Технология и оборудование производства ИЭТ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Ивановский государственный химико-технологический университет»
Факультет неорганической химии и технологии
Кафедра технологии приборов и материалов электронной техники
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС
по дисциплине "ТЕХНОЛОГИЯ И ОБОРУДОВАНИЕ ПРОИЗВОДСТВА
МОНОКРИСТАЛЛОВ И ИЭТ"
Специальность
240306
Химическая
технология
монокристаллов,
материалов и изделий электронной техники
Квалификация (степень)
Инженер
Форма обучения
очная
Составитель: к.х.н., доцент Шикова Т.Г.
Иваново, 2011
Специальность 240306 – ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ,
МАТЕРИАЛОВ И ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
1. Выписка из ГОСУДАРСТВЕННОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО СТАНДАРТА
ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
СД.03
Технология материалов и оборудование для
производства монокристаллов, материалов
и изделий электронной техники:
технология монокристаллов, материалов и
изделий электронной техники: физикохимические
основы
технологии
моно
кристаллов, материалов и изделий электронной
техники;
классификация
монокристаллов,
материалов и изделий, используемых в
различных отраслях электронной техники;
технология основных узлов и элементов
приборов вакуумной электроники, технология
сборки приборов; получение пленок и
покрытий; литографические процессы в
производстве
материалов
и
изделий
электронной техники; физико-химические
основы технологии материалов твердотельных
лазеров; основные технологические операции
производства лазерных материалов; технология
кристаллических лазерных матриц на основе
оксидов,
фторидов
и
стекол;
полупроводниковые лазеры; просветляющие и
защитные покрытия активных элементов
лазерных приборов; технология гетерофазных
структур;
оборудование
для
производства
монокристаллов, материалов и изделий
электронной
техники:
классификация
оборудования, основные узлы промышленных
установок,
характеристика
отдельных
технологических линий для производства
монокристаллов, материалов и изделий
электронной техники.
2
РАБОЧАЯ УЧЕБНАЯ ПРОГРАММА
По дисциплине " ТЕХНОЛОГИЯ И ОБОРУДОВАНИЕ ПРОИЗВОДСТВА
МОНОКРИСТАЛЛОВ И ИЭТ "
Курс 5, Семестр 9. Экзамен - 9 семестр.
Общее число часов по дисциплине 153
Аудиторные занятия
68
Лекции
34 час.
Лабораторные занятия не планируются
Практические занятия
34 час
Самостоятельная работа
85 час.
1. ВВЕДЕНИЕ.
1.1. ЦЕЛЬ ИЗУЧЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ.
Данная дисциплина является завершающей в технологическом обучении по
специальности 240306 "Химическая технология монокристаллов, материалов и
изделий электронной техники". Цель ее заключается в обобщении рассмотренного
ранее материала и применении его к анализу и синтезу технологических циклов
отдельных приборов.
При изучении данной дисциплины используются все ранее изученные курсы
естественно-научного, общетехнического и специального циклов.
1.2. ТРЕБОВАНИЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ.
Специалист должен:
- иметь представление о тенденциях и перспективах развития вакуумных,
газоразрядных, твердотельных приборов и технологии их производства.
- знать основные технологические циклы производства типичных приборов,
методы проектирования технологических процессов.
- уметь осуществлять синтез и анализ технологических циклов производства
приборов, подбирать оборудование, средства контроля и режимы выполнения
отдельных операций.
2. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ ( УЧЕБНЫЕ МОДУЛИ )
2.1. МОДУЛЬ 1.
Технологические циклы производства индикаторных и фотоэлектронных
приборов.
2.1.1. Лекционный материал. 12 час.
Классификация изделий, используемых в различных отраслях электронной
техники. Технология основных узлов и элементов приборов вакуумной
электроники, технология сборки приборов; получение пленок и покрытий;
литографические процессы в производстве изделий электронной техники;
Технология производства вакуумных люминесцентных индикаторов и
фотоэлектронных приборов. Анализ типовых технологических схем. Особенности
технологии
комбинированных
приборов.
Основные
направления
совершенствования технологии фотоэлектронных приборов.
Оборудование для производства изделий электронной техники:
классификация оборудования, основные узлы промышленных установок,
характеристика технологических линий для производства изделий электронной
техники.
2.1.2. Практические занятия. 16 час.
3
Технология производства вакуумных приемно-усилительных и генераторных
приборов, в том числе приборов СВЧ. Типичные технологические схемы и их
анализ. Особенности построения технологических циклов для отдельных видов
приборов. Основные направления совершенствования технологии вакуумных
приборов.
2.1.3. Самостоятельная работа 40 час.
Выполнение домашнего задания по материалу модуля. Подготовка к
практическим занятиям, промежуточному контролю.
2.2. МОДУЛЬ 2.
Технология газоразрядных приборов.
2.2.1. Лекционный материал. 16 час.
Принцип действия и основные конструктивные элементы ОКГ
(газоразрядные, твердотельные, полупроводниковые лазеры).
Общие особенности технологических циклов производства газоразрядных
приборов. Технология газоразрядных лазеров.
Взаимосвязь технологии и
долговечности прибора. Технология гелий-неоновых лазеров и лазеров на основе
оксида и диоксида углерода. Технология ионных аргоновых лазеров и лазеров на
парах металлов. Просветляющие и защитные покрытия активных элементов
лазерных приборов.
Технология газоразрядных индикаторных панелей. Анализ и построение
типовых технологических схем. Тонкопленочная и толстопленочная технологии в
производстве ГИП. Особенности производства ГИП с многоцветными экранами и
телевизионных ГИП. Основные направления совершенствования технологии
газоразрядных приборов с учетом предъявляемых к ним требований.
2.2.2.Практические занятия. 6 час.
Анализ технологических циклов производства газоразрядных источников
света. Составление технологических схем, выбор оптимальных технологических
решений в форме деловых игр.
2.2.3. Самостоятельная работа 30 час.
Выполнение домашнего задания по материалу модуля. Подготовка к
практическим занятиям, промежуточному контролю.
2.3. МОДУЛЬ 3.
Технология ЖК панелей.
2.3.1. Лекционный материал. 6 час.
Технология производства современных ЖК панелей. Основные направления
совершенствования характеристик и технологии ЖК панелей с учетом
предъявляемых к ним требований.
2.3.2. Практические занятия. 12 час.
Технология индикаторных приборов. Типовые технологические схемы и их
анализ. Особенности технологических циклов приборов с люминесцентными,
жидкокристаллическими
и
полупроводниковыми
экранами.
Основные
направления совершенствования технологии индикаторных приборов.
2.3.3. Самостоятельная работа 15 час.
Выполнение домашнего задания по материалу модуля. Подготовка к
практическим занятиям, промежуточному контролю.
4
3. ФОРМЫ ОТЧЕТНОСТИ:
3.1. Контрольные работы, тесты по каждому модулю, доклады по отдельным
технологическим операциям или приборам в целом, реферат.
4. ЛИТЕРАТУРА
4.1.Основная литература:
1. Антипов, Б. Л. Материалы электронной техники:. СПб.: Лань, 2001.208 с. (39)
2. Светцов, В. И, Смирнов, С. А. Корпускулярно-фотонные процессы и
технологии .— Иваново, 2009. 276 с. (55)
3. Шикова Технология и оборудование производства изделий электронной
техники .— Иваново, 2003 .— 68 с. (37)
4. Кротова,, Г. Д., Дубровин,, В. Ю., Титов,, В. А., Шикова,, Т. Г. Технология
материалов и изделий электронной техники .— Иваново, 2007 .— 155 с. (33
5. Барыбин, А. А., Сидоров, В.Г. Физико-технологи-ческие основы электроники.
СПб.: Лань, 2001. 268 с.
6. Таиров, Ю.М. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов.
СПб.: Лань, 2002 . 423с.
7. Медведев, А. [М.] Технология производства печатных плат .— М.:
Техносфера, 2005 .— 358 с. (20)
8. Киреев, В.Ю., Столяров, А. А. Технологии микроэлектроники. Химическое
осаждение из газовой фазы .— М.: Техносфера, 2006 .— 191 с. (40)
4.2.Дополнительная литература:
1. Конюшков, Г. В., Воронин,, В. И., Лисовский,, С. М. Основы конструирования
механизмов электронной техники .— М.: Издат.-торговая корпорация
"Дашков и К", 2009 .— 184 с. (1)
2. Шехмейстер, Е.И. Сборочные операции в электро-вакуумном производстве.
М.: Высш.шк., 1987. 287с. (2)
3. Гаскаров Д.В., Дахнович А.А.Оптимизация технологических процессов в
производстве электронных приборов.М:Высшая шк.1986
4. Моро, У. Микролитография:Принципы,методы,материалы . Ч.1 .— М.: Мир,
1990 .— 606с. (10)
5. Закиров Ф.Г., Николаев Е.А. Откачка и заварка в электровакуумном
производстве. М.: Высшая школа, 1983.
6. Федоров В.Б. Производство люминесцентных ламп. Энергия, 1981 г.
7. Данилин Б.С. Применение плазмы для получения тонких пленок.
Энергоатомиздат, 1989.
8. Красов В.Г. и др. Толстопленочная технология в СВЧ микроэлектроники /
Красов В.Г., Петраускас Г.Б., Чернозубов Ю.С. -М.: Радио и связь, 1985. -168
с.- (Б-ка технолога радиоэлектронной аппаратуры).
9. Куркин В.И. Основы расчета и конструирования оборудования
электровакуумного производства: -2-е изд., перераб. и доп.-М. :Высш. шк.,
1980.-408 с.
5. ПРИМЕНЕНИЕ ЭВМ.
5.1. Обучающе-контролирующие системы:
5
- тренировочные и контрольные тесты по каждому модулю;
5.2. Справочно-информационные системы:
- базы данных по технологиям производства отдельных типов приборов.
- электронный справочник по оборудованию (http://plasma.isact.ru, раздел
«Оборудование»).
4. График проведения и перечень практических занятий
1 занятие. Проектирование и расчет вольфрамовых катодов.
2 занятие. Проектирование и расчет оксидных катодов.
3 занятие. Контрольная работа ( расчет катодов ).
4 занятие. Тест по первому модулю.
5, 6 занятия. Построение технологической схемы и анализ технологии
производства приемно-усилительных ламп (на примере лучевого тетрода 6П36С).
7, 8 занятия. Построение технологической схемы и анализ технологии
производства металлостеклянных генераторных ламп ( на примере генераторного
тетрода ГУ-39А-1.
9 занятие. Тест по второму модулю.
10, 11 занятия. Технология изготовления металлокерамических генераторных
ламп ( на примере СВЧ триодов ГС-4 и 7007).
12 занятие. Контрольная работа ( вакуумные люминесцентные индикаторы ).
13, 14 занятия. Технология изготовления электролюминесцентного индикатора.
15 занятие. Технология изготовления жидкокристаллического индикатора.
16 занятие. Технология изготовления газоразрядного индикатора.
17 занятие. Тест по третьему модулю.
Программа проведения и варианты заданий для практических занятий приведены
в учебном пособии Т.Г. Шиковой «Технология и оборудование производства
изделий электронной техники» для практических занятий и самостоятельной
работы студентов (Иваново, ИГХТУ, 2003 г.)
Рейтинговый контроль работы студентов
Вид контроля
Количество баллов
Выступление с докладом по отдельной технологической операции или по прибору в
целом
Контрольная работа
Реферат
Накопительный
экзамен (тесты) по
модулям
14
8
20
Кол-во данных видов
контроля за семестр
1
Сумма баллов
2
1
3
16
20
26
14
Рейтинговый балл за контрольный период ставится по фактически
набранному количеству баллов на дату контрольной точки.
6
Накопительный экзамен проводится в виде компьютерного тестирования, в
объеме, охватывающем весь материал модуля. Общее количество вопросов по
трем модулям – 120.. Максимальная сумма баллов, которую может набрать
студент – 26.
Накопительный экзамен проводится с целью помочь студенту в изучении
большого объема фактического материала по частям и является первой частью
экзамена по дисциплине. Вторая часть экзамена проводится в устной форме
(максимальная сумма баллов -24).
Итоговая оценка по дисциплине складывается из баллов, полученных за
работу в семестре и на экзамене, состоящем из двух частей: компьютерного
тестирования втечение семестра и устного ответа.
5. Карта обеспеченности дисциплины учебной и методической литературой
(группа 5/10, количество студентов 20 человек)
№ Описание
1
2
3
4
5
6
7
8
Антипов, Б. Л. Материалы электронной техники:. СПб.:
Лань, 2001.208 с. (39)
Светцов, В. И, Смирнов, С. А. Корпускулярно-фотонные
процессы и технологии .— Иваново, 2009. 276 с. (55)
Шикова Технология и оборудование производства
изделий электронной техники .— Иваново, 2003 .— 68 с.
(37)
, Кротова,, Г. Д., Дубровин,, В. Ю., Титов,, В. А., Шикова,,
Т. Г. Технология материалов и изделий электронной
техники .— Иваново, 2007 .— 155 с. (33)
Барыбин, А. А., Сидоров, В.Г. Физико-технологи-ческие
основы электроники. СПб.: Лань, 2001. 268 с.
Таиров, Ю.М. Технология полупроводниковых и
диэлектрических материалов. СПб.: Лань, 2002 . 423с.
Медведев, А. [М.] Технология производства печатных
плат .— М.: Техносфера, 2005 .— 358 с. (20)
Киреев, В.Ю. Столяров,, А. А. Технологии
микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой
фазы .— М.: Техносфера, 2006 .— 191 с. (40)
Число
Число
ККО
экземпляров студентов
39
20
2
50
2,5
37
1,85
33
1,65
20
1,0
24
1,2
20
1,0
40
2,0
Дополнительная литература
№ Описание
Конюшков, Г. В., Воронин,, В. И., Лисовский,, С. М.
Основы конструирования механизмов электронной
1
техники .— М.: Издат.-торговая корпорация "Дашков и К",
2009 .— 184 с. (1)
Шехмейстер, Е.И. Сборочные операции в электро2
вакуумном производстве. М.: Высш.шк., 1987. 287с. (2)
Гаскаров Д.В., Дахнович А.А.Оптимизация технологических
3 процессов в производстве электронных приборов.М:Высшая
шк.1986
4 Закиров Ф.Г., Николаев Е.А. Откачка и заварка в
Число
Число
ККО
экземпляров студентов
1
20
2
48
31
7
электровакуумном производстве. М.: Высшая школа, 1983.
5
Моро, У. Микролитография:Принципы,методы,материалы
. Ч.1 .— М.: Мир, 1990 .— 606с. (10)
Федоров В.Б. Производство люминесцентных ламп. Энергия,
6 1981 г.
Данилин Б.С. Применение плазмы для получения тонких
пленок. Энергоатомиздат, 1989.
Красов В.Г. и др. Толстопленочная технология в СВЧ
микроэлектроники / Красов В.Г., Петраускас Г.Б., Чернозубов
8
Ю.С. -М.: Радио и связь, 1985. -168 с.- (Б-ка технолога
радиоэлектронной аппаратуры).
Куркин В.И. Основы расчета и конструирования оборудования
9 электровакуумного производства: -2-е изд., перераб. и доп.-М.
:Высш. шк., 1980.-408 с.
7
10
10
1
5
7
6. Комплект заданий для самостоятельной работы, тематика рефератов по
дисциплине
Для самостоятельной работы используются задания, приведенные в учебном
пособии Т.Г. Шиковой «Технология и оборудование производства изделий
электронной техники» для практических занятий и самостоятельной работы
студентов (Иваново, ИГХТУ, 2003 г.)
Примерные темы рефератов:
1. Натриевые лампы высокого давления: принцип действия, конструкция,
технология изготовления.
2. Полупроводниковые лазеры: принцип действия, конструкция, технология
изготовления.
3. *Электролюминесцентные панели: принцип действия, конструкция,
технология изготовления.
4. Получение тонких пленок методом термического испарения в вакууме
(резистивное и электронно-лучевое): сущность метода, схема и конструкция
установок, особенности технологии получения пленок.
5. Получение тонких пленок методом катодного распыления (диодная,
триодная системы, катодное распыление с ионной бомбардировкой (КИБ)):
сущность метода, схема и конструкция установок, особенности технологии
получения пленок.
6. Получение тонких пленок методом магнетронного распыления: сущность
метода, схема и конструкция установок, особенности технологии получения
пленок.
7. *Получение тонких пленок методом вакуумно-дугового испарения:
сущность метода, схема и конструкция установок, особенности технологии
получения пленок.
8. Сегнето-, пьезо-, пироэлектрические эффекты в монокристаллах и
керамических материалах. Применение этих материалов.
9. *Получение
монокристаллических
и
керамических
материалов,
обладающих свойствами сегнето-, пьезо-, пироэлектриков.
10.Волоконные и пленочные оптические элементы.
11.*Изготовление волоконных и пленочных оптических элементов.
8
12.Пайка в технологии изготовления печатных плат (виды пайки, особенности
применения, технология процесса, оборудование).
13.*Полупроводниковые светодиоды: принцип действия, конструкция,
технология изготовления.
14.Микроканальные пластины в фотоэлектронных пластинах: принцип
действия, конструкция, технология изготовления.
15.*Изготовление тонкопленочных транзисторов в производстве ЖК –
панелей.
16.Приборы, использующие электрические свойства газового разряда: принцип
действия, конструкция, технология изготовления (на примере одного
прибора).
17.Полупроводниковые фотоэлектронные приборы: принцип действия,
конструкция, область применения, технология изготовления (для одного
прибора).
18.*Вакуумные
и
полупроводниковые
фотоэлектронные
приборы:
сравнительная характеристика.
19.Механическая обработка монокристаллических, материалов. Способы
ориентации пластин.
20.«Чернящие» покрытия в технологии электронных приборов: назначение,
материалы, способы получения.
21.*Просветляющие покрытия в оптических приборах: назначение, материалы,
способы получения.
22.Получение пленок металлов, полупроводников и диэлектриков из газовой
фазы.
7. Комплект контрольно-измерительных материалов для текущего,
промежуточного и итогового контроля
Задачи для контрольной работы по расчету термоэмиссионных
катодов:
1. В каталоге RCA указывается, что триод с эмиссией 898 А имеет вольфрамовый
катод, состоящий из трёх отдельных нитей (позволяющих нагревать катод
трёхфазным током), из которых каждая потребляет ток 70 А при напряжении 33
В. Полный ток насыщения 54 А. Вычислить остальные характеристики катода.
Задачу решить с помощью таблицы Джонса и Ленгмюра и уравнения Дешмана –
Ричардсона.
2. Вычислить диаметр, длину, температуру и среднюю долговечность катода из
чистого вольфрама, потребляющего ток 0,7 А при напряжении 4 В и дающего ток
насыщения 20 мА. Тепловыми потерями пренебречь. Решить задачу с помощью
таблицы Джонса и Ленгмюра и уравнения Дешмана – Ричардсона.
3. В триоде используют катод из торированного вольфрама, который при токе
накала 15 А и напряжении накала 7,5 В дает ток насыщения 1,2 А. Ws = 2,6 эВ; А
= 3 Асм-2град-2.
а) Каковы его характеристики?
9
б) Какие характеристики будет иметь катод из чистого вольфрама той же площади
при том же напряжении накала, дающий тот же ток насыщения? Сравнить, в
частности, мощность накала.
4. Дан оксидный катод прямого накала с керном из кремнистого никеля,
используемый в выходной лампе (катод лампы УО-186). Напряжение накала Uн =
4 В, ток накала Iн = 1 А. Определить геометрические размеры катода и ток катода.
5. Вычислить характеристики катода прямого накала (плотность тока и
геометрические размеры) триода большой долговечности (не менее 100000 ч). Ток
эмиссии 30 мА, напряжение и ток накала Uн = 6 В, Iн = 1,1 А. Учесть потери от
теплопроводности (20 %). Часть катода (20 %) выступает за анод с обоих концов и
не покрыта оксидом.
6. Вычислить размеры оксидного катода прямого накала выходной лампы,
напряжение и ток накала которой равны соответственно 11 В и 2,5 А.
Электронный ток 200 мА. Определить металл для приготовления данного катода.
7. Дан катод косвенного накала, работающий в выходной лампе (рис.1).
d
Рассчитать размеры подогревателя,
изготовленного из сплава W – Mo
(50 : 50) для Uн = 6,3 В.
d = 2,7 мм; h1 = 30 мм; h2 = 36 мм.
h2
h1
Рис. 1
Задание для контрольной работы по технологии вакуумных
люминесцентных индикаторов:
Каждому студенту выдается свой (плоский или цилиндрический) индикатор и
предлагается составить технологическую схему и описать технологию
изготовления данного индикатора с учетом его индивидуальных особенностей.
Тесты для компьютерного контроля студентов
Технология производства ВЛИ
В основе работы ВЛИ лежит
-высоковольтная катодолюминесценция
+ низковольтная катодолюминесценция
-фотолюминесценция
-электролюминесценция
По принципу работы ВЛИ это –
-диод
10
+ триод
-тетрод
Какой катод используется в ВЛИ ?
+ оксидный прямого накала
-оксидный косвенного накала
-вольфрамовый
В каких температурных условиях работает катод ВЛИ?
+ 650-700ºС
-800-900ºС
-1100-1200ºС
Почему катод ВЛИ работает в условиях недокала?
-для увеличения срока службы катода
+ для того чтобы не маскировать изображение
-для уменьшения энергопотребления
+ для того чтобы не отравлять люминофор парами бария и не перегревать его
С какой целью на внутреннюю поверхность стеклянной колбы ВЛИ наносят прозрачное
проводящее покрытие?
-для повышения прозрачности стекла
-для снижения рабочего напряжения
+ для устранения влияния внешних полей на яркость свечения люминофора
Какие металлы напыляют на стекло при изготовлении анодной платы?
+ алюминий
-сурьма
-хром
+ ванадий
Почему при изготовлении анодной платы напыляют два металла?
-для увеличения коэффициента отражения
-для увеличения электропроводности
+ для улучшения адгезии основного металла к подложке
Назначение первой фотолитографии в тонкопленочной технологии ВЛИ?
+ создание заданного рисунка на анодной плате
-вскрытие токоразводящих дорожек для последующего анодирования
-маскирование токоразводящих дорожек и вскрытие сегментов для нанесения люминофора
Назначение второй фотолитографии в тонкопленочной технологии ВЛИ?
-создание заданного рисунка на анодной плате
+ вскрытие токоразводящих дорожек для последующего анодирования
+ маскирование токоразводящих дорожек и вскрытие сегментов для нанесения люминофора
С какой целью проводится анодирование плат ВЛИ?
-увеличение электропроводности токоразводящих дорожек
-защита токоразводящих дорожек от электронной бомбардировки
+ защита токоразводящих дорожек от осаждения люминофора
Операция анодирования в производстве ВЛИ заключается в
-напылении пленки оксида алюминия на анодную плату
-термическом окислении анодных плат
11
+ электрохимическом выращивании оксида алюминия на анодной плате
Какой люминофор наносят на сегменты ВЛИ?
+ ZnO-Zn
-ZnS-Zn
-ZnS-Ag
Способ нанесения люминофора -седиментация
-пульверизация
+ катафорез
-фотопечать
Способ изготовления сеток ВЛИ –
-навивка из проволоки
-электрохимическое осаждение
+ фотохимическая штамповка
Способы герметизации плоского ВЛИ –
-заварка
+ пайка стеклоцементом
-соединение хромфосфатным цементом
+ соединение герметиком
Хромфосфатный цемент в технологии ВЛИ используют для
-герметизации индикатора
+ соединения отдельных деталей внутренней арматуры
-присоединения выводов к контактным площадкам
Технология производства вакуумных ФЭП
Перечислите вакуумные фотоэлектронные приборы.
-фотосопротивление
+ фотоэлемент
-фотодиод
+ фотоэлектронный умножитель
+ электронно-оптический преобразователь
-фототранзистор
Чем определяется выбор материала колбы или окна вакуумного фотоэлемента (ФЭ)?
-диэлектрическими характеристиками
-коэффициентом термического расширения
+ рабочим спектральным диапазоном
С какой целью проводится операция «штенгелевка» колбы при изготовлении сурьмяноцезиевого фотоэлемента?
+ формирование вывода катода
-формирование вывода анода
-размещение испарителя сурьмы
+ размещение цезиевого препарата
Какой препарат используют в качестве источника цезия в ФЭ?
+ Cs2CrO4
-Cs2SO4
12
-Cs2WO4
Где в ФЭ располагается сурьма для формирования фотокатода?
-в боковом штенгеле
+ на аноде
-на катоде
Какое соединение обладает максимальной фоточувствительностью?
-CsSb
-Cs2Sb
+ Cs3Sb
Как контролируют процесс формирования фотокатода?
-по времени
+ по фототоку
-визуально
Операция «сенсибилизация» при изготовлении сурьмяно-цезиевого ФЭ проводится
-для увеличения квантового выхода в максимуме чувствительности фотокатода
+ для смещения «красной» границы фотоэффекта в сторону больших длин волн
+ для увеличения чувствительности фотокатода в видимой части спектра
Как меняются характеристики фотокатода при использовании не одного, а нескольких
щелочных металлов?
-уменьшается квантовый выход в максимуме чувствительности фотокатода
+ увеличивается квантовый выход в максимуме чувствительности фотокатода
+ смещается «красная» граница фотоэффекта в сторону больших длин волн
-смещается «красная» граница фотоэффекта в сторону меньших длин волн
+ увеличивается интегральная чувствительность фотокатода
-уменьшается интегральная чувствительность фотокатода
В какой последовательности ведется обработка сурьмы парами щелочных металлов при
изготовлении мультищелочного фотокатода ?
+ натрий, калий, цезий
- натрий, литий, цезий
- калий, натрий, литий
- кальций, натрий, цезий
Какой способ нанесения серебра используется при изготовлении оксидно-цезиевого
фотокатода?
-вакуум-термическое испарение
+ химическое осаждение
-нанесение пасты, содержащей серебро
Каким способом получают оксид серебра при изготовлении оксидно-цезиевого фотокатода?
-нанесение пленки оксида серебра
-термическое окисление серебра
+ окисление серебра в плазме
Укажите, каким фотокатодам соответствуют спектральные характеристики, приведенные на
рисунке.
-Назначение ФЭУ.
13
-преобразует оптический сигнал в электрический
+ преобразует оптический сигнал в электрический и усиливает его
-преобразует спектральный состав оптического излучения
Какой способ очистки колб лучше использовать при изготовлении ФЭУ?
-химическая очистка в растворах ПАВ
-ультразвуковая очистка
+ плазмохимическая очистка
Какую роль выполняет алюминиевое покрытие в ФЭУ?
+ защищает фотокатод от боковой засветки
-улучшает адгезию фотокатода к стеклу
-уменьшает темновой ток
+ выравнивает потенциал между фотокатодом и модулятором
Какие материалы используются для формирования мультищелочного фотокатода ФЭУ?
-алюминий
+хром
-ванадий
+сурьма
+соединения щелочных металлов
-серебро
Где в ФЭУ располагаются препараты для формирования фотокатода?
-в боковых штенгелях
-на аноде
+ под кольцом модулятора
-перед первым динодом
Какие материалы используют для изготовления сплавных динодов?
-Cu - Al
+ Cu – Be
-Al – Mg
+ Cu - Mg
-Cu - Ag
С какой целью проводится активировка сплавных динодов?
-для повышения пластичности сплава
-для увеличения электропроводности сплава
+ для увеличения КВЭ сплава
-для очистки поверхности и снятия напряжений
Какие газы лучше использовать для активировки сплавных динодов?
-H2
-O2
-N2
+ CO2
-Ar
-H2O
Способ изготовления сетки для динодов типа «жалюзи».
-навивка из проволоки
+ электрохимическое осаждение
14
-фотохимическая штамповка
Назначение ЭОП.
-преобразует оптический сигнал в электрический
-преобразует оптический сигнал в электрический и усиливает его
+ преобразует спектральный состав оптического излучения
+ усиливает яркость изображения
Почему изображение на люминесцентном экране ЭОП может быть нечетким?
-из-за низкой яркости наблюдаемого объекта
-из-за низкой спектральной чувствительности фотокатода
+ из-за разной направленности начальных скоростей фотоэлектронов
-из-за плохой разрешающей способности люминесцентного экрана
Пути повышения четкости изображения на люминесцентном экране ЭОП.
-подсветка наблюдаемого объекта
-повышение спектральной чувствительности фотокатода в нужной области спектра
+ увеличение напряжения между фотокатодом и экраном
-улучшение качества люминесцентного экрана
+ уменьшение расстояния фотокатод – экран
Способ нанесения люминофора в производстве ЭОП.
+ седиментация (осаждение)
-пульверизация
-катафорез
-фотопечать
Способ нанесения органической пленки на люминесцентный экран в производстве ЭОП.
-пульверизация
-полив
+ флотация
-центрифугирование
В чем заключается операция герметизации ЭОП?
-заварка колбы и бусинковой ножки с собранной внутренней арматурой
-соединение люминесцентного экрана с анодным цилиндром
+ соединение фотокатодного и экранного дисков с колбой ЭОП
Технология производства газоразрядных лазеров
Оптический резонатор - это
-газоразрядная трубка с окнами Брюстера
+ два зеркала, одно их которых полностью отражающее, другое прозрачное
-активный элемент с источником питания
+ система оптических элементов, в пространстве между которыми могут возбуждаться
электромагнитные колебания оптического диапазона
Назначение оптического резонатора
-создание инверсной заселенности
-осуществление накачки газорарядного лазера
+ удлинение пути, проходимого излучением через активную среду
Из предложенного списка выберите атомарные лазеры непрерывного режима работы
-CO2 - лазеры
-Ar - лазеры
15
-ArF* - лазеры
+ He-Ne - лазеры
-CO - лазеры
-He-Cd - лазеры
-Kr - лазеры
-Cu - лазеры
-He-Se - лазеры
Из предложенного списка выберите ионные лазеры непрерывного режима работы
-CO2 - лазеры
+ Ar - лазеры
-ArF* - лазеры
-He-Ne - лазеры
-CO - лазеры
+ He-Cd - лазеры
+ Kr - лазеры
-Cu - лазеры
+He-Se - лазеры
Из предложенного списка выберите молекулярные лазеры непрерывного режима работы
+ CO2 - лазеры
-Ar - лазеры
-ArF* - лазеры
-He-Ne - лазеры
+ CO - лазеры
-He-Cd - лазеры
-Kr - лазеры
-Cu - лазеры
-He-Se - лазеры
С какой целью окна для вывода лазерного излучения ставят под углом Брюстера?
+ для снижения потерь на отражение излучения
-для снижения потерь на поглощение излучения
-для снижения потерь на рассеяние излучения
Под каким углом к разрядной трубке нужно установить выходное окно в He-Ne лазере, если
показатель преломления газовой смеси равен 1, а оптического стекла – 1,5?
-46º
+ 56º
-66º
Где френелевские потери при выводе лазерного излучения будут больше?
-в лазерах УФ диапазона
-в лазерах видимого диапазона
+ в лазерах ИК диапазона
Чему равны френелевские потери при выводе излучения в лазере ИК диапазона, если
показатель преломления газовой смеси равен 1, а материала, из которого изготовлено выходное
окно – 3?
-25%
-40%
+ 50%
Из предложенного списка выберите материалы, из которых изготавливают выходные окна
16
лазеров УФ диапазона
-ЛК-4
-С-52
-КУ
-КВ
-С-95
-Пирекс
-Ge
+ Кварц кристаллический
-NaCl кристаллический
-GaAs
Из предложенного списка выберите материалы, из которых изготавливают выходные окна
лазеров видимого диапазона
+ ЛК-4
-С-52
+ КУ
+ КВ
-С-95
-Пирекс
-Ge
-Кварц кристаллический
-NaCl кристаллический
-GaAs
Из предложенного списка выберите материалы, из которых изготавливают выходные окна
лазеров ИК диапазона
-ЛК-4
-С-52
-КУ
-КВ
-С-95
-Пирекс
+ Ge
-Кварц кристаллический
+ NaCl кристаллический
+ GaAs
Из предложенных материалов составьте пары, которые можно использовать для изготовления
интерференционных зеркал.
3
MgF2 (n=1,38)
4
SiO2 (n=1,46)
0
ZnS (n=2,35)
0
TiO2 (n=2,4)
С какой целью осуществляется коррекция волнового фронта?
-для получения нужной поляризации лазерного излучения
-для подавления излучения на конкурирующем переходе
+ для уменьшения расходимости лазерного пучка
17
Для коррекции волнового фронта
-тыльную поверхность подложки «выходного» зеркала делают плоской
+ тыльную поверхность подложки «выходного» зеркала делают сферической
-тыльную поверхность подложки «глухого» зеркала делают плоской
-тыльную поверхность подложки «глухого» зеркала делают сферической
Тыльную поверхность «выходного» зеркала лазера просветляют
-для увеличения коэффициента отражения
+ для уменьшения коэффициента отражения
-для уменьшения потерь на рассеяние излучения
+ для увеличения мощности излучения
Почему диаметр капилляра He-Ne лазера делают небольшим (1-3 мм)?
-для повышения эффективности возбуждения атомов Не
-для повышения эффективности передачи энергии от возбужденных атомов Не атомам Nе
+ для повышения эффективности релаксации нижнего метастабильного состояния атома Nе
Какой тип катодов используется в современных моделях He-Ne лазеров?
-оксидный катод прямого накала
-оксидный катод косвенного накала
-вольфрамовый катод
+ холодный катод из окисленного алюминия
-импрегнированный катод
Почему капилляр He-Ne лазеров с внутренними зеркалами жестко соединяется с стеклянной
трубкой только с одной стороны?
+ из – за необходимости капилляру свободно перемещаться относительно наружной колбы
вследствие термического расширения
-из –за необходимости крепления катода
-из –за более простой технологии изготовления
Способ очистки разрядной трубки He-Ne лазера
-окунание и выдерживание в моющем растворе
+ УЗ очистка в органических растворителях
-УЗ очистка в парах фреона
-плазмохимическая очистка
-кистевая мойка
Способы очистки окон и подложек зеркал.
-окунание и выдерживание в моющем растворе
-УЗ очистка в органических растворителях
+ УЗ очистка в парах фреона
-плазмохимическая очистка
+ кистевая мойка
Способы соединения оптических элементов с разрядной трубкой.
+ клеевое соединение
-соединение с помощью хромфосфатного цемента
-диффузионная сварка
-УЗ сварка
-точечная сварка
+ лазерная сварка
-заварка с использованием газокислородных горелок
+ пайка стеклоцементом
18
+ посадка на оптический контакт
Перечислите операции, которые можно проводить в процессе вакуум-термической обработки
He-Ne лазера в случае клеевого присоединения оптических элементов.
+ обезгаживание стекла в печи при температуре 200ºС
-обезгаживание стекла в печи при температуре 450ºС
+ обезгаживание стекла УВЧ генератором с промывкой рабочей газовой смесью
+ обезгаживание металлических деталей с помощью ВЧ генератора
С какой целью используется обводной канал в активном элементе аргонового лазера?
-для компенсации поглощения газа стенками разрядной трубки
-для охлаждения разрядной трубки
+ для компенсации перекачки газа под действием продольного электрического поля
-для уменьшения запыления оптических элементов продуктами разрушения электродов
С какой целью в ряде конструкций активного элемента аргонового лазера используется дозатор
инертного газа?
+ для компенсации поглощения газа стенками разрядной трубки
-для компенсации перекачки газа под действием продольного электрического поля
-для обеспечения чистоты газового наполнения
+ для обеспечения заданного давления рабочего газа
Почему трубку ионного лазера помещают, как правило, в соленоид?
+ для повышения эффективности накачки лазера
-для охлаждения разрядной трубки
-для подавления излучения на конкурирующих переходах
Какая керамика используется для изготовления разрядного канала аргоновых лазеров?
+ керамика на основе BeO
-керамика на основе Al2O3
-керамика на основе TiO2
Какие преимущества перед кварцевым стеклом имеет керамика на основе BeO как материал для
изготовления разрядной трубки аргонового лазера?
-выше термостойкость
+ выше теплопроводность
-выше модуль упругости
-выше устойчивость к ионной бомбардировке
Какие преимущества перед керамикой на основе BeO имеет графит как материал для
изготовления разрядного канала аргонового лазера?
-выше термостойкость
-выше теплопроводность
-выше модуль упругости
+ выше устойчивость к ионной бомбардировке
С какой целью в ионных лазерах используются вспомогательные защитные электроды?
-для снижения напряжения зажигания разряда
-для снижения эффекта перекачки газа
+ для уменьшения запыления окон Брюстера
Как решается проблема запыления окон Брюстера в He-Cd лазерах?
+используют уширение разрядной трубки в катодной области
-используют уширение разрядной трубки в анодной области
19
-используют слаботочный разряд между окнами Брюстера и вспомогательными электродами
+располагают катод посередине разрядной трубки
Выберите основные компоненты газовой смеси лазера на СО2.
-H2O
+ CO2
-CO
-NO
+ He
-Ne
-H2
+ N2
-O2
С какой целью активный элемент лазера на СО2 охлаждается?
-для повышения эффективности возбуждения молекул СО2
+ из – за возможного нарушения инверсии при незначительном нагреве газовой смеси
-из – за выделения большой мощности на стенках разрядной трубки
-из –за необходимости поддержания постоянной температуры стенок капилляра
Чем, в основном, ограничивается срок службы отпаянных лазеров на СО2?
+ изменение состава газовой смеси
-разрушение разрядного канала под действием ионной бомбардировки
-запыление оптических элементов изнутри
-вытеснение и перекачка газа
Каковы причины изменения состава газовой смеси в отпаянных лазерах на СО2?
-поглощение рабочего газа стенками разрядной трубки
-выделение в объем разрядной трубки газов и паров из внутренних деталей
+ разложение СО2 в разряде
-диффузия газовой смеси через нагретые стенки разрядной трубки
-химическое взаимодействие между компонентами газовой смеси
+ химическое взаимодействие материала катода с компонентами газовой смеси
Способы поддержания постоянства состава газовой смеси в отпаянных лазерах на СО2.
-использование обводного канала
+ введение в разрядную трубку кислородсодержащих соединений
-использование дозатора газовой смеси
-использование балластного объема
+ изготовление электродов из химически инертных материалов
-охлаждение разрядного канала
-тщательная вакумм-термическая обработка разрядной трубки
+ введение в состав газовой смеси компонентов, способствующих образованию СО2
Какие катоды используются в лазерах на СО2?
-оксидный катод прямого накала
-вольфрамовый накальный катод
+ холодные металлические катоды
-холодный катод из окисленного алюминия
-импрегнированный катод
Какие материалы предпочтительно использовать для изготовления катодов лазеров на СО2?
-Fe
+ Pt
20
-Ni
-Al
+ Pd
+ Ag
-W
-Ta
+ Au
Из каких материалов изготавливаются «глухие» зеркала лазеров на СО2?
-германий
-арсенид галлия
-селенид цинка
+медь
+серебро
Технология производства ГИП
Какие ГИП применяются для отображения знакографической информации?
+постоянного тока с внешним сканированием разряда
-постоянного тока с самосканированием
+переменного тока
-сегментные
Какой вид разряда используется в газоразрядных индикаторных панелях?
-дуговой
-искровой
-коронный
+тлеющий
Из предложенного списка выберите газы, которые используются в газовом наполнении ГИП.
-CO2
-N2
-H2
+Hg
-H2O
+He
+Ne
+Ar
+Xe
Какой газ является основным в газовом наполнении ГИП?
неон
Какой способ очистки анодной и катодной пластин применяют в производстве ИГПП 32/32?
-окунанние в моющие растворы
-плазмохимическая очистка
-кистевая мойка
+УЗ мойка
Какое вещество составляет основу контрастного покрытия в люминофорной ГИП ИГПП 32/32?
-графит
-алунд
+стеклоцемент
-хром
-смолы
21
Какой способ нанесения контрастного покрытия используется при изготовлении ИГПП 32/32?
-пульверизация
-катафорез
+трафаретная печать
-вакуумное напыление
-намазывание
Какой способ нанесения люминофора используется при изготовлении ИГПП 32/32?
+пульверизация
катафорез
-трафаретная печать
-вакуумное напыление
-намазывание
Какой люминофор используют в ИГПП 32/32?
-ZnS - Cu
-ZnO - Zn
-ZnS - CdS - Cu
+Zn2SiO4 - Mn
Из какого металла изготавливаются катоды панелей ИГПП 32/32 и ГИПП 10000?
-молибден
-хром
-алюминий
+титан
-никель
-золото
Какой способ изготовления катодов применяют в производстве панелей ИГПП 32/32 и ГИПП
10000?
-трафаретная печать
-вакуумное напыление
-вырубка из листа металла
+фотохимическая штамповка
-нарезка проволоки нужной длины
В какой среде проводят термическую обработку маиериала катода при производстве панелей
ИГПП 32/32 и ГИПП 10000?
-азот
-водород
+вакуум
-формир-газ
-воздух
С какой целью готовые катоды ИГПП 32/32 и ГИПП 10000 покрывают алюминием?
-для увеличения электропроводности
-для защиты от окисления
+для защиты от распыления
-для уменьшения маскирования изображения
-для уменьшения напряжения зажигания разряда
22
Какой способ герметизации панели применяют в производстве ИГПП 32/32 и ГИПП 10000?
+пайка стеклоцементом
-соединение с помощью эпоксидных смол
-соединение с помощью герметика
-заварка
С какой целью в газовое наполнение панели ИГПП 32/32 вводят ртуть?
-для поддержания постоянства давления газовой смеси
-для поддержания постоянства состава газовой смеси
-для снижения интенсивности излучения газового разряда
+для уменьшения распыления электродов
+для увеличения выхода УФ излучения
Вид люминесценции в люминофорных ГИП.
-низковольтная катодолюминесценция
-высоковольтная катодолюминесценция
+фотолюминесценция
-электролюминесценция
Установите соответствие между типом газоразрядной панели и способом создания диодной
газоразрядной ячейки.
5ИГПП 32/32
6
ГИП 10000
6
ГИП переменного тока без памяти
8
цветная панель
0
пазы на анодной и катодной пластине
0
диэлектрическая матричная решетка
0
пазы на катодной пластине
0
ребра на одной из стеклянных пластин
0
пазы на анодной пластине
Установите соответствие между типом ГИП и видом используемых электродов.
0
ГИП постоянного тока
0
ГИП постоянного тока с люминофором
0
ГИП переменного тока без памяти
0
ГИП переменного тока с внутренней памятью
Преимущества ГИП переменного тока с внутренней памятью перед ГИП постоянного тока.
-более высокая яркость изображения
+отсутствие зависимости яркости от информационной емкости
-более высокая контрастность изображения
+практическое отсутствие распыления электродов
23
-более низкие питающие напряжения
-более простая технология изготовления
Какие металлы, как правило, используются для изготовления металлических электродов в ГИП
переменного тока?
+алюминий
-титан
-медь
+золото
-тантал
+хром
-никель
-молибден
Способ формирования серебрянных контактных площадок в технологии ГИП переменного
тока.
+трафаретная печать
-вакуумное напыление
-химическое осаждение
-электрохимичекое осаждение
Назначение слоя ЛПС (легкоплавкого стекла) в ГИП переменного тока с внутренней памятью.
-защищает электроды от распыления
-фиксирует зазор между стеклянными пластинами
-изолирует электроды одной пластины от электродов другой пластины
+создает разделительную емкость
Из предложенных конструкторских и технологических решений плазменных цветных панелей
выберите те, которые направлены на улучшение контраста и цветопередачи.
-ячейки "вафельной" (галетной) структуры
-несимметричная структура ячеек
+нейтральные светофильтры
-фильтр Accu Crimson
+спектральные светофильтры
+черное покрытие на верхней части ребер
+пигментация люминофора
Из предложенных конструкторских и технологических решений плазменных цветных панелей
выберите те, которые направлены на увеличение яркости белого цвета.
-ячейки "вафельной" (галетной) структуры
+несимметричная структура ячеек
-нейтральные светофильтры
-фильтр Accu Crimson
-спектральные светофильтры
-черное покрытие на верхней части ребер
-пигментация люминофора
Из предложенных конструкторских и технологических решений плазменных цветных панелей
выберите те, которые направлены на устранение паразитной засветки соседних ячеек.
+ячейки "вафельной" (галетной) структуры
-несимметричная структура ячеек
-нейтральные светофильтры
-фильтр Accu Crimson
-спектральные светофильтры
24
-черное покрытие на верхней части ребер
-пигментация люминофора
Из предложенных конструкторских и технологических решений плазменных цветных панелей
выберите те, которые направлены на создание реалистичных оттенков красного цвета.
-ячейки "вафельной" (галетной) структуры
-несимметричная структура ячеек
-нейтральные светофильтры
+фильтр Accu Crimson
-спектральные светофильтры
-черное покрытие на верхней части ребер
-пигментация люминофора
Технология производства ЖК панелей
Какой электрооптический эффект лежит в основе работы ЖК панели?
+эффект вращения плоскости поляризации
-эффект динамического рассеяния
-эффект перехода холестерик - нематик
-эфффект "гость - хозяин"
С какой целью в ЖК панели используют пленки поляризаторов?
-для повышения контрастности изображения
-для создания нужной ориентации жидкого кристалла
+для поляризации света в определенном направлении
Какие материалы могут быть использованы для изготовления пленок поляризаторов?
-поливинил
-полиимид
-ацетилцеллюлоза
+йодполивинил
Почему для управления ЖК панелью используется переменное, а не постоянное напряжение?
-для увеличения яркости ЖК ячейки
+для увеличения срока службы жидкого кристалла
-для снижения времени отклика на поданный сигнал
С какой целью на подложке цветных фильтров используется черная матрица?
-для повышения контрастности изображения
-для получения металлических вертикальных и горизонтальных линий данных
+для скрытия из поля зрения нежелательного изображения
-для изоляции субпиксилей друг от друга
Какой способ получения пленки ITO используется при изготовлении ЖК панели?
-химическое осаждение их газовой фазы
-плазмохимическое осаждение из газовой фазы
+катодное распыление
-аэрозольный способ
-пиролиз
Какую роль выполняет пленка полиимида в ЖК ячейке?
-герметизирующая прокладка
-защищает цветные фильтры и тонкопленочные транзисторы от воздействия жидкого кристалла
+создает нужную ориентацию жидкого кристалла
-превращает неполяризованный свет в плоскополяризованный
25
Какой вид обработки полимерной пленки используется для придания ей ориентирующего
действия?
-химическая очистка
-травление
+шлифование
-процарапывание
Какой метод получения пленок изоляторов и полупроводников используется при создании
тонкопленочного транзистора в производстве ЖК панелей?
-химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ)
+плазмохимическое осаждение
-катодное распыление
-термическое испарение
Какое преимущество имеет плазмохимическое осаждение перед ХОГФ?
-более простое оборудование для проведения процесса
+более низкие рабочие температуры процесса
-более низкие требования к чистоте исходных реагентов
+более широкие возможности в управлении процессом
В чем преимущества поликристаллического кремния перед аморфным как материала для
канала тонкопленочного транзистора?
-более высокое значение удельной проводимости
+более высокое значение подвижности носителей заряда
-более высокие температуры получения пленок
+более упорядоченное расположение доменов
Какие методы получения пленок поликристаллического кремния используют в технологии ЖК
панелей?
-ХОГФ при низком давлении
-ХОГФ при атмосферном давлении
+лазерный отжиг аморфного кремния
-термическое испарение кремния
Из предложенного списка выберите материал, который в наибольшей степени подходит для
использования в качестве герметизизирующей прокладки в ЖК панели.
-эпоксидная смола
-полиимид
+эпоксидноноволачный блоксополимер (БЭН)
-поливинилбутирол (ПВБ)
Какой способ заполнения ячейки жидким кристаллом используется в технологии ЖК панелей?
-растекание капли
-вакуумный способ
+разность давлений
-под давлением
Вопросы для подготовки к экзамену
1. Классификация электронных приборов (ЭП). Основные свойства ЭП,
обусловливающие общие черты технологии. Типовая технологическая
схема производства ЭП.
26
2. Конструкция, принцип действия и основные узлы ВЛИ.
3. Технология изготовления анодной платы ВЛИ: тонкопленочная технология.
4. Технология изготовления анодной платы ВЛИ: толстопленочная
технология.
5. Технологическая схема изготовления ВЛИ. Описание операций (кроме
изготовления анодной платы).
6. Назначение, конструкция и основные узлы вакуумных фотоэлементов.
7. Технология изготовления сурьмяно-цезиевого фотоэлемента: получение
катодного ввода, снаряжение фотоэлемента препаратами для получения
фотокатода.
8. Технология изготовления сурьмяно-цезиевого фотоэлемента: формирование
фотокатода, свойства полученного фотокатода.
9. Технология изготовления многощелочного сурьмянистого фотоэлемента.
Свойства полученного фотокатода.
10.Технология изготовления оксидно-цезиевого фотокатода. Свойства
полученного фотокатода.
11.Конструкция, принцип действия и основные узлы ФЭУ.
12.Основные типы вторичных катодов ФЭУ.
13.Особенности получения слоев с высоким КВЭ у сплавных динодов.
14.Технология изготовления динодов типа «жалюзи».
15.Технологическая схема производства ФЭУ. Описание основных операций
(кроме изготовления динодов).
16.Назначение, конструкция, принцип действия, основные узлы ЭОП.
17.Технология изготовления ЭОП до операции «заварка ножки».
18.Технология изготовления ЭОП после операции «заварка ножки».
19.Классификация газоразрядных приборов и газоразрядных лазеров.
20.Классификация гелий-неоновых лазеров. Механизм создания инверсной
заселенности.
21.Принцип действия лазера. Основные конструктивные элементы.
22.Оптические резонаторы. Окна Брюстера.
23.Оптические резонаторы. Зеркала.
24.Основные конструкции активного элемента гелий-неонового лазера.
25.Технологическая схема производства гелий-неонового лазера с наружными
зеркалами. Описание основных операций (кроме соединения оптических
деталей с разрядной трубкой).
26.Технологическая схема производства гелий-неонового лазера с
внутренними зеркалами. Технология соединения оптических деталей с
разрядной трубкой.
27.Механизм создания инверсной заселенности, основные особенности и
конструкции активных элементов лазеров на переходах ионов металлов (He
– Cd, He – Se лазеры).
28.Механизм создания инверсной заселенности, основные особенности и
конструкции активных элементов лазеров на переходах ионов инертных
газов.
29.Активный элемент ионного лазера с кварцевым разрядным каналом.
30.Активный элемент ионного лазера с керамическим разрядным каналом.
27
31.Активный элемент ионного лазера с графитовым разрядным каналом.
32.Лазеры на молекулярных переходах: создание инверсной заселенности,
основные особенности, конструкции активных элементов.
33.. Конструкции активного элемента отпаянного СО2 лазера.
34.Причины ограниченного срока службы отпаянных СО2-лазеров. Пути
повышения долговечности этих лазеров.
35.Активные элементы СО2- лазеров с прокачкой.
36.Технология изготовления катода лучевого тетрода 6П36С
37.Технология изготовления подогревателя катода лучевого тетрода 6П36С.
38.Технология изготовления анода лучевого тетрода 6П36С.
39.Технология изготовления сеток лучевого тетрода 6П36С.
40.Технология изготовления баллона и ножки лучевого тетрода 6П36С.
41.Технология изготовления катода металлостеклянной генераторной лампы
ГУ 39А-1.
42.Описание операции изготовления анода металлостеклянной генераторной
лампы ГУ 39А-1.
43.Описание операции заварка процесса изготовления металлостеклянной
генераторной лампы ГУ 39А-1.
44.Технология изготовления керамических деталей метало-керамического
триода ГС-4.
45.Технология активной пайки метало-керамического триода ГС-4.
46.Технология пассивной пайки металло-керамического триода 7007.
47. Конструкция, технологическая схема и пооперационное описание процесса
изготовления ЭЛИ.
8. Программа использования инновационных технологий в преподавании
дисциплины
1. При подготовке самостоятельных заданий и рефератов студенты используют не
только учебную литературу, но и новую информацию, представленную в
Интернете.
2. При изучении оборудования, применяемого в производстве ИЭТ, студенты
используют электронный справочник, созданный в электронной библиотеке
кафедры и расположенный по адресу http://plasma.isact.ru в разделе
«Оборудование».
3. При рассмотрении технологии изготовления отдельных изделий ЭТ или
отдельных технологических операций используются мультимедийные продукты.
28