1. Молярная теплоёмкость кристалла при НИЗКИХ температурах

1. Молярная теплоёмкость кристалла при НИЗКИХ температурах
1.1. Не зависит от температуры и равна 3R
1.2. Пропорциональна температуре
1.3. Изменяется как квадрат температуры
1.4. Изменяется как куб температуры
2. Сопротивление кристаллических проводников определяется
2.1. Рассеянием электронов на узлах кристаллической решётки
2.2. Рассеянием электронов на неоднородностях кристаллической решётки
2.3. Взаимодействием с дырками валентной зоны
3. Стальной (серебристый) и графитовый (чёрный) стержни нагреты до одинаковой
высокой температуры. Какой стержень будет светиться ярче:
3.1. Стальной
3.2. Графитовый
3.3. Одинаково
4. Какое из перечисленных условий НЕ является необходимым для работы лазера
непрерывного излучения:
4.1. Накачка среды до возникновения инверсной заселённости.
4.2. Наличие как минимум 3-х энергетических уровней активной среды
4.3. Наличие высокодобротного интерферометра Фабри-Перо
4.4. Наличие самопросветляющегося затвора
5. Модель Дебая состоит в:
5.1. Представлении акустических волн в кристаллической решётке в виде идеального
газа фононов
5.2. Линеаризации дисперсионной зависимости ω(k)
5.3. Ограничении максимальной частоты волн в кристаллической решётке значением,
соответствующей температуре Дебая.
6. Распределение Планка
6.1. ρ(ω) ~ ω3exp(-aω/T)
6.2. ρ(ω) ~ ω2kT/π2c3
6.3. ρ(ω) ~ ω3/(exp(aω/T)-1)
6.4. ρ(ω) ~ ω3/(exp(aω/T)+1)
7. Число атомов, приходящееся на элементарную объёмоцентрированную ячейку
кристалла, равно
7.1. Один
7.2. Два
7.3. Восемь
7.4. Девять
8. Фононы являются
8.1. Бозонами
8.2. Фермионами
8.3. Барионами
8.4. Низкочастотными фотонами
9. Молярная теплоёмкость кристалла при ВЫСОКИХ температурах
9.1. Не зависит от температуры и равна 3R
9.2. Пропорциональна температуре
9.3. Изменяется как квадрат температуры
9.4. Изменяется как куб температуры
10. Интенсивность излучения с нагретой поверхности
10.1. Не зависит от температуры
10.2. Пропорциональна температуре
10.3. Пропорциональна T3
10.4. Пропорциональна T4
11. Физический смысл температуры Дебая:
11.1. Температура, при которой в кристалле возбуждаются фононы
11.2. Температура, при которой энергетический спектр фононов начинает сказываться
на теплоёмкости кристалла
11.3. Температура, соответствующая максимально возможной энергии фононов
11.4. Температура, соответствующая энергии Ферми в кристалле
12. Рассмотрим одномерный кристалл в виде бесконечной цепочки, содержащей в
элементарной ячейке два атома массами m1 и m2 на среднем расстоянии a друг от
друга. В каком случае атомы колеблются в противофазе, так, что их центр тяжести
неподвижен?
12.1. В оптической ветви дисперсионной кривой при k=0.
12.2. В акустической ветви дисперсионной кривой при k=0.
12.3. В оптической ветви дисперсионной кривой при k=π/a.
12.4. В акустической ветви дисперсионной кривой при k=π/a.
13. Фононы подобны фотонам, так как у них одинаковы (отметьте что):
13.1. Степень вырождения (количество возможных поляризаций).
13.2. Статистика заполнения разрешённых состояний
13.3. Максимальная частота.
13.4. Скорость.
14. При вынужденном излучении у излучённого фотона и вынуждающего
(налетающего) фотона совпадают:
14.1. Только частота и фаза
14.2. Только поляризация
14.3. Только направление распространения
14.4. Всё вышеперечисленное
15. Какой температуры не бывает в пирометрии:
15.1. Яркостной
15.2. Цветовой
15.3. Фазовой
15.4. Радиационной
15.5. Термодинамической
16. Сопротивление примесного полупроводника n-типа при T=0 K
16.1. Равно нулю
16.2. Равно бесконечности
16.3. Зависит от концентрации примеси
16.4. Зависит от положения уровня Ферми
17. Электронная теплоёмкость металлов при низких температурах
17.1. Пропорциональна T
17.2. Пропорциональна T2
17.3. Пропорциональна T3
17.4. Постоянна и не зависит от температуры
18. Электронная теплоёмкость металлов при комнатной температуре
18.1. Равна половине теплоёмкости решётки
18.2. Равна теплоёмкости решётки согласно закону Делонга-Пти
18.3. Много меньше теплоёмкости решётки
18.4. Пропорциональна T3
19. Где расположена энергия Ферми у собственных полупроводников
19.1. Вблизи валентной зоны
19.2. Вблизи зоны проводимости
19.3. Вблизи середины запрещённой зоны
19.4. Вблизи примесного уровня
20. Полупроводники
20.1. При нормальных температурах проводят электрический ток, а при низких
являются изоляторами
20.2. Выталкивают из себя магнитное поле при низких температурах
20.3. Проводят ток только в одном направлении
20.4. При нормальных температурах являются изоляторами
21. Наличие легирующей донорной примеси в полупроводнике
21.1. Смещает уровень Ферми в сторону валентной зоны
21.2. Не изменяет положение уровня Ферми
21.3. Смещает уровень Ферми в сторону зоны проводимости
21.4. Увеличивает количество дырок в валентной зоне
22. Произведение концентрации электронов и дырок в полупроводнике
22.1. Зависит от положения уровня Ферми
22.2. Не зависит от температуры
22.3. Не зависит от количества примесей в полупроводнике
22.4. Не зависит от ширины запрещённой зоны
23. С увеличение температуры сопротивление полупроводников
23.1. Увеличивается
23.2. Уменьшается
23.3. Не изменяется
23.4. Зависит от типа полупроводника
24. При приложении к p-n переходу напряжения в прямом направлении
24.1. Возрастает ток основных носителей заряда.
24.2. Возрастает ток неосновных носителей заряда.
24.3. Ток не меняется
24.4. Ток основных носителей заряда компенсируется током неосновных носителей
заряда.
25. В сверхпроводниках типа свинца электроны связываются в куперовские пары
25.1. Посредством обмена виртуальными фотонами
25.2. Посредством обмена виртуальными фононами
25.3. За счёт магнитного взаимодействия электронных спинов
25.4. Посредством обмена парой экситонов
26. Средняя энергия E, приходящаяся на один электрон в металле при T=0 равна
26.1. E = 3kT/2
26.2. E = EF (где EF - энергии Ферми)
26.3. E = 3EF/5 (где EF - энергии Ферми)
26.4. E = 5EF/3 (где EF - энергии Ферми)
27. Какое из нижеприведённых утверждений является ложным:
27.1. В присутствии магнитного поля сверхпроводник ведёт себя как идеальный
диамагнетик
27.2. Существует критическое магнитное поле, разрушающее сверхпроводимость
27.3. В случае сверхпроводника 2-го рода магнитное поле проникает в образец в виде
отдельных нитей, окружённых линиями тока.
27.4. Аномальные магнитные свойства сверхпроводника 2-го рода можно качественно
объяснить, если принять, что его поверхностная энергия положительна.
27.5. Существует критический ток, разрушающий сверхпроводимость
28. Какой из перечисленных ниже эффектов заключается в бессиловом воздействии
магнитного поля на частицы:
28.1. Эффект Ааронова-Бома
28.2. Целочисленный квантовый эффект Холла
28.3. Дробный квантовый эффект Холла
29. Целочисленный квантовый эффект Холла связан со следующим:
29.1. Определённое число уровней Ландау полностью заполнены электронами, что
сопровождается сверхпроводящим течением тока по образцу
29.2. Кулоновское взаимодействие между электронами вызывает появление плато в
холловском сопротивлении RH=h/ie2, где i - целое
29.3. Интерференционные эффекты волновых функций электронов приводят к
появлению набега фазы для петлевых траекторий
30. Перекрытие валентной зоны и пустой зоны проводимости характерно для
30.1. Полупроводника
30.2. Металла
30.3. Диэлектрика
30.4. Сверхпроводника
31. Двухмерный электронный газ, созданный в кремниевой пластине, помещён в
перпендикулярное магнитное поле.
31.1. Расстояние между различными циклотронными подуровнями Ландау в точности
равно расстоянию между спиновыми подуровнями
31.2. Расстояние между различными циклотронными подуровнями Ландау меньше
расстояния между спиновыми подуровнями
31.3. Расстояние между различными циклотронными подуровнями Ландау больше
расстояния между спиновыми подуровнями
32. Удельная проводимость металлов описывается формулой s = enu, где u –
подвижность электронов. Что в данном случае n?
32.1. Полная концентрация электронов в металле: n = n0
32.2. Концентрация неспаренных электронов вблизи поверхности Ферми: n =
(3kT/µ)n0, где µ - энергия Ферми
32.3. Концентрация электронов в зоне проводимости.