,3*3Ус
5Ус
2,2*5Ус
0,4*5Ус
1,3*3Ус
Время выборки, нс
Специальные
воздействующие
факторы:
7.И1
7.И6
7.И7
7.И8
6
Применение микросхем
1620РУ10У и 1620РЕ4У в НИИИС
Исполнение
Корпусные
микросхемы
Бескорпусные
модификации 2
(ГПН)
Количество
образцов
ОЗУ ПЗУ
185
163
362
110
из них в составе
приборов
268
20
Общее
количество
547
273
Примечание
испытаны в составе трех
приборов, результат
положительный
7
План работы по ОКР «Память» на 2010 год
1 кв. - завершение предварительных
испытаний ОО ОЗУ
2 кв. - завершение предварительных
испытаний ОО ПЗУ
- присвоение КД и ТД литеры «О»
3 кв. - приемка ОКР
8