ep - BSUIR Helper
реклама
1. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Электропроводность полупроводников. Полупроводники — это вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры, наличием примесей, изменением освещенности. Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены ковалентной связью. По механизму образования свободных носителей заряда проводимость полупроводников делится на собственную и примесную. По виду основных носителей заряда делится на: электронную, дырочную, электронно–дырочную. Носители заряда — общее название подвижных частиц или квазичастиц, которые несут электрический заряд и способны обеспечивать протекание электрического тока. Примерами подвижных частиц являются электроны, ионы. Примером квазичастицы-носителя заряда является дырка. Свободными носителями заряда в полупроводниках как правило, являются электроны, возникающие в результате ионизации атомов самого полупроводника (собственная проводимость) или атома примеси (примесная проводимость). При нагревании полупроводников их атомы ионизируются. Освободившиеся электроны не могут быть захвачены соседними атомами, так как все их валентные связи насыщены. Свободные электроны под действием внешнего электрического поля могут перемещаться в кристалле, создавая электронный ток проводимости. Удаление электрона с внешней оболочки одного из атомов в кристаллической решетке приводит к образованию положительного иона. Этот ион может нейтрализоваться, захватив электрон. Далее, в результате переходов электронов от атомов к положительным ионам происходит процесс хаотического перемещения в кристалле места с недостающим электроном — «дырки». При помещении кристалла в электрическое поле возникает упорядоченное движение «дырок» — дырочный ток проводимости. На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорная примесь — это примесь с большей валентностью. При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются лишние электроны. Проводимость станет электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Акцепторная примесь — это примесь с меньшей валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет «дырочной», а полупроводник называют полупроводником ртипа. 2. P-N переход в состоянии равновесия. Переходы – области, образующиеся при контакте разного рода полупроводников. Особую роль играют переходы металл-полупроводник (МП), являющиеся неотъемлемой частью каждого полупроводникового прибора. Различают невыпрямляющие (или омические) и выпрямляющие переходы МП. Выпрямляющие переходы имеют характеристики, зависящие от направления и величины приложенного к ним напряжения. Переход Шоттки – переход металла в полупроводник. Переход между двумя областями полупроводника с разнотипной проводимостью называется электронно-дырочным переходом или p-n переходом. Равновесие соответствует нулевому внешнему напряжению на переходе. Поскольку концентрация электронов в n-области значительно больше, чем в pобласти, а концентрация дырок в p-области больше, чем в nобласти, то на границе раздела полупроводников возникает градиент концентрации подвижных носителей заряда (дырок и электронов): . Направленное движение свободных носителей, вызванное их неравномерным распределением в объеме полупроводника, называют диффузионным движением. Электроны под действием диффузии перемещаются из p–области в n–область. Это движение зарядов (основных носителей) образует диффузионный ток p-n-перехода, содержащий две составляющие: электронную и дырочную, плотность которых равна: На границе p- и n-областей создаётся слой, обеднённый подвижными носителями. В приконтактной области n-типа появляется нескомпенсированный заряд положительных ионов, а в дырочной области – нескомпенсированный заряд отрицательных ионов примесей. Таким образом, электронный полупроводник заряжается положительно, а дырочный – отрицательно. Между областями полупроводника с различными типами электропроводности возникает электрическое поле напряжённостью Е. Образовавшийся двойной слой электрических зарядов называется запирающим, он обеднён основными носителями и имеет вследствие этого низкую электропроводность. Вектор напряженности поля направлен так, что он препятствует диффузионному движению основных носителей и ускоряет неосновные носители. Этому полю соответствует контактная разность потенциалов ϕк , связанная с взаимной диффузией носителей. За пределами p-nперехода полупроводниковые области остаются нейтральными. Движение неосновных носителей образует дрейфовый ток, направленный навстречу диффузионному току. Их перемещение характеризуется подвижностью плотностями. , - их средняя скорость. Итак, в условиях равновесия встречные дрейфовый и диффузионный токи должны быть равны, т.е. В p-n переходе всегда есть неподвижно-локализованные заряды. и 3. P-N переход под действием внешних напряжений. Вольт-амперная характеристика, параметры. Если к p-n-переходу подключить источник напряжения, то нарушается равновесное состояние и в цепи будет протекать ток. Различают прямое и обратное включения p-n-перехода. Прямое включение. Пусть внешнее напряжение приложено плюсом к p-области, а минусом – к nобласти. При этом оно противоположно по знаку контактной разности потенциалов. Так как концентрация подвижных носителей в pn-переходе значительно ниже, чем в p- и nобластях, сопротивление p-n-перехода значительно выше сопротивления p- и nобластей. Можно считать, что приложенное напряжение полностью падает на переходе. Основные носители будут двигаться к контакту, сокращая дефицит носителей в p-n-переходе и уменьшать сопротивление и толщину p-nперехода. Результирующее поле в p-nпереходе будет равно . Поток основных носителей через контакт увеличится. Ток, протекающий через переход, в данном случае называется прямым, а напряжение, приложенное к переходу – прямым напряжением. При потенциальный барьер для основных носителей исчезает, и ток ограничивается обычным омическим сопротивлением объема полупроводника. Диффузия дырок через переход приводит к увеличению концентрации дырок за переходом. Возникающий при этом градиент концентрации дырок обусловливает диффузионное проникновение их в глубь n-области, где они являются неосновными носителями. Это явление называется инжекцией (впрыскиванием). Инжекция дырок не нарушает электрической нейтральности в n-области, т.к. она сопровождается поступлением из внешней цепи такого же количества электронов. Толщина перехода в этом случае . Диффузионная составляющая будет превышать дрейфовую составляющую Обратное включение Если внешнее напряжение приложено плюсом к n-области, а минусом к – p-области, то оно совпадает по знаку с контактной разностью потенциалов. Напряжение на переходе возрастает, и высота потенциального барьера становится выше, чем при отсутствии напряжения . Толщина перехода возрастает Результирующая напряженность электрического поля в переходе будет выше, что приведет к увеличению дрейфового тока: Направление результирующего тока противоположно направлению прямого тока, поэтому он называется обратным током, а напряжение, вызывающее обратный ток, называется обратным напряжением. Поле в переходе является ускоряющим лишь для неосновных носителей. Под действием этого поля концентрация неосновных носителей на границе перехода снижается и появляется градиент концентрации носителей заряда. Это явление называется экстракцией носителей. Значение тока экстракции определяется числом неосновных носителей заряда, возникающих в полупроводнике в единицу времени на расстоянии, которое они могут пройти за время жизни. Это расстояние называется диффузионной длиной электронов и дырок. Концентрация неосновных носителей на расстоянии диффузионной длины убывает в е раз. Так как число неосновных носителей мало, ток экстракции через переход намного меньше прямого тока. Он практически не зависит от приложенного напряжения и является током насыщения. Таким образом, p-n-переход обладает несимметричной проводимостью: проводимость в прямом направлении значительно превышает проводимость p-n-перехода в обратном направлении. Обобщение: «Если к р—n-переходу диода приложить напряжение в прямом направлении (т. н. прямое смещение), т. е. подать на его р-область положительный потенциал, то потенциальный барьер, соответствующий переходу, понижается и начинается интенсивная инжекция дырок из р-области в n-область и электронов из n-области в робласть — течёт большой прямой ток. Если приложить напряжение в обратном направлении (обратное смещение), то потенциальный барьер повышается и через р—nпереход протекает лишь очень малый ток неосновных носителей заряда (обратный ток)». Общая вольт-амперная характеристика: – здесь, обратный ток 4. Диоды. Классификация. Отличие между P-N-переходом и диодом. Пробой диодов. Диодом называется электропреобразовательный прибор, содержащий один или несколько переходов и два вывода для подключения к внешней цепи. Классификация: По типу p-n-перехода: -плоскостные (линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше его толщины) -точечные (наоборот). По области применения: -выпрямительные - стабилитроны - варикапы - импульсные - туннельные и др. По типу исходного материала: - кремниевые - германиевые - селеновые и др. По методу изготовления перехода: - сплавные - диффузионные - диоды Шотки и др. Ни один диод не выдерживает высоких токов и мощностей. Пробой диода — это явление резкого увеличения обратного тока через диод при достижении обратным напряжением некоторого критического для данного диода значения. Пробой диода возникает либо в результате воздействия сильного электрического поля в р-п-переходе (электрический пробой может быть туннельным или лавинным), либо в результате разогрева перехода при протекании тока большого значения и при недостаточном теплоотводе, не обеспечивающем устойчивость теплового режима перехода(тепловой пробой (увеличивается T, уменьшается R следовательно увеличивается ток). Так же есть поверхностный пробой, возникающий при загрязнении поверхности или структуры полупроводника не нужными примесями, и характеризуется появлением паразитного тока (см. рис. ниже). Электрический пробой обратим, т. е. он не приводит к повреждению диода, и при снижении обратного напряжения свойства диода сохраняются. Тепловой пробой является необратимым. Нормальная работа диода в качестве элемента с односторонней проводимостью возможна лишь в режимах, когда обратное напряжение не превышает пробивного значения. Возможность теплового пробоя диода учитывается указанием в паспорте на прибор допустимого обратного напряжения и температурного диапазона работы. Напряжение пробоя зависит от типа диода и температуры окружающей среды. При идеальном p –n-переходе: При нежелательных примесях: При прохождении прямого тока через диод расходуется некоторая энергия и поэтому происходит небольшое уменьшение напряжения на выходе диода. Это называется падением напряжения на диоде. У кремниевых диодов это обычно 0.7 В и слабо зависит от тока. Поведение диода хорошо видно на вольт-амперной характеристике диода. 5. Выпрямительные диоды. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменного тока. Работа выпрямительных диодов основана на использовании вентильного эффекта – односторонней проводимости p-n-перехода. Наибольшее применение нашли кремниевые, германиевые, диоды с барьером Шотки. В зависимости от величины выпрямляемого тока различают диоды малой мощности (Iпp max<0,3 A) и средней мощности (0,3 A< Iпp max ≤ 10 A). Для получения таких значений выпрямленного тока в выпрямительных диодах используют плоскостные p-nпереходы. Получающаяся при этом большая ёмкость p-n-перехода существенного влияния на работу не оказывает в связи с малыми рабочими частотами. На рисунке приведены вольтамперные характеристики германиевых и кремниевых диодов. Вследствие различной ширины запрещённой зоны германия и кремния обратный ток германиевых диодов на 2-3 порядка больше, чем кремниевых, а допустимое обратное напряжение кремниевых диодов больше, чем германиевых. По этой причине в германиевых диодах раньше наступает тепловой пробой, приводящий к разрушению кристалла, а в кремниевых диодах наступает электрический пробой. На характеристики диодов существенное влияние оказывает температура окружающей среды. С ростом температуры увеличивается частота генерации носителей зарядов, и увеличиваются прямой и обратный токи диодов. При необходимости получения больших напряжений диоды соединяют последовательно. Для устранения разброса величины обратного сопротивления прибегают к шунтированию каждого диода цепочки высокоомным резистором. Для получения высокого выпрямленного тока можно применить параллельное включение диодов; при этом необходимо выравнивать токи диодов, для чего последовательно с каждым из диодов включается резистор. Приведена схема и графики напряжений и токов двухполупериодного мостового выпрямителя. В выпрямителе используется 4 диода, которые попарно включены в проводящем направлении. 6. Стабилитроны Стабилитрон — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Материалы, используемые для создания pn перехода стабилитронов, имеют высокую концентрацию легирующих элементов (примесей). Поэтому, при относительно небольших обратных напряжениях в переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой, в данном случае являющийся обратимым (если не наступает тепловой пробой вследствие слишком большой силы тока). У стабилитронов до напряжения 5,6 вольт преобладает туннельный пробой с отрицательным температурным коэффициентом, выше 5,6 вольт доминирующим становится лавинный пробой с положительным температурным коэффициентом. При напряжении, примерно равном 5,6 вольт, оба эффекта уравновешиваются, поэтому выбор такого напряжения стабилизации является одним из способов снижения его зависимости от температуры. Режим электрического пробоя p-n-перехода находит практическое применение для стабилизации напряжения. Такие приборы называются стабилитронами. Для изготовления стабилитронов используется кремний. Вольт-амперная характеристика стабилитрона приведена на рисунке. Для работы используется обратная ветвь, где значительному изменению тока соответствует малое изменение напряжения. Точка А соответствует устойчивому пробою и определяет величину минимального тока Imin. После точки А ток резко возрастает и допустимая величина его Imax ограничивается лишь мощностью рассеяния P max: где – напряжение стабилизации. Рабочую точку на характеристике выбирают посередине рабочего участка, т.е. Рабочее напряжение стабилитрона, являющееся напряжением пробоя p-n-перехода, зависит от концентрации примесей и лежит в пределах 4 – 200 В. Схема простейшего стабилизатора с использованием стабилитрона показана на рисунке. Резистор r является гасящим и одновременно задаёт рабочую точку. Величина сопротивления r должна быть значительно больше величины дифференциального сопротивления стабилитрона. При изменении температуры напряжение стабилизации может изменяться. Параметры стабилитронов: Напряжение стабилизации Uст. ном – падение напряжения на стабилитроне при номинальном значении тока Iст. Минимальный и максимальный ток стабилизации Iст min, Iст max. Дифференциальное сопротивление сопротивление в рабочей точке . Статическое . Коэффициент качества стабилитрона . Температурный коэффициент напряжения (ТКН) стабилизации – отношение относительного изменения напряжения стабилизации к изменению температуры . 7. Варикапы, туннельные и обращенные диоды. Варикапами называются полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость барьерной ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения. Варикапы применяют в устройствах управления частотой колебательного контура, в параметрических схемах усиления, деления и умножения частоты, в схемах частотной модуляции, управляемых фазовращателях и др. Вольт-фарадная характеристика варикапа: Схема замещения: Варикапы в основном используются на высоких и сверхвысоких частотах, поэтому важную роль играет сопротивление потерь rб. Для его уменьшения необходимо выбирать материал с малым удельным сопротивлением. Используются кремний, германий. При отсутствии внешнего напряжения в p-n-переходе существуют потенциальный барьер и внутреннее электрическое поле. Если к диоду приложить обратное напряжение, то высота этого потенциального барьера увеличится. Внешнее обратное напряжение отталкивает электроны в глубь n-области, в результате чего происходит расширение обеднённой области p-n-перехода, которую можно представить как простейший плоский конденсатор, в котором обкладками служат границы области. В таком случае, в соответствии с формулой для ёмкости плоского конденсатора, с ростом расстояния между обкладками (вызванной ростом значения обратного напряжения) ёмкость p-n-перехода будет уменьшаться. Это уменьшение ограничено лишь толщиной базы, далее которой переход расширяться не может Принцип работы туннельного диода (TД) основан на явлении туннельного эффекта в p-nпереходе, образованном вырожденными полупроводниками. Это приводит к появлению на вольт-амперной характеристике участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением при прямом напряжении. Концентрация примесей в p- и n- областях выбирается порядка , следствием чего является малая толщина перехода (порядка 0,01 мкм). Локальные уровни примесей образуют в вырожденных полупроводниках сплошную зону. Уровни Ферми располагаются соответственно в валентной зоне p-области и в зоне проводимости nобласти. В состоянии термодинамического равновесия зона проводимости nполупроводника и валентная зона p-полупроводника перекрываются на величину . Известно, что частица, имеющая энергию, недостаточную для преодоления потенциального барьера, может пройти сквозь него, если с другой стороны этого барьера имеется свободный энергетический уровень, который она занимала перед барьером. Это явление называется туннельным эффектом. Чем уже потенциальный барьер и чем меньше его высота, тем больше вероятность туннельного перехода. Туннельный переход совершается без затраты энергии. Вольт-амперная характеристика туннельного диода: Таким образом, туннельный диод обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением в некотором диапазоне прямых напряжений, что позволяет использовать его для генерации и усиления колебаний, а также в переключающих схемах. Разновидностью туннельных диодов являются обращенные диоды, изготовляемые на основе полупроводника с концентрациями примесей в р- и n - областях диода, меньших, чем в туннельных, но больших, чем в обычных выпрямительных диодах. Вольт-амперная характеристика обращенного диода представлена: Прямая ветвь ВАХ обращенного диода аналогична прямой ветви обычного выпрямительного диода, а обратная ветвь аналогична обратной ветви ВАХ туннельного диода, т.к. при обратных напряжениях происходит туннельный переход электронов из валентной зоны робласти в зону проводимости n-области и при малых обратных напряжениях (десятки милливольт) обратные токи оказываются большими. Таким образом, обращенные диоды обладают выпрямляющим эффектом, но проводящее направление в них соответствует обратному включению, а запирающее – прямому включению. 8. Диоды Шотки. Переход металл – полупроводник. В современных полупроводниковых приборах применяются контакты между металлами и полупроводниками. Процессы в таких переходах зависят от работы выхода электронов, то есть от той энергии, которую должен затратить электрон, чтобы выйти из металла или полупроводника. Чем меньше работа выхода, тем больше электронов может выйти из данного тела Контакт металла (М) с полупроводником Если в контакте металла с полупроводником n-типа (рис а) работа выхода электронов из металла Ам меньше, чем работа выхода из полупроводника, то будет преобладать выход электронов из металла. Поэтому в слое полупроводника около границы накапливаются основные носители (электроны) и этот слой становится обогащенным. Сопротивление этого слоя будет малым при любой полярности приложенного напряжения. Такой переход не обладает выпрямляющими свойствами. Его называют невыпрямляющим (омическим) контактом. Подобный же невыпрямляющий переход получается в контакте металла с полупроводником p-типа (рис б), если работа выхода электронов из полупроводника меньше чем у металла. Иные свойства имеет переход как на рисунке в. В этом случае электроны будут переходить главным образом из полупроводника в металл и в приграничном слое полупроводника образуется область, обедненная основными носителями и потому имеющая большое сопротивление. Здесь создается сравнительно высокий потенциальный барьер, высота которого будет существенно изменяться в зависимости от полярности приложенного напряжения. Такой переход обладает выпрямительными свойствами. Этот потенциальный барьер называется барьер Шотки, а полупроводниковые диоды называются диодами Шотки. В диодах Шотки отсутствуют процессы накопления и рассасывания зарядов. Поэтому диоды обладают значительно более высоким быстродействием по сравнению с обычными p-n переходами. Аналогичные выпрямляющие свойства имеет контакт металла с полупроводником p-типа при Ам < Ап. Выражение для ВАХ: Где I 0 AT 2e qk /(kT ) , где А – коэффициент, зависящий от свойств материала; k - контактная разность потенциалов; U – напряжение, приложенное к переходу металл-полупроводник - условное обозначение диода Шотки. 9. Туннельные и обращенные диоды – смотри вопрос №7 10. Выпрямители. Выпрямитель (электрического тока) — преобразователь электрической энергии; механическое, электровакуумное, полупроводниковое или другое устройство, предназначенное для преобразования переменного входного электрического тока в постоянный выходной электрический ток. Однополупериодная схема выпрямления Выпрямительные диоды всегда включаются последовательно однополупериодного выпрямителя представлена на рисунке. нагрузки. Схема Работа выпрямителя основана на односторонней проводимости диода. Напряжение на вторичной обмотке трансформатора изменяется по синусоидальному закону: Uвх=Umsin(wt). Во время положительного полупериода диод смещается в прямом направлении, через нагрузку протекает ток. Падение напряжения на нагрузке будет практически равно напряжению вторичной обмотки трансформатора, т.к. падение напряжения на прямосмещённой диоде очень мало.во время отрицательного полупериода входного сигнала диод закрывается и через вторичную обмотку трансформатора ток не протекает. Выпрямительный ток будет создавать на нагрузочном резисторе падение напряжения, средняя величина которого равна: Среднее значение тока, протекаемого в нагрузочном резисторе, определяется из выражения: Разложив в ряд Фурье напряжение, получим где первое слагаемое – постоянная составляющая выпрямленного напряжения, второе – первая гармоника выходного напряжения . Достоинством схемы является её простота. Недостатками – большие потери в трансформаторе из-за подмагничивания постоянной составляющеё тока. Однофазный двуполупериодный выпрямитель Параметры выпрямителя можно улучшить, если ток в цепи нагрузки будет протекать в оба полупериода входного сигнала. Это достигается путем двух систем однополупериодного выпрямителя, которые должны работать синхронно и противофазно на общую нагрузку. Схема выпрямителя однофазного двуполупериодного со средней точкой представлена на рисунке. Вторичная обмотка трансформатора выполняется с отводом от средней точки. Напряжение между концами вторичной обмотки и средней точкой противоположны по фазе: Если в первый полупериод потенциал верхнего вывода обмотки трансформатора положителен, нижнего вывода относительно средней точки – отрицателен, то диод VD1 открыт, ток протекает через нагрузку и практически всё приложено к нагрузке, диод VD2 при этом заперт входным напряжением , а также напряжением , которое тоже оказывается отрицательным для VD2. Во второй полупериод VD2 открывается, а диод VD1 закрывается. Ток через нагрузку проходит в том же направлении, что и в первый полупериод. Диодный мост (см. выпрямительные диоды) 11. Ограничители. Ограничитель (варистор) - полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление (проводимость) которого нелинейно зависит от приложенного напряжения, то есть обладающий нелинейной симметричной вольт-амперной характеристикой и имеющий два вывода. Благодаря отсутствию сопровождающих токов при скачкообразном изменении приложенного напряжения, варисторы являются основным элементом для производства устройств защиты от импульсных перенапряжений (УЗИП). Один из основных параметров варистора — коэффициент нелинейности λ — определяется отношением его статического сопротивления R к динамическому сопротивлению Rd: , где U и I — напряжение и ток варистора. Варистор в состоянии покоя имеет высокое сопротивление (несколько МОм) по отношению к защищаемому прибору и не изменяет характеристику электрической цепи. При превышении напряжения варистор имеет низкое сопротивление (всего несколько Ом) и фактически шунтирует прибор, т.е. устройство Е защищено. ВАХ: 12. Стабилизатор параметрический. Стабистор – стабилизатор, использующий прямую ветвь диода. Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации, которое составляет примерно 0,7 В. Последовательное соединение двух или трёх стабисторов даёт возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения стабилизации. Стабисторам присущ отрицательный температурный коэффициент сопротивления, то есть напряжение на стабисторе при неизменном токе уменьшается с увеличением температуры. В связи с этим стабисторы используют для температурной компенсации стабилитронов с положительным коэффициентом напряжения стабилизации. При изменении прямого тока в диапазоне от изменяться в относительно небольшом диапазоне до падение напряжения будет . 13-14. Полевой транзистор с управляющим P-N переходом. Принцип действия, характеристики, параметры. Полевой транзистор с управляющим р–n переходом представляет собой транзистор, затвор которого отделен от канала p–n переходом. Принцип работы основан на изменении сопротивления активного слоя (канала) путем расширения p-n-перехода при подаче на него обратного напряжения. Наиболее характерной чертой полевых транзисторов является высокое входное сопротивление, т.к. ток затвора мал, поэтому они управляются напряжением. При Uзи = 0 сопротивление канала минимально. к0 , где – удельное сопротивление полупроводника; l, w – длина и ширина канала соответственно, h – расстояние между металлургическими границами n-слоя. Чем больше обратное напряжение на затворе Uзи, тем шире p-nпереходы и тоньше канал. При некотором напряжении затвора канал полностью перекрывается. Это напряжение называется напряжением отсечки Uзи отс. R l hw При подаче на сток положительного напряжения Uси в канале возникает ток Ic и вдоль канала появляется падение напряжения Uх, величина которого зависит от расстояния до истока. Это приводит к возникновению напряжения, запирающего p-n-переход между стоком и затвором Uсз, толщина канала становится переменной. Поскольку |Uсз| > |Uзи|, то канал сильнее сужается вблизи стока (см. рис.). При некотором напряжении Uси = Uси нас – канал перекрывается. Сопротивление канала при этом Rк н 0, оно больше начального Rк 0, и под действием напряжения насыщения через канал проходит максимальный ток Iс макс = Uси нас/Rк н. Основными характеристиками полевого транзистора являются: выходные (стоковые) – Iс = f(Uси) при Uзи = const и характеристики передачи (cток-затворные) – Iс = f(Uзи) при Uси = cоnst. Параметры: S d Ic d U зи U си const - с ростом напряжения затвора крутизна для 1. крутизна полевого транзистора с управляющим pn переходом падает. Ri 2. внутреннее (дифференциальное) сопротивление d U си d Iс U зи const ; 3. статический коэффициент усиления d U си d U зи I с const Все три параметра связаны уравнением µ = SRi; Сужение канала вблизи стока: 15. Эквивалентные схемы полевого транзистора. Исходя из принципа действия и структуры полевого транзистора, можно составить его эквивалентную схему для низких частот: Генератор тока, включенный параллельно сопротивлению канала, отражает усилительные свойства транзистора. Ток этого генератора пропорционален входному напряжению ; коэффициентом пропорциональности является крутизна характеристики S. Нужно учитывать, что ёмкость и сопротивление затвора распределены по всей его площади и что сопротивление канала так же является распределенным. В этом случае, эквивалентная схема полевого транзистора должна быть представлена в виде схемы с распределенными параметрами (рис. слева). Однако такая схема значительно сложнее для выяснения свойств и характеристик полевого транзистора. Кроме физических эквивалентных схем полевого транзистора можно представить и формальные эквивалентные схемы с y-, z- или h-параметрами. Так как входные и выходные сопротивления транзистора велики, то удобнее задавать и измерять комплексные параметры проводимости его формальной эквивалентной схемы. Токи и напряжения на выводах полевого транзистора в режиме малого сигналадля схемы с общим истокм соответствуют следующим характеристическим уравнениям четырехполюсника: Определяются y-параметры при режимах короткого замыкания по переменному току на выходе и входе транзистора: Если эти режимы воспроизвести на эквивалентной схеме (первый рисунок), то можно найти формулы перехода от сосредоточенных элементов физической эквивалентной схемы к y-параметрам. Пренебрегая малыми проводимостями p-n-перехода затвора и объемными сопротивлениями полупроводника около истока и стока, получим: Все эти параметры зависят от значений постоянных смещений на электродах полевого транзистора. 16. Эффекты поля Под действием внешнего электрического поля, направленного нормально к поверхности полупроводника, в приповерхностном слое изменяется концентрация свободных носителей заряда и удельное сопротивление слоя. Это явление называется эффектом поля. В зависимости от направления поля и его напряженности различают три режима приповерхностного слоя: обеднение, инверсия и обогащение. Режим обеднения характеризуется тем, что под действием поля E дырки (основные носители) смещаются от поверхности вглубь полупроводника так, что их концентрация у поверхности уменьшается. Электроны (неосновные носители) притягиваются к поверхности, но их концентрация в полупроводнике p-типа очень мала. Поэтому у поверхности образуется обедненный слой. Режим обеднения наблюдается при небольшой напряженности внешнего поля. При большой напряженности внешнего электрического поля наблюдается режим инверсии. Ему соответствует такое состояние приповерхностного слоя полупроводника, в котором поверхностная концентрация электронов (неосновных носителей) превышает концентрацию акцепторов. Тонкий хорошо проводящий слой n-типа с высокой концентрацией электронов и напряженность поля в инверсном слое резко уменьшается по мере удаления от поверхности. При изменении направления внешнего электрического поля возникает режим обогащения, т.к. дырки притягиваются к поверхности и образуют обогащенный слой, где их концентрация выше концентрации акцепторов. Обогащенный слой характеризуется повышенной проводимостью. Значение электростатического потенциала на поверхности полупроводника называется поверхностным потенциалом. 17-18. Полевой транзистор с индуцированным каналом. Принцип действия, характеристики, параметры. Характерное отличие полевых транзисторов с изолированным затвором состоит в том, что у них между металлическим затвором и областью полупроводника находится слой диэлектрика – двуокись кремния SiO2. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором называются МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) или МОП (металл-окисел-полупроводник). В основе действия МДП-транзистора лежит эффект поля, представляющий собой изменение величины и типа электропроводности полупроводника вблизи его границы с диэлектриком под действием приложенного напряжения. Если к затвору приложить отрицательное напряжение, то дырки будут притягиваться к диэлектрику SiO2 и на поверхности полупроводника образуется слой с высокой их концентрацией. Такой режим называется режимом обогащения канала. При подаче на затвор положительного напряжения дырки выталкиваются от поверхности полупроводника и образуется слой с уменьшенной концентраций дырок. Такой режим называется режимом обеднения. Электроны из полупроводника p-типа будут притягиваться к диэлектрику, и у поверхности полупроводника р-типа образуется слой с электропроводностью n-типа. Таким образом, между истоком и стоком образуется область n+-n-n+ типа. Такой режим называется инверсией электропроводности. Изменяя напряжения на затворе, можно изменять сопротивление канала. В связи с тем, что затвор отделён от подложки диэлектрическим слоем, ток в цепи затвора ничтожно мал, мала и мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора и необходимая для управления относительно большим током стока. Таким образом, МДПтранзистор с индуцированным каналом может производить усиление электромагнитных колебаний по напряжению и по мощности. Основными характеристиками полевого транзистора являются: выходные (стоковые) – Iс = f(Uси) при Uзи = const и характеристики передачи (cток-затворные) – Iс = f(Uзи) при Uси = cоnst. 19-20. Полевой транзистор со встроенным каналом. Принцип действия, характеристики, параметры. На стадии изготовления транзисторов между областями стока и истока создается тонкий слаболегированный слой (канал) с таким же типом электропроводности, что и области стока и истока. При нулевом напряжении на затворе и наличии внешнего напряжения между, стоком и истоком протекает ток стока. Отрицательное напряжение, приложенное к затвору относительно истока и подложки, будет выталкивать электроны из канала, а в канал втягивать дырки из подложки, канал обедняется носителями. Толщина канала и его электропроводность уменьшается, что приводит к уменьшению тока стока. При некотором отрицательном напряжении на затворе, называемом напряжением отсечки Uзи отс, происходит инверсия типа электропроводности канала. Области истока и стока оказываются разделенными областью p-полупроводника. Увеличение положительного напряжения на затворе МДП-транзистора встроенным каналом n-типа вызывает приток электронов в канал из подложки. Канал расширяется, обогащаясь носителями, сопротивление его уменьшается, а ток стока возрастает. Режим работы полевого транзистора, при котором увеличение по абсолютной величине напряжения на затворе вызывает уменьшение тока стока, называемое режимом обеднения. Транзисторы со встроенным каналом работают как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. Часто их называют транзисторами обедненного типа. Отличие стоковых (выходных) характеристик МДП-транзистора со встроенным каналом от аналогичных характеристик транзисторов обогащенного типа заключается в том, что ток стока Iс существует как при положительном, так и при отрицательном напряжении на затворе (рисунок 1) и описывается аналитическими зависимостями, как и транзисторы с управляющим p–n переходом. Сток-затворная характеристика МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа показана на рисунке 2. При напряжении Uзи = 0 в цепи стока протекает ток Ic нас. При подаче отрицательного напряжения на затвор канал сужается, обедняясь носителями, и уменьшается ток стока. При Uзи отс канал исчезает, происходит инверсия его электропроводности. С увеличением положительного напряжения на затворе канал расширяется, обогащается носителями, сопротивление его уменьшается, а ток стока увеличивается. 21. Эквивалентные схемы полевого транзистора (смотри вопрос 15) 22. Биполярный транзистор. Принцип действия. Уравнение токораспределения. Биполярным транзистором называют электрический прибор, имеющий два p–n перехода, пригодный для усиления мощности электрических сигналов. В работе биполярных транзисторов используются носители обеих полярностей (электроны и дырки). Особенность биполярного транзистора состоит в том, что между его электронно– дырочными переходами существует взаимодействие – ток одного из переходов может управлять током другого. По порядку чередования p–n переходов транзисторы бывают: n–p–n и p–n–p типов. К Э Э К Б Б Э p - + n+- p - + - + - + +++- Б К Э n + - p -+ n + + + - - + - + - + Б К В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении. Для определённости рассмотрим npn транзистор, все рассуждения повторяются абсолютно аналогично для случая pnp транзистора, с заменой слова «электроны» на «дырки», и наоборот, а также с заменой всех напряжений на противоположные по знаку. В npn транзисторе электроны, основные носители тока в эмиттере, проходят через открытый переход эмиттер-база (инжектируются впрыскиваются) в область базы. Часть этих электронов рекомбинирует (исчезновение носителей заряда в результате столкновения зарядов противоположных знаков) с основными носителями заряда в базе (дырками), часть диффундирует обратно в эмиттер. Однако, из-за того что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной, большая часть электронов, инжектированных из эмиттера, диффундирует в область коллектора. Сильное электрическое поле обратно смещённого коллекторного перехода захватывает электроны (напомним, что они — неосновные носители в базе, поэтому для них переход открыт), и проносит их в коллектор. Ток коллектора, таким образом, практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы (Iэ=Iб + Iк). Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора (Iк = α Iэ) называется коэффициентом передачи тока эмиттера. Численное значение коэффициента α 0.9 — 0.999. Чем больше коэффициент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер. Поэтому в широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β = α / (1 − α) =(10..1000). Таким образом, изменяя малый ток базы, можно управлять значительно большим током коллектора. Уровни электронов и дырок примерно равны. Принцип действия основан на: инжекция носителей через прямосмещенный эмиттерный переход. рекомбинация и диффузионный перенос носителей через область базы от эмиттерного к коллекторному переходу. экстракция носителей через обратносмещенный коллекторный переход. 23-24. Режимы работы транзистора. Схемы включения транзисторов. В зависимости от полярности и величины напряжений на электродах, различают четыре режима работы транзистора: Активный режим (АР) — эмиттерный переход смещается в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Режим отсечки (РО) — оба перехода смещены в обратном направлении. Режим насыщения (РН) — оба перехода смещены в прямом направлении. Инверсный режим (ИР) — коллекторный переход смещен в прямом, а эмиттерный – в обратном направлении. Классификация режимов проводится по комбинации напряжений переходов. В схеме с ОБ напряжения переходов равны напряжению источников питания эмиттера (U э.б ) и коллектора (U к.б). В схеме с ОЭ напряжение на эмиттерном переходе определяется напряжением первого источника Uб.э = -Uэ.б , а напряжение коллекторного перехода зависит от обоих источников и по общему правилу определения разности потенциалов . В схеме с ОК напряжение на коллекторном переходе определяется одним источником источников , а напряжение на эмиттерном переходе зависит от обоих . При включении транзисторов в схему один из его электродов является входным, второй – выходным, а третий – общим. На входной и выходной электроды подаются напряжения от внешних источников, отсчитываемые относительно общего электрода. В зависимости от того, какой электрод является общим, различают схемы включения : с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Iэ + Uэб - ОБ Э К Б ОЭ Iк Iк - Uкб + - Iб Б Uбэ + ОК Iэ - К Iб Uкэ - Б Uбк Э + + 25. Уравнение токораспределения для схемы с общим эмиттером (β). , где – обратный (сковзной) ток Э + Uэк К - 26. Статические характеристики транзистора с общей базой. Статические характеристики транзистора отражают зависимость между токами, проходящими в его цепях и напряжениями на электродах транзистора. За независимые переменные обычно принимают входной ток Iвх, выходное напряжение Uвых, а за зависимые – выходной ток Iвых и входное напряжение Uвх: В схеме с ОБ транзистор имеет следующие характеристики: - семейство входных (эмиттерных) характеристик. - семейство выходных (коллекторных) характеристик. - семейство характеристик прямой передачи. - семейство характеристик обратной связи. Входные характеристики: Выходные характеристики: Характеристика прямой передачи (близка к линейной зависимости): Характеристика обратной связи: Дополнение к выходной характеристики: При и характеристика подобна обратной ветви p-n-перехода: 27. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером. - Семейство входных характеристик - Семейство выходных характеристик. - Семейство характеристик прямой передачи - Семейство характеристик обратной связи 28-29. Эквивалентные схемы биполярного транзистора для включения с ОБ и ОЭ. Физическая Т-образная эквивалентная схема БТ наряду с h-параметрами также достаточно полно отражает свойства реального транзистора на низких частотах и широко используется для анализа малосигнальных транзисторных усилителей. Физические Тобразные эквивалентные схемы БТ с ОБ и ОЭ представлены на рис. 4.6, а, б соответственно. Значения параметров эквивалентных схем БТ могут быть найдены с использованием известных h-параметров для включения БТ: Поскольку коэффициенты обратной связи по напряжению и для обеих схем включения БТ имеют очень малую величину, точность их вычисления с использованием статических ВАХ оказывается низкой. В связи с этим расчет параметров эквивалентной схемы необходимо начинать с расчета дифференциального сопротивления эмиттерного перехода: где– тепловой потенциал, равный 26 мВ при Т=300 К; – ток эмиттера БТ в рабочей точке. С учетом этого в (4.11) объемное сопротивление базы БТ необходимо рассчитывать согласно выражению Параметры эквивалентных схем маломощных БТ принимают следующие типовые значения: дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода – единицы – десятки ом; объемное сопротивление базы – сотни ом – единицы ки-лоом; выходное сопротивление в схеме с ОБ – сотни килоом – единицы мегаом; выходное сопротивление в схеме с ОЭ – десятки – сотни килоом. 30. Транзистор как линейный четырехполюсник Транзистор с его внутренними параметрами, определяемыми эквивалентной схемой, можно представить в виде линейного четырехполюсника – «черного ящика» с произвольной, но неизменной структурой, которая определяет соответствующие зависимости между входными и выходными параметрами. В зависимости от того, какие из этих величин взять за независимые переменные, а какие – за зависимые, линейный четырехполюсник можно описать шестью различными системами уравнений, однако наибольшее распространение получила система, где за независимые переменные принимаются входной ток и выходное напряжение , а за зависимые – выходной ток и входное напряжение . Тогда система уравнений, связывающая между собой зависимые и независимые переменные, выглядит так: Физический смысл h-параметров установим следующим образом. - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе. - коэффициент внутренней обратной связи по напряжению при холостом ходе во входной цепи. - коэффициент передачи транзистора по току при коротком замыкании на выходе; – выходная проводимость транзистора при холостом ходе во входной цепи. С учетом h-параметров эквивалентная схема транзистора выглядит следующим образом: 31. H-параметры транзистора в схеме с общей базой (+30). Для схемы с общей базой входными и выходными величинами являются: ж; ; ; . Эквивалентная схема четырехполюсника для схемы с общей базой: Так как транзистор чаще усиливает сигнал переменного тока, то и h-параметры по переменному току должны определяться не как статические, а как динамические (дифференциальные). Для схемы с общей базой они определяются по выражениям: Индекс «б» говорит о принадлежности этих параметров к схеме с общей базой. 32. H-параметры транзистора в схеме с общим эмиттером (+30). Для схемы с общим эмиттером входными и выходными величинами являются: ; ; ; . Эквивалентная схема четырехполюсника для схемы с общим эмиттером: Для схемы с общим эмиттером, h-параметры определяются из соотношений: 33. Связь параметров физической эквивалентной схемы с h-параметрами Физическая Т-образная эквивалентная схема БТ наряду с h-параметрами также достаточно полно отражает свойства реального транзистора на низких частотах и широко используется для анализа малосигнальных транзисторных усилителей. Физические Тобразные эквивалентные схемы БТ с ОБ и ОЭ представлены на рис. 4.6, а. б соответственно. Значения параметров эквивалентных схем БТ могут быть найдены с использованием известных h-параметров для включения БТ: Поскольку коэффициенты обратной связи по напряжению h21б и h21э для обеих схем включения БТ имеют очень малую величину, точность их вычисления с использованием статических ВАХ оказывается низкой. В связи с этим расчет параметров эквивалентной схемы необходимо начинать с расчета дифференциального сопротивления эмиттерного перехода: Где - тепловой потенциал, равный 26 мВ при Т=300 К; Iэ0 - ток эмиттера БТ в рабочей точке. С учетом этого в (4.11) объемное сопротивление базы БТ необходимо рассчитывать согласно выражению 34. z-параметры транзистора Зададим в качестве входных параметров биполярного транзистора как четырехполюсника токи I1 и I2, а напряжения U1 и U2 будем определять как функции этих токов. Тогда связь напряжений и токов в линейном приближении будет иметь вид: Коэффициенты zik в этих уравнениях определяются следующим образом: - определяются как входное и выходное сопротивления. - сопротивления обратной и прямой передач. Измерения z-параметров осуществляются в режиме холостого хода на входе (I1 = 0) и выходе (I2 = 0). Реализовать режим разомкнутого входа I1 = 0 для биполярного транзистора достаточно просто (сопротивление эмиттерного перехода составляет всего десятки Ом и поэтому размыкающее сопротивление в цепи эмиттера в несколько кОм уже позволяет считать I1 = 0). Реализовать режим разомкнутого выхода I2 = 0 для биполярного транзистора сложно (сопротивление коллекторного перехода равняется десяткам МОм и размыкающее сопротивление в цепи коллектора в силу этого должно быть порядка ГОм). 35. y-параметры транзистора Зададим в качестве входных параметров биполярного транзистора как четырехполюсника напряжения U1 и U2, а токи I1 и I2 будем определять как функции этих напряжений. Тогда связь токов и напряжений в линейном приближении будет иметь вид: Коэффициенты в уравнениях имеют размерность проводимости и определяются следующим образом: - входная и выходная проводимости. - проводимости обратной и прямой передач. Измерение y-параметров происходит в режиме короткого замыкания на входе (U1 = 0) и выходе (U2 = 0). Реализовать режим короткого замыкания на входе (U1 = 0) для биполярного транзистора достаточно сложно (сопротивление эмиттерного перехода составляет всего десятки Ом и поэтому замыкающее сопротивление в цепи эмиттера должно составлять доли Ома, что достаточно сложно). Реализовать режим короткого замыкания на выходе U2 = 0 для биполярного транзистора просто (сопротивление коллекторного перехода равняется десяткам МОм и замыкающие сопротивления в цепи коллектора могут быть даже сотни Ом). 36.Работа транзистора с нагрузкой. Рабочая область. Работа транзистора с нагрузкой: При Ik=0, Uкэ=Ek и при Uкэ=0 равное и ток, равный . Отложив на соответствующих осях напряжение, и через полуденные точки проводят прямую AG,называемую нагрузочной прямой. Выходная динамическая характеристика является геометрическим местом точек пересечения нагрузочной прямой со статическими характеристиками. Используя выходную динамическую характеристику, для любого значения коллекторного тока можно найти соответствующее ему значение напряжения на коллекторе и тока во входной цепи I6. которые являются взаимосвязанными. Нагрузочную прямую можно построить так же. проведя прямую из точки G под углом ϕ= arctgRk. Нагрузочная прямая определяет зависимость тока коллектора от одновременно изменяющихся тока базы и напряжения на коллекторе при постоянной э.д.с. источника питания коллектора и неизменном сопротивлении нагрузки. Точку пересечения нагрузочной прямой со статической характеристикой при заданном входном токе определяемую напряжением источника смешения Е6 называют рабочей точкой, а ее начальное положение на нагрузочной прямой (при отсутствии входного переменного сигнала) - точкой покоя Р. Точка покоя определяет ток покоя выходной цепи I0k. и напряжение покоя U0k . При этом уравнение динамического режима имеет вид U0k=Еk- I0kRk При неизменной величине Ек нагрузочная прямая из точки G может проходить выше или ниже прямой AG в зависимости от величины Rk. В зависимости от величины и знаков напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, транзистор может работать в трех характерных областях семейства выходных характеристик (рис.6.9). Активная область (I) характеризуется прямым смешением на эмиттерном переходе и обратным - на коллекторном переходе. В линейных усилительных схемах транзистор работает только в активной области, и для описания его свойств применяются дифференциальные (малосигнальные) параметры. (Малыми считаются сигналы, увеличение амплитуды которых на 50% изменяет величину параметров не более чем на 10%.) Режим работы транзистора, при котором рабочая точка Р не выходит за пределы участка BP нагрузочной прямой, называют линейным или усилительным режимом. При этом с изменением входного (базового) тока пропорционально изменяется выходной (коллекторный) ток. На рис.6.9 линейный режим отмечен как активная область I. Область насыщения (II) характеризуется прямым смещением на обоих переходах. В режиме насыщения в базе накапливается избыточный заряд неосновных неравновесных носителей. Область насыщения II (рис.б.9) расположена левее неуправляемого участка статической коллекторной характеристики. Ток насыщения Iкн для сохранения нормального теплового режима не должен превышать максимально допустимый коллекторный ток Ikmax. Область отсечки (III) характеризуется обратным смещением на обоих переходах (транзистор находится в запертом состоянии). 37. Работа транзистора в импульсном режиме. Эквивалентные схемы, параметры. В импульсных устройствах обычно применяется схема включения транзистора с ОЭ. В импульсном режиме, как правило, открытый транзистор работает в режиме насыщения, а закрытый - в режиме отсечки. В режиме отсечки напряжения смешения на обоих переходах - эмиттерном и коллекторном - отрицательные (Uэб < 0 и Uкб < 0 ). через них протекают обратные токи (рис.6.11а). Обратный ток эмиттера пренебрежимо мал по сравнению с обратным током коллектора. Ток базы имеет обратный знак, а по абсолютной величине равен току Iк0. В режиме отсечки цепь эмиттера можно считать разомкнутой, а транзистор представлять эквивалентным генератором тока Iк0. В режиме насыщения (рис.6.116) на обоих переходах напряжения смещения положительны (Uэб > 0 и Uкб > 0) и через них протекает прямые токи. Такой режим можно получить при остаточно большом токе базы. Действительно, при увеличении тока базы увеличивается ток коллектора и падение напряжения на сопротивлении RK. Напряжение коллектор-база равно: UK6 = -Ек + IKRK + U6э ≈ -Ек + BI6RK + U6э. При выполнении неравенства напряжение UKб становится положительным. Данное неравенство часто называется критерием насыщения, а относительное превышение тока базы по сравнению с током насыщения Iб.н. - степенью насыщения Напряжение, которое необходимо приложить между базой и эмиттером транзистора для достижения определенной степени насыщения при заданном коллекторном токе, называется напряжением насыщения база-эмиттер Uбэ.н. Ток коллектора в режиме насыщения определяется параметрами внешней схемы и называется током насыщения (IК Н = BIб.н.) В режиме насыщения в активной и периферийной частях базы (в дрейфовых транзисторах с высокоомным коллектором также в толще коллектора) происходит накапливание избыточного заряда неосновных носителей. Накопление продолжается в течение времени tнак. После окончания входного насыщающего импульса тока базы с длительностью и подачи запирающего импульса ток коллектора начинает изменяться через некоторое время, необходимое для рассасывания избыточного заряда. Время рассасывания tp определяется как интервал времени между моментом окончания насышаюшего импульса тока базы и моментом, когда напряжение на коллекторе достигает уровня 0.1 Ек. Рассасывание неравновесных носителей производится в основном за счет поверхностной и объёмной рекомбинации. Ток базы при этом может значительно превышать величину тока базы в режиме отсечки. Время рассасывания тем меньше, чем меньше степень насыщения и чем больше амплитуда запирающего импульса. Коллекторный ток начинает спадать с момента выхода транзистора из насыщения. Время спада (задний фронт импульса) tф2 тока коллектора от уровня Iк.н. до уровня 0.1Iк.н. под воздействием запирающего изменения тока базы частотных свойств транзистора τB. в первую очередь зависит от В режиме насыщения в базе накапливается избыточный заряд неосновных неравновесных носителей. На семействе выходных характеристик для схемы с ОЭ (рис.6.9) режим насыщения соответствует левому крутому участку, где ток коллектора не зависит от тока базы. Так как напряжения UKITI.UKБ. И UЭБ.Н В режиме насыщения малы, то все три электрода насыщенного транзистора можно считать короткозамкнутыми и представлять транзистор в виде единой эквипотенциальной точки. Переходы транзистора из режима отсечки в режим насыщения и обратно сопровождаются искажениями формы импульса тока коллектора при передаче скачков базового тока (рнс.6.12). Анализ переходных процессов в схеме с насыщенными транзисторами чаше всего проводится так называемым методом заряда. В активной области характеристики временные изменения заряда неравновесных носителей в базе пропорциональны изменениям тока коллектора (где постоянная времени коэффициента передачи тока базы) 38. Частотные свойства транзисторов С повышением частоты усиление, даваемое транзисторами, снижается. Имеются две главные причины этого явления. Во-первых, на более высоких частотах вредно влияет емкость коллекторного перехода. На низких частотах сопротивление емкости очень большое, коллекторное сопротивление также очень велико и можно считать, что весь ток идет в нагрузочный резистор. Но на некоторой высокой частоте сопротивление емкости становится сравнительно малым и в нее ответвляется заметная часть тока, создаваемого генератором, а ток в резисторе соответственно уменьшается. Следовательно, уменьшаются выходное напряжение и выходная мощность. Емкость эмиттерного перехода также уменьшает свое сопротивление с повышением частоты, но она всегда шунтирована малым сопротивлением эмиттер-ного перехода и поэтому ее вредное влияние может проявляться только на очень высоких частотах. Практически на менее высоких частотах емкость, которая шунтирована очень большим сопротивлением коллекторного перехода, уже настолько сильно влияет, что работа транзистора, на который могла бы влиять емкость, становится нецелесообразной. Поэтому влияние емкости в большинстве случаев можно не рассматривать. Второй причиной снижения усиления на более высоких частотах является отставание по фазе переменного тока коллектора от переменного тока эмиттера. Оно вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эмиттерного перехода к коллекторному, а также инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Носители, например электроны в транзисторе типа n-p-n, совершают в базе диффузионное движение и поэтому скорость их не очень велика. Время пробега носителей через базу в обычных транзисторах получается порядка 10-7с, т. е. 0,1 мкс и менее. Конечно, это время очень небольшое, но при частотах порядка единиц и десятков мегагерц и выше оно вызывает заметный сдвиг фаз между токами коллектора и эмиттера. За счет такого сдвига фаз на высоких частотах возрастает переменный ток базы, а от этого снижается коэффициент усиления по току. Обозначим коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером в, а коэффициент усиления по току для схемы с общей базой б. При повышении частоты в уменьшается значительно сильнее, чем б. Коэффициент б снижается от влияния емкости, а на величину в влияет еще и сдвиг фаз между токами коллектора и эмиттера за счет времени пробега носителей через базу. Схема с общим эмиттером по сравнению со схемой с общей базой обладает значительно худшими частотными свойствами. Принято считать предельно допустимым уменьшение величин б и в на 30 % по сравнению с их значениями на низких частотах. Те частоты, на которых получается такое снижение усиления, называют граничными, или предельными, частотами усиления для схем с общей базой и общим эмиттером. Помимо предельных частот усиления, транзистор характеризуется еще максимальной частотой генерации, при которой коэффициент усиления по мощности каскада снижается до 1. На высоких частотах происходит не только изменение величин б и в. Вследствие влияния емкостей переходов и времени пробега носителей через базу, а также процессов накопления и рассасывания зарядов в базе собственные параметры транзистора на высоких частотах изменяют свою величину и уже не являются чисто активными сопротивлениями. Изменяются также и все другие параметры. Более высокие предельные частоты могут быть получены при использовании полупроводников, у которых подвижность носителей выше 39. Динисторы Динистором, или, по-другому, диодным тиристором, называют переключательный компонент с двумя выводами, который переходит в открытое состояние при превышении определённого напряжения, которое прикладывают между его выводами. Динисторы содержат три электронно-дырочных перехода. Вывод от внешней зоны n2 называют катодом, а от зоны p1 – анодом. Зоны n1 и p2 носят название баз динистора. Переход между зонами p1, n1 и p2, n2 именуют эмиттерным, а между зонами n1 и p2 – коллекторным переходом. Если от источника питания к аноду динистора приложим небольшое отрицательное напряжение, а к катоду положительное напряжение, то центральный коллекторный переход будет открыт, а крайние эмиттерные переходы станут закрыты. Зоны n1 и p2 не могут преодолеть, поступающие из анода и катода основные носители зарядов, а, следовательно, они не достигнут базы динистора. В результате через динистор течёт небольшой обратный ток, обусловленный неосновными носителями заряда, и динистор закрыт. Если к аноду динистора приложим очень большое отрицательное напряжение, а к катоду – высокое положительное напряжение, то произойдёт лавинный пробой. I – участок открытого состояния динистора, на котором его проводимость высока; II – участок отрицательного сопротивления; III – участок пробоя коллекторного перехода; IV – участок в прямом включении, на котором динистор заперт, и приложенное к его выводам напряжение меньше, чем необходимо для возникновения пробоя; V – участок обратного включения динистора; VI – участок лавинного пробоя. Если от источника питания к аноду динистора приложим небольшое положительное напряжение, а к катоду незначительное отрицательное напряжение, то коллекторный переход будет закрыт, а эмиттерные переходы станут открыты. Носители зарядов поступают из области катода n2 в зону p2 (электроны), а из области анода p1 в зону n1 (дырки). В указанных зонах баз носители заряда уже станут неосновными, и в результате в этих зонах возникает рекомбинация носителей зарядов, и из-за неё концентрации свободных носителей зарядов станут меньше. Поле коллекторного перехода будет ускоряющим для ставших неосновными носителей заряда, которые ввиду инжекции его преодолевают и оказываются в зонах, где они вновь будут основными. В областях p1 и n2 эти носители зарядов снова станут неосновными и вновь рекомбинируют. По причине рекомбинаций носителей зарядов проводимость динистора на участке IV мала и протекающий через него обратный ток также мал. Если начать увеличивать постоянное напряжение, прикладываемое к динистору в прямом включении, то возрастает ширина коллекторного перехода и скорость носителей заряда, и становятся меньше интенсивности рекомбинаций, а прямой ток через динистор медленно возрастает. Чем больше будет прямое напряжение, тем интенсивнее станет ударная ионизация, порождающая новые носители заряда, что при определённом напряжении включения приведёт к лавинному пробою коллекторного перехода. Пробой сопровождает резкое увеличение проводимости динистора в прямом включении. Динистор открывается, и на нём будет падать небольшое остаточное напряжение. Динисторы применяют в регуляторах и переключателях, чувствительных к изменениям напряжений. 40. Тринисторы Тринистором, или, иначе, триодным тиристором, называют переключательный компонент с тремя электронно-дырочными переходами, и тремя выводами – анодом, катодом и управляющим электродом. Тринисторы обладают аналогичной динисторам структурой, а отличие состоит в наличии управляющего электрода – дополнительного вывода, подключённого к одной из баз. Если через управляющий электрод тринистора пропустить отпирающий ток, то тринистор перейдёт в открытое состояние. В зависимости от того, к какой именно из баз будет подсоединён управляющий электрод, можно организовать включение тринистора при приложении отпирающего напряжения между управляющим электродом и либо анодом, либо катодом. Вольтамперная характеристика тринистора похожа на вольтамперную характеристику динистора. Однако отпирание тринистора обычно происходит при существенно более низком прямом напряжении, чем необходимо динистору, и к открыванию тринисторной структуры приводит протекание тока через управляющий электрод. Чем больше ток управляющего электрода, тем при более низком прямом напряжении тринистор перейдёт в открытое состояние. На рисунке обозначено:I – участок, на котором тринистор открыт; II – участки отрицательного сопротивления и пробоя коллекторного перехода; III – участок запертого состояния тринистора в прямом включении; IV – участок обратного включения динистора Когда через управляющий электрод протекает отпирающий ток, возрастает скорость носителей заряда, которые инжектируются через коллекторный переход, что инициирует принудительное отпирание тринистора. После включения незапираемый тринистор не реагирует на изменение силы тока управляющего электрода. Чтобы закрыть тринистор, необходимо уменьшить силу тока, протекающего по аноду и катоду, ниже тока удержания, либо поменять полярность напряжения, приложенного между анодом и катодом. Если управляющий электрод тринистора обесточен, то тринистор функционирует совершенно так же, как динистор. В незапираемых тринисторах управляющий электрод занимает небольшой участок кристалла полупроводника, ориентировочно в несколько процентов. Тринисторы широко применяют в регуляторах мощности, контакторах, ключевых преобразователях и инверторах и пр. Некоторое ограничение на внедрение тринисторов накладывает их частичная управляемость. 41. Вакуумный фотоэлемент Вакуумный фотоэлемент представляет собой электровакуумный прибор, внутри которого находятся два электрода – анод А и катод К (рис. 32а). Свет, падающий на катод, вырывает из его поверхности электроны, что приводит к увеличению тока, протекающего в цепи и напряжения на резисторе R. Изменение тока, текущего через фотоэлемент при его освещении можно использовать для включения и выключения различных устройств. Чтобы увеличить чувствительность фотоэлемента, поверхность его катода покрывают веществом с малой работой выхода. Поглощение электромагнитного излучения в полупроводниках приводит к росту их электрической проводимости. Это явление, называемое внутренним фотоэффектом, используется при изготовлении фоторезисторов, сопротивление которых может уменьшаться в сотни и тысячи раз при их освещении. Основной областью применения фоторезисторов является автоматика, где они в некоторых случаях с успехом заменяют вакуумные фотоэлементы. Фоторезисторы незаменимы в автоматах для сортировки, счета и контроля качества готовой продукции. Они используются в полиграфической промышленности при обнаружении обрывов бумажной ленты и контроле за количеством листов. Фоторезисторы применяются для измерения высоких температур, для регулировки температуры в различных технологических процессах. Контроль за задымленностью различных объектов, автоматические выключатели уличного освещения и турникеты в метрополитене - вот далеко не полный перечень областей применения фоторезисторов. Солнечная батарея (или батарея солнечных элементов) является полупроводниковым источником тока, непосредственно преобразующим энергию солнечного излучения в электрическую. Действие солнечных элементов основано на использовании явления внутреннего фотоэффекта в области p-n перехода двух полупроводников (рис. 32б). Под действием света по обе стороны от p-n перехода растёт концентрация электронов и дырок. При этом электрическое поле в области p-n перехода перемещает электроны из полупроводника p-типа в полупроводник n-типа, а дырки – в противоположном направлении. В результате, увеличивается разность потенциалов между этими полупроводниками, причём полупроводник p-типа становится ещё более электроположительным, и в цепи появляется ток. ЭДС, возникающую в области p-n перехода под действием света, называют фотоЭДС. Чаще всего материалом для солнечных элементов служит Si или GaAs. Солнечные батареи обычно выполняют в виде плоской панели из солнечных элементов, защищённых прозрачными покрытиями. КПД солнечных элементов может достигать 20%. Как известно, плотность потока солнечного излучения в безоблачный день вблизи экватора составляет около 1000 Вт/м2. Поэтому мощность тока, которую можно получить с помощью солнечной батареи, площадь панелей которой равна 1 м2, не превышает 200 Вт. Чтобы солнечная батарея имела мощность, достаточную для снабжения электроэнергией семьи из нескольких человек, площадь её панелей должна составлять 10-20 м2. Солнечные батареи находят своё применение не только на Земле, но и в космосе, где служат основным источником энергии для аппаратуры и системы жизнеобеспечения спутников и межпланетных кораблей. Б рисовать не нужно 42. Ионный фотоэлемент Электровакуумный (электронный или ионный) фотоэлемент представляет собой диод, у которого на внутреннюю поверхность стеклянного баллона нанесен фотокатод в виде тонкого слоя вещества, эмитирующего фотоэлектроны. Анодом обычно является металлическое кольцо, не мешающее попаданию света на фотокатод. В электронных фотоэлементах создан высокий вакуум, а в ионных находится инертный газ, например аргон, под давлением в несколько сотен паскалей (несколько миллиметров ртутного столба). Катоды обычно применяются сурьмяноцезиевые или серебряно-кислородноцезиевые. А не рисовать (анодные характеристики) Фотоэлемент обычно включен последовательно с нагрузочным резистором RH (рис. 22.5). Так как фототоки очень малы, то сопротивление фотоэлемента постоянному току весьма велико и составляет единицы или даже десятки мегаом. Сопротивление нагрузочного резистора желательно также большое. С него снимается напряжение, получаемое от светового сигнала. Это напряжение подается на вход усилителя, входная емкость которого шунтирует резистор RH. Чем больше сопротивление RH и чем выше частота, тем сильнее это шунтирующее действие и тем меньше напряжение сигнала на резисторе RH. Рис. 22.5. Схема включения фотоэлемента Основные электрические параметры фотоэлементов - чувствительность, максимальное допустимое анодное напряжение и темновой ток. У электронных фотоэлементов чувствительность достигает десятков, а у ионных фотоэлементов — сотен мкА на люмен. Темновой ток представляет собой ток при отсутствии облучения. Он объясняется термоэлектронной эмиссией катода и токами утечки между электродами. При комнатной температуре ток термоэмиссии может достигать 10-10 А, а токи утечки — 10-7 А. В специальных конструкциях фотоэлементов удается значительно снизить токи утечки, а ток термоэмиссии можно уменьшить лишь охлаждением катода до очень низких температур. Наличие темнового тока ограничивает применение фотоэлементов для очень слабых световых сигналов. Электровакуумные фотоэлементы нашли применение в различных устройствах автоматики, в аппаратуре звукового кино, в приборах для физических исследований. Но их недостатки — невозможность микроминиатюризации и довольно высокие анодные напряжения (десятки и сотни вольт) — привели к тому, что в настоящее время эти фотоэлементы во многих видах аппаратуры заменены полупроводниковыми приемниками излучения. 43. Фотоэлектронный усилитель Фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) представляет собой электровакуумный прибор, в котором электронный фотоэлемент дополнен устройством для усиления фототока за счет вторичной электронной эмиссии. Основные параметры ФЭУ: область спектральной чувствительности (диапазон длин волн), в которой можно применять данный ФЭУ; число ступеней умножения; общий коэффициент усиления тока; напряжение питания; интегральная чувствительность; темновой ток. В качестве характеристик ФЭУ обычно рассматриваются световая характеристика Iа=f(Ф), а также зависимости коэффициента усиления ki и интегральной чувствительности SΣ от напряжения питания Eа. Фотоэлектронные умножители обладают малой инерционностью и могут работать на весьма высоких частотах. Их применяют для регистрации световых импульсов, следующих через наносекундные промежутки времени. Кроме того, ФЭУ применяются во многих областях науки и техники — в астрономии, фототелеграфии и телевидении, для измерения малых световых потоков, для спектрального анализа и т. д. В полупроводниковой электронике нет пока приборов, заменяющих ФЭУ. 44. Фоторезистор ФОТОРЕЗИСТОР - полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрич. сопротивление под действием внеш. эл.-магн. излучения. Ф. относятся к фотоэлектрич. приёмникам излучения, их принцип действия основан на внутр. фотоэффекте в полупроводниках (см. Фотопроводимость). Основу Ф. составляет слой (или плёнка) полупроводникового материала на подложке (или без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством к-рых Ф. подключается к электрич. цепи. Фоторезистивный слой получается, напр., прессованием порошка или распылением водно-спиртовой суспензии полупроводникового материала непосредственно на поверхности подложки, хим. осаждением, эпитаксией, напылением. Полученные т. <о. слои (плёнки) могут подвергаться отжигу. В зависимости от назначения Ф. могут быть одно- и многоэлементные (мозаичные), с охлаждением и без, открытые и герметизированные, выполненные в виде отд. изделия или в составе интегральных схем. Для расширения функцией, возможностей Ф. дополняют фильтрами, линзами, растрами (оптич. модуляторами), предварит. усилителями (в микроминиатюрном исполнении), термостатами, подсветкой, системами охлаждения и др. Основные параметры фоторезистора: темновое сопротивление (101-1014 Ом); спектральный диапазон чувствительности (0,5-120 мкм); постоянная времени (10-2- 10-9 с); вольтовая чувствительность (103-106 В/Вт); обнаружительная способность (108 -1016 см•Гц 1/2•Вт -1); температурный коэф. чувствительности (0,1-5%/К); рабочее напряжение (0,1 -100 В). Ф. обладают избирательностью к внеш. излучению: так, Ф. на основе CdS и CdSe чувствительны к видимому, УФ-, рентг. и g-излучениям, а также к ближнему ИКизлучению; Ф. на основе PbS, PbSe, InSb, CdHgTe и PbSnSe -к ИК-излучению с длиной волны до 14 мкм (рис. 2), а на основе легированных Si и Ge - до 40 мкм. Высокая чувствительность, стабильность фотоэлектрич. характеристик во времени, малая инерционность, простота устройства, допускающая разнообразное конструктивно-технол. исполнение, способность работать в широком диапазоне механич. и климатич. воздействий обусловили широкое использование Ф. в приборах и устройствах оптоэлектроники. 45. Фотодиод Фотодио́д — приёмник оптического излучения[1], который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счёт процессов в p-nпереходе. Фотодиод, работа которого основана на фотовольтаическом эффекте (разделение электронов и дырок в p- и n- области, за счёт чего образуется заряд и ЭДС), называется солнечным элементом. Кроме p-n фотодиодов, существуют и p-i-n фотодиоды, в которых между слоями p- и n- находится слой нелегированного полупроводника i. p-n и p-i-n фотодиоды только преобразуют свет в электрический ток, но не усиливают его, в отличие от лавинных фотодиодов и фототранзисторов. Принцип работы: При воздействии квантов излучения в базе происходит генерация свободных носителей, которые устремляются к границе p-n-перехода. Ширина базы (n-область) делается такой, чтобы дырки не успевали рекомбинировать до перехода в p-область. Ток фотодиода определяется током неосновных носителей — дрейфовым током. Быстродействие фотодиода определяется скоростью разделения носителей полем p-n-перехода и ёмкостью p-n-перехода Cp-n Фотодиод может работать в двух режимах: фотогальванический — без внешнего напряжения фотодиодный — с внешним обратным напряжением Характеристики: вольт-амперная характеристика (ВАХ) зависимость выходного напряжения от входного тока. Спектральные характеристики - зависимость фототока от длины волны падающего света на фотодиод. Она определяется со стороны больших длин волн шириной запрещённой зоны, при малых длинах волн большим показателем поглощения и увеличения влияния поверхностной рекомбинации носителей заряда с уменьшением длины волны квантов света. То есть коротковолновая граница чувствительности зависит от толщины базы и от скорости поверхностной рекомбинации. Положение максимума в спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от степени роста коэффициента поглощения. световые характеристики - зависимость фототока от освещённости, соответствует прямой пропорциональности фототока от освещённости. Это обусловлено тем, что толщина базы фотодиода значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда. То есть практически все неосновные носители заряда, возникшие в базе, принимают участие в образовании фототока. постоянная времени - это время, в течение которого фототок фотодиода изменяется после освещения или после затемнения фотодиода в е раз (63 %) по отношению к установившемуся значению. темновое сопротивление - сопротивление фотодиода в отсутствие освещения. 46. Фототранзистор ФОТОТРАНЗИСТОР - транзистор (обычно биполярный), в к-ром управление коллекторным током осуществляется на основе внутр. фотоэффекта; служит для преобразования световых сигналов в электрические с одноврем. усилением последних. Основу Ф. составляет монокристалл полупроводника со структурой п-р-п- или р - п-ртипа. Кристалл монтируется в защитный корпус с прозрачным входным окном. Включение Ф. во внеш. электрич. цепь подобно включению биполярного транзистора, выполненному по схеме с общим эмиттером и оборванным базовым выводом (нулевым током базы). При попадании излучения на базу (или коллектор) в ней образуются парные носители зарядов (электроны и дырки), к-рые разделяются электрич. полем коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются осн. носители заряда, что приводит к снижению потенц. барьера эмиттерного перехода и увеличению тока через Ф. по сравнению с током, обусловленным переносом только тех носителей, к-рые образовались непосредственно под действием света. Основные параметры и характеристики фототранзистора: и н т е г р а л ь н а я ч у в с т в и т е л ь н о с т ь (отношение фототока к падающему световому потоку); у Ф., изготовленных по диффузионной планарной технологии, она достигает 10 А/лм; с п е к т р а л ь н а я х а р а к т е р и с т и к а (зависимость чувствительности к монохроматич. излучению от длины волны этого излучения), позволяющая, в частности, установить ДВграницу применимости Ф.; эта граница (в случае собств. поглощения зависящая прежде всего от ширины запрещённой зоны полупроводникового материала) для германиевого Ф. составляет 1,7 мкм, кремниевого-1,1 мкм; п о с т о я н н а я в р е м е н и (характеризующая инерционность Ф.) не превышает неск. мкс; темновой ток (ток через Ф. при отсутствии излучения) не превышает десятков нА. Кроме того, Ф. характеризуется к о э ф ф иц и е н т о м у с и л е н и я п е р в о н а ч а л ь н о г о т о к а, достигающим 102-103. Высокие надёжность, чувствительность и временная стабильность параметров Ф., а также малые размеры и относит. простота конструкции позволяют широко использовать Ф. в системах контроля и автоматики в качестве датчиков освещённости и элементов гальванич. развязки. 47. Фототиристор Тиристор, включение которого осуществляется воздействием светового потока. При освещении Фототиристора в ПП генерируются носители заряда обоих знаков (электроны и дырки), что приводит к увеличению тока через тиристорную структуру на величину фототока. Фототиристор, как и обычный тиристор, может быть представлен в виде комбинации двух транзисторов, между которыми имеется положительная обратная связь по току. Переход Фототиристора под действием светового управляющего сигнала из закрытого состояния (с низкой проводимостью) в открытое состояние (с высокой проводимостью) происходит скачком при увеличении суммарного коэффициента передачи тока составляющих транзисторов до 1. Конструктивно Фототиристор представляет собой полупроводниковый (обычно кремниевый) монокристалл с р—п—р—п или п—р—п—р структурой, расположенный на металлическом основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. Наибольшее распространение получили теристоры с освещаемым п эмиттером и с освещаемой р базой. Для управления Фототиристором используются различные источники света: лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, светоизлучающие диоды, квантовые генераторы и другое. Величина светового потока, необходимого для включения Фототиристора, характеризует чувствительность прибора; она определяется спектральным составом излучения, коэффициентом отражения и поглощения монокристалла, а также значениями электрических параметров теристора (напряжением переключения, скоростью нарастания прямого напряжения и т. д.). Современные Фототиристоры изготовляют на токи от нескольких мА до 500 А и напряжения от нескольких десятков В до нескольких кВ. Мощность управляющего светового излучения (при длине волны 0,9 мкм) составляет 1—10 мВт. Фототиристоры широко применяются в различных устройствах автоматического управления и защиты, вычислительной техники (фотореле, системах обработки данных и т. п.), а также в мощных высоковольтных преобразователях. 48. 49. Оптоэлектроника. Оптоэлектроника – направление электроники, охватывающее вопросы использования оптических и электрических методов обработки, хранения и передачи информации. О. отличается от вакуумной и полупроводниковой электроники наличием в цепи сигнала оптического звена или оптической (фотонной) связи. Из-за электрической нейтральности фотонов в оптическом канале связи не возбуждаются электрические и магнитные поля, сопутствующие протеканию электрического тока. Иными словами, фотоны не создают перекрестных помех в линиях связи и обеспечивают полную электрическую развязку между передатчиком и приёмником, что принципиально недостижимо в цепях с электрической связью. Передача информации с помощью светового луча не сопровождается накоплением и рассеиванием электромагнитной энергии в линии. Отсюда — отсутствие существенного запаздывания сигнала в канале связи, высокое быстродействие и минимальный уровень искажения передаваемой информации, переносимой сигналом. Высокая частота оптических колебаний (1014—1015 гц) обусловливает большой объём передаваемой информации и быстродействие. Соответствующая оптической частоте малая длина волны (до 10–4—10–5 см) открывает пути для микроминиатюризации передающих и приёмных устройств О., а также линии связи. Основные элементы О.: источники света (лазеры, светодиоды), оптические среды (активные и пассивные) и фотоприёмники. Эти элементы применяются как в виде различных комбинаций, так и в виде автономных устройств и узлов с самостоятельными частными задачами. Существует 2 пути развития О.: оптический, основу которого составляет когерентный луч лазера (когерентная оптоэлектроника), и электрооптический, основанный на фотоэлектрическом преобразовании оптического сигнала (оптроника). Сущность оптроники состоит в замене электрических связей в цепях оптическими. С когерентной О. связаны новые принципы и методы построения больших систем вычислительной техники, оптические связи, запоминания и обработки информации, не имеющих аналогов в традиционной радиоэлектронике. Сюда относятся Голография с её огромными возможностями записи, хранения и отображения больших массивов информации, ЭВМ с параллельным вводом информации в виде картин (машины с картинной логикой), сверхбыстродействующие вычислительные системы со скоростью обработки информации Оптоэлектроника109—1011 операций в 1 сек, устройства памяти большой ёмкости (1010—1012 бит), лазерное телевидение и прочие. Большие перспективы открывает когерентная О. перед многоканальной оптической связью. 50. Оптроны Оптроны (оптопара) – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, содержащий источник и приемник оптического излучения, оптически и конструктивно связанные между собой, и предназначенный для выполнения различных функциональных преобразований электрических и оптических сигналов. В интегральных оптоэлектронных схемах источником оптического излучения является инжекционный светодиод, обеспечивающий высокое быстродействие оптопары. Фотоприемниками могут быть: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры. Принцип действия оптопар основан на двойном преобразовании энергии. В источниках излучения энергия электрического сигнала преобразуется в оптическое излучение, а в фотоприемниках оптический сигнал преобразуется в электрический сигнал (ток или напряжение). Оптопара представляет собой прибор с электрическими входными и выходными сигналами. Параметры оптронов: входные параметры (параметры излучателя), выходные параметры (параметры фотоприемника), передаточные параметры (параметры передачи сигнала с входа на выход), параметры изоляции. Параметры для входной цепи оптопар: номинальный входной ток (значение тока, рекомендуемое для оптимальной эксплуатации оптопары, а также для снятия ее основных параметров), входное напряжение (падение напряжения на излучательном диоде при протекании номинального входного тока), входная емкость (емкость между входными выводами оптопары в номинальном режиме), максимальный входной ток (максимальное значение постоянного прямого тока, при котором сохраняется работоспособность оптопары), обратное входное напряжение (максимальное значение обратного напряжения любой формы (постоянное, импульсное, синусоидальное и др.), которое длительно выдерживает излучательный диод без нарушения нор-мальной работы) Выходные параметры оптопары: максимально допустимое обратное выходное напряжение (максимальное значение обратного напряжения любой формы, которое выдерживает фотоприемник без нарушения нормальной работы), максимально допустимый выходной ток (максимальное значение тока, протекающего через фотоприемник во включенном состоянии оптопары), ток утечки на выходе (темновой ток) (ток на выходе оптопары при , заданном значении и полярности), выходное остаточное напряжение (напряжение насыщения) (значение напряжения на включенном фоторезисторе или фототиристоре в режиме насыщения), выходная емкость (емкость на зажимах фотоприемника). Эффективность передачи электрических сигналов со входа на выход оптрона определяется коэффициентом передачи по току, т.е. отношением тока на выходе оптрона к вызвавшему его входному току. 51. Оптрон с оптической связью Из нескольких разновидностей наиболее часто применяются оптроны с прямой внутренней оптической связью, осуществляющие преобразования вида – электрический сигнал – оптический сигнал – электрический сигнал (рис.44,а). Его передаточная характеристика, определяемая зависимостью выходного параметра фотоприемника от тока или напряжения источника излучения, описывается уравнением IВЫХ=f(IВХ1,IВХ2,IВХ3) где Iвых – выходной ток оптрона; Iвх1, Iвх2, Iвх3 – значения токов на различных входах оптрона. Передаточные характеристики таких оптронов могут иметь различный вид в зависимости от используемых элементов. Если источник света, оптическая среда и фотоприемник имеют линейные передаточные характеристики, то характеристика оптрона также будет линейной (рис.44,б). Если в качестве элемента ИИ используются газоразрядные лампы либо светодиоды с S-образной характеристикой, то оптрон будет иметь ключевую характеристики (рис.44,в). В зависимости от типа фотоприемника различают фоторезисторные, фотодиодные, фототранзисторные и фототиристорные оптроны (рис.45). Фоторезисторные оптроны имеют линейную выходную вольтамперную характеристику, однако, из-за большой инерционности их применение ограничено. Гораздо более широкое развитие получили фотодиодные и фототранзисторные оптроны. У фотодиодных оптронов коэффициент передачи тока Кi - невелик (единицы процента), однако их быстродействие tвкл(выкл)≈10-8с. Фототранзисторные оптроны имеют большой коэффициент передачи тока (Кi=6÷8), но относительно невысокое быстродействие (tвкл(выкл)≈2∙10-3с). Фототиристорные оптроны могут применяться для коммутации силовых цепей с напряжением до 1300В и токами до 300А. Рис. 44. Оптрон (а – устройство; б – передаточная характеристика; в – ключевая характеристика) 52. Оптрон с электрической связью (см. 51) Оптрон с оптической связью представляет собой электрический усилитель и развязывающий элемент; оптрон с электрической связью — усилитель и спектральный преобразователь света. рисовать б 53. Микроэлектроника Микроэлектроника — подраздел электроники, связанный с изучением и производством электронных компонентов с геометрическими размерами характерных элементов порядка нескольких микрометров и меньше[1]. Такие устройства обычно производят из полупроводников и полупроводниковых соединений, используя фотолитографию и легирование. Большинство компонентов обычной электроники: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, диоды, транзисторы, изоляторы и проводник — также применяются и в микроэлектронике, но уже в виде миниатюрных устройств в интегральном исполнении. Цифровые интегральные микросхемы по большей части состоят из транзисторов. Аналоговые интегральные схемы также содержат резисторы и конденсаторы. Катушки индуктивности используются в схемах, работающих на высоких частотах. С развитием техники размеры компонентов постоянно уменьшаются. При очень большой степени интеграции компонентов, а следовательно при очень малых размерах каждого компонента, очень важна проблема межэлементного взаимодействия — паразитные явления. Одна из основных задач проектировщика — компенсировать или минимизировать эффект паразитных утечек. Различают такие направления микроэлектроники, как интегральная и функциональная. 54. Схемы задания рабочего режима для биполярных транзисторов в различных схемах включения. Необходимый режим работы транзистора можно установить путём подачи на базу относительно эмиттера смещения, которое в зависимости от типа транзистора н режима его работы может иметь величину 0.1-0.4 В. Смешение можно задать либо включением в цепь базы специальной батареи ,либо путем использования коллекторной батареи. Чаше всего питание входной (базовой) и выходной (коллекторной) цепей транзистора осуществляется от одного источника с использованием делителя напряжения или гасяшего сопротивления. При этом эмнттерный переход включается в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. Простейшие способы подачи смешения во входную цепь транзистора приведены на рис6.15. Указанные полярности напряжений и направления токов соответствуют транзисторам типа р-n-р. Смешение на транзистор можно подавать либо параллельно с источником входного сигнала, либо последовательно с ним. Если источник сигнала подключен к обшей нулевой шине усилителя или необходимо отделить по постоянному току выход источника сигнала от управляющего электрода транзистора, то источник должен быть подключен к базе (или эмиттеру) через разделительный конденсатор (так называемый реостатный вход). В этом случае источник сигнала шунтируется цепью смешения и входным сопротивлением усилителя (рнс.6.15а и рнс.6.15б). Если источник сигнала не требует подсоединения к нулевой шине и обладает гальванической проводимостью (например, вторичная обмотка входного трансформатора), то его можно подсоединить последовательно с цепью смешения. Цепь смешения при этом необходимо блокировать конденсатором большой емкости дтя того, чтобы входной сигнал без потерь поступал на эмнггерный переход (рнс.6.15г). Способ подачи смешения от обшего источника с делителя нз резисторов R1 и R2;| называют смешением фиксированным напряжением база-эмиттер (рис.6.15б). Для тогоj чтобы смешение оставатось практически неизменным при колебаниях температуры, приi старении и смене транзистора, величину сопротивления R> желательно выбирать как;а можно меньшей. Однако при этом падает входное сопротивление усилителя. В зависимости от выходной мошностн и режима работы каскада ток делителя берется в 2-5; раз больше тока базы. С ростом тока делителя потребление энергии от источника питания возрастает, а полный к.п.д. каскада падает. Такой способ подачи смешения находит применение в усилителях класса В. Он не критичен к замене транзистора, но может применяться лишь в устройствах, работающих при малых колебаниях температуры (2030°С).При подаче смешения от обшего источника через гасящее сопротивление начальный режим устанавливается с помощью резисторов R1 и RK . Начальный ток базы определяется большим гасящим сопротивлением R1 и напряжением Ек (рис.6.15в и рис.6.15д). R1=(Ek-U0б)/I0б Напряжение U0б мало по сравнению с напряжением источника коллекторногопитания, и величиной U0б МОЖНО пренебречь. Тогда ток базы определяется равенством I0б=Ek/R1 Ток базы в этом случае зависит только от параметров внешних цепей и рассматриваемый метод обеспечения рабочего режима транзистора называют смешением фиксированным током базы (или схемой с фиксированным током базы). Схема с фиксированным током базы малопригодна для серийной аппаратуры, а также при замене транзисторов, имеюших большой разброс параметров. Данная схема очень чувствительна к температурным колебаниям, и ее можно применять в устройствах, не подвергающихся сильным перегревам (изменение окружающей температуры не выше 10-20°С) и построенных на транзисторах с малым током IК0. На стабильность работы каскада основное влияние оказывают температурные изменения обратного тока коллектора ∆IК0 . температурное смешение входной характеристики ∆UЭБ и температурное изменение коэффициента передачи тока эмиттера ∆a ; . В ряде случаев приходится учитывать и температурные изменения сопротивления коллектора ∆rK. 55. Схемы задания рабочего режима для полевых транзисторов В зависимости от того, какой из электродов полевого транзистора в усилительной схеме является общим для входной и выходной цепей, используются схемы: с общим затвором (ОЗ), с общим истоком (ОИ) и общим стоком (ОС). Наиболее распространенной является схема с ОИ, аналогичная схеме включения биполярного транзистора с ОЭ (смотреть рисунок 3.9). Схема с общим стоком (истоковый повторитель) аналогична эмиттерному повторителю (смотреть рисунок 4.1). На практике питание схем осуществляется от одного общего источника напряжения. При подаче питания на полевые транзисторы с управляющим p–n переходом, для которых стоковое напряжение и напряжение на затворе должны быть разного знака, необходимое напряжение на затворе может быть создано с помощью цепочки автоматического смещения RиCи, включенной в цепь истока (рис. 4.14). Полевые транзисторы с индуцированным каналом, у которых стоковое напряжение и напряжение на затворе имеют одинаковую полярность, смещение на затвор подается обычно с помощью делителя напряжений R1 и R3(рис. 4.15). 56. Усилители. Параметры и характеристики усилителей. Усилителем называется устройство, предназначенное для увеличения мощности входного сигнала. Процесс усиления основан на преобразовании активным элементом (биполярным, полевым транзистором) энергии источника постоянного напряжения в энергию переменного напряжения на нагрузке при изменении сопротивления активного элемента под действием входного сигнала. Усилители сигналов являются базовыми устройствами для построения сложных аналоговых электронных устройств. В зависимости от того, какой электрод транзистора является общим для входной и выходной цепей, разли-чают три схемы включения для биполярных (БТ) и полевых транзисторов (ПТ) соответственно: с общей базой или общим затвором (ОБ или ОЗ); с общим эмиттером или общим истоком (ОЭ или ОИ); общим коллектором или общим стоком (ОК или ОС). коэффициент усиления по напряжению К = U коэффициент усиления по току К = I /U ; вых u вх /I ; вых вх i коэффициент усиления по мощности К = Р р /Р . вых вх Для многокаскадных усилителей коэффициент усиления определяется произведением коэффициентов усиления отдельных каскадов, выраженных в абсолютных единицах: KU KU 1 KU 2 KU 3 ... KUn (раз) или суммой коэффициентов усиления, выраженных в децибелах: KU KU 1 KU 2 KU 3 ... KUn Входное сопротивление усилителя представляет собой сопротивление между входными зажимами усилителя и определяется отношением входного напряжения ко входному току Z = U /I . Характер входного сопротивления зависит от диапазона вх вх вх усиливаемых частот. Выходное сопротивление определяют между отключенном сопротивлении нагрузки Z = U /I . вых выходными зажимами при вых вых Коэффициент демпфирования – отношение сопротивления нагрузки к выходному сопротивлению усилителя К = R /R . Значение этого параметра лежит в пределах от 10 д н вых до 100. КПД – отношение выходной мощности, отдаваемой усилителем в нагрузку, к общей P мощности, потребляемой от источника питания âû õ 100% .Чувствительность – PÏ напряжение, которое нужно подать на вход усилителя, чтобы получить на выходе заданную мощность. Динамический диапазон – отношение наибольшего допустимого значе-ния входного напряжения к его наименьшему допустимому значению D=U /U . вх макс вх мин Диапазон усиливаемых частот (полоса пропускания) – разность между верхней и нижней граничными частотами Δf = f – f , в которой коэффициент уси-ления изменяется в н по определенному закону с заданной точностью. Линейные искажения определяются зависимостями параметров транзисторов от частоты и реактивными элементами усилительных устройств. Линейные искажения бывают трех видов: частотные, фазовые и переходные. 57. Линейные и нелинейные искажения усилителей. Кроме получения необходимого коэффициента усиления сигнала необходимо, чтобы усилитель не изменял его формы. Отклонение формы выходного сигнала от формы входного принято называть искажениями. Искажения бывают двух видов: нелинейные и линейные. Источником нелинейных искажений является нелинейность вольт-амперных характеристик элементов усилителя. При подаче па вход усилителя напряжения синусоидальной формы из-за нелинейности входной и выходной характеристики транзистора форма входного и выходного токов может отличаться от синусоидальной изза появления составляющих высших гармоник. Это относится как к синусоидальному входному напряжению, так и ко входному сигналу любой другой формы. Уровень нелинейных искажений характеризуется коэффициентом нелинейных искажений (клирфактор) усилителя, выраженным в процентах Kr=((P2+P4+…+Pn)^1/2)/((P1)^1/2)*100%=((U22+U32+…Un2)^1/2)/(U1^1/2)*100% где P2, P3, Pn – мощности, выделяемые в нагрузке под воздействием 2-й, 3-й, n-й гармонических составляющих напряжения (U2, U3, Un); P1 – мощность в нагрузке, обусловленная основной гармонической составляющей напряжения U1. При оценке нелинейных искажений в большинстве случаев учитывают только вторую и третью гармоники, поскольку более высокие гармоники имеют малую мощность. Для многокаскадного усилителя общий коэффициент нелинейных искажений принимается равным сумме коэффициентов нелинейных искажений отдельных каскадов Нелинейные искажения зависят от амплитуды входного сигнала и не свя- заны с его частотой. Для уменьшения искажения формы выходного сигнала входной сигнал должен иметь малую амплитуду. В связи с этим в многокаскадных усилителях нелинейные искажения в основном возникают в предоко- нечных и выходных каскадах, на входе которых действуют сигналы большой амплитуды. Линейные искажения определяются зависимостями параметров транзи-сторов от частоты и реактивными элементами усилительных устройств. Линейные искажения бывают трех видов: частотные, фазовые и переходные. Частотные искажения связаны с несовпадением реальных и идеальных характеристик в рабочем диапазоне частот. Эти искажения зависят лишь от частоты усиливаемого сигнала. Зависимость коэффициента усиления от частоты входного сигнала К=F(f) принято называть амплитудно-частотной (частотной) характеристикой (АЧХ) рис. 10.5,а. Идеальная АЧХ параллельна оси частот. Реально, гармонические составляющие входного сигнала усиливаются усилителем неодинаково, поскольку реактивные сопротивления элементов схемы по-разному зависят от частоты. Типичным для АЧХ является наличие так называемой области средних частот, в которой К почти не зависит от частоты и обозначается К0 В диапазоне низких и высоких частот амплитудно-частотная характеристика спадает, имея неравномерность усиления. Частоты усиления, на которых коэффициент усиления уменьшается в 2^1/2 раз или на 3 дБ по сравнению со средней частотой, называют граничными частотами: нижняя fН и верхняя fВ разность частот fВ - fН =∆f называют полосой пропускания. Частотные искажения в усилителе всегда сопровождаются наличием сдвига фаз между входным и выходным сигналами, что вызывает появление фазовых искажений. Под фазовыми искажениями подразумевают сдвиги 250 фаз, вызванные реактивными элементами усилителя, а поворот фазы усилительным каскадом не учитывается. Фазовые искажения усилителя оцениваются его фазочастотной характеристикой ϕ=F(f). График фазочастотной характеристики представляет собой зависимость угла сдвига фазы между входным и выходным напряжениями усилителя от частоты (рис. 10.5,б). Фазовые искажения в усилителе отсутствуют, когда фазовый сдвиг линейно зависит от частоты. Идеальной фазочастотной характеристикой является прямая линия, начинающаяся в начале координат (рис. 10.5,б пунктирная линия). На практике амплитудно-частотную и фазочастотную характеристики удобнее строить в логарифмическом масштабе по оси частот. Это удобно тем, что растягивается область нижних и сжимается область верхних частот. Переходная характеристика выражает зависимость от времени выходного напряжения усилителя, на вход которого подан мгновенный скачок напряжения (рис. 10.7). Эта характеристика определяет процесс перехода усилителя из одного состояния в другое. Скачкообразное изменение входного напряжения позволяет выяснить реакцию усилителя на это воздействие сразу в двух режимах: переходном и стационарном. Характер переходного процесса в усилителе во многом зависит от наличия реактивных элементов L, C, которые препятствуют мгновенному изменению тока в индуктивности и напряжения на емкости. Напряжение на выходе не может измениться скачкообразно при подаче на вход импульса. Время, в течение которого фронт нормированной переходной характеристики нарастает от уровня 0,1 до уровня 0,9, называется временем нарастания tнар. Превышение мгновенного значения напряжения над установившимся называют выбросом δ и выражают в процентах. Существует так называемое критическое значение выброса, при котором δ не зависит от числа каскадов усилителя. Неравномерность вершины нормированной переходной характеристики обозначается через Δ, измеряется как и выброс в процентах от стационарного значения и не должна превышать 10 % для усилителей высоко- качественного воспроизведения. 58. Шумы в электронных схемах Собственные шумы компонентов электронных схем Собственные шумы компонентов электронных схем являются их неотъемлемой и основной физической характеристикой: они устанавливают нижнюю границу напряжения шумов электронного прибора. К собственным шумам относятся: тепловые, дробовые и контактные шумы, которые являются непрерывными сигналами с характерными свойствами. Тепловые шумы возникают в результате теплового движения электронов в веществе. Они возникают во всех элементах, обладающих сопротивлением. Поэтому тепловые шумы в технической литературе называются также шумами сопротивления или джонсоновскими шумами. Источником теплового шума могут быть компоненты электрической схемы, которые способны рассеивать энергию. Поэтому реактивное сопротивление не является источником теплового шума. Для исследования тепловой шум может быть представлен в виде стандартного «белого» шума: амплитуда напряжения теплового шума нормальное распределение с параметрами m = 0 и σ= UT, а СПМ теплового шума постоянна во всем диапазоне частот. Дробовой шум возникает вследствие того, что электрический ток представляет собой движение дискретных зарядов. Конечность заряда приводит к статистическим флуктуациям тока относительно среднего значения, вызываемых случайным характером эмиссии электронов (или дырок), т.е. дробовому шуму. Этот вид шума присутствует как в электронных лампах, так и в транзисторах. В последних дробовой шум обусловлен хаотической диффузией носителей через базу и случайным характером генерации и рекомбинации пар электрон-дырка. В общем случае дробовой шум связан с прохождением тока через потенциальный барьер. Для дробового шума также применимо представление в виде нормально распределенного «белого» шума, описанного выше. Математическое ожидание дробового шума равно нулю, а среднеквадратическое отклонение определяется эффективным значением тока Контактные шумы вызываются флуктуацией проводимости (переходного сопротивления) вследствие несовершенства контакта между двумя материалами. Они проявляются всякий раз, когда два проводника соединяются друг с другом, например, в переключателях и контактном реле. Контактные шумы встречаются в сопротивлениях, транзисторах и диодах из-за несовершенства контактов, микросхемах содержащих множество сплавных между собой мелких частиц. Этот шум зависит от многих факторов конструкции конкретного сопротивления резистивный материал и в особенности концевые соединения. В технической литературе контактные шумы часто имеют другие названия. В частности, шумы, возникающие в сопротивлениях, называются «избыточными» шумами, контактные шумы в электронных лампах и транзисторах обычно - «фликкер-шумами». Спектральная плотность мощность изменяется как величина обратная частоте , вследствие чего эти шумы называют низкочастотными или 1/f шумами, а иногда этот шум называют «розовым». Контактные шумы являются наиболее существенными источниками шумов в низкочастотных схемах и электрических цепях. К собственным шумам относятся так же характерные для полупроводниковых элементов диодов, транзисторов и интегральных схем импульсные шумы. В отличие от других типов шумов импульсные являются практически неустранимыми, так как обусловлены производственными дефектами и их можно устранить только улучшив процессы производства. Эти шумы вызываются металлическими примесями в переходе полупроводникового прибора. Импульсные шумы являются дискретными непериодическими сигналами и проявляются как резкие всплески уровни выходного напряжения. Средняя скорость повторения импульсов может изменяться от нескольких сот импульсов в секунду до одного импульса в минуту, однако у любого конкретного устройства амплитуда импульсных шумов фиксирована, так как она является функцией параметров дефекта перехода. Длительность шумовых импульсов колеблется от микросекунд до секунд. Обычно эта амплитуда в 2 - 100 раз превышает амплитуду тепловых шумов. Спектральная плотность мощности импульсных шумов имеет зависимость вида 1/f2. Поскольку этот шум представляет собой явление, связанное с наличием тока, напряжение импульсных шумов будет наибольшим в высокоомной цепи, такой, как входная цепь операционного усилителя. Не ограничиваясь рассмотрением только этих основных типов шумов, в общем случай, суммарное напряжение шума для электронныой схемы можно записать в виде UшƩ=(Uш12+Uш22+…Uшn2)^1/2 59. Рачет рабочей точки стандартных усилительных каскадов на БТ. При При : : Расчёт h-параметров при при при Расчёт параметров α, β, rкэ, rб, rэ. 60. 61. Обратные связи в усилителях. Обратной связью в усилителях называют передачу всего или части выходного сигнала во входную цепь усилителя. Цепь, по которой осуществляется передача сигнала ОС, называется цепью обратной связи. Петлей ОС называют замкнутый контур, включающий в себя цепь ОС и часть усилителя между точками ее подключения. Местной петлей ОС (местной ОС) называют ОС, охватывающую отдельные каскады или часть усилителя. Общая ОС охватывает весь усилитель. Влияние обратной связи на параметры усилителя определяется видом об-ратной связи, наличием или отсутствием в цепи обратной связи частотнозависимых элементов. Упрощенная структурная схема усилителя с обратной связью показана на рис. 5.5. Усилитель имеет в направлении, указанном стрелкой, коэффициент усиления . Другим прямоугольником обозначена цепь ОС, имеющая коэффициент передачи , – напряжение ОС, передаваемое с выхода усилителя на вход. Коэффициент показывает, какая часть выходного напряжения передается обратно на вход, поэтому его называют коэффициентом обратной связи. Обычно , т.е. цепь ОС является пассивным линейным четырехполюсником. Коэффициент усиления и коэффициент передачи цепи ОС в общем случае являются величинами комплексными, учитывающими возможный фазовый сдвиг на низких и высоких частотах за счет наличия в схемах реактивных элементов. В диапазоне средних частот коэффициент усиления К и коэффициент передачи цепи ОС β можно считать вещественными величинами. Если напряжение совпадает по фазе со входным напряжением , то в точке сравнения происходит сложение сигналов, и ОС называют положительной (ПОС). Если и противофазны ( ), то в точке сравнения происходит их вычитание и ОС называют отрицательной (ООС). По способу получения сигнала обратной связи различают: ОС по напряжению (рис. 5.6, а), когда сигнал обратной связи пропорционален выходному напряжению ; ОС по току (рис. 5.6, б), когда сигнал обратной связи пропорционален току выходной цепи ; комбинированную обратную связь (рис. 5.6, в), когда сигнал ОС пропорционален как напряжению, так и току выходной цепи. Для определения вида ОС можно воспользоваться следующим правилом: если при коротком замыкании нагрузки напряжение ОС сохраняется, то реализована ОС по току; если же оно стремится к нулю, то реализована ОС по напряжению. Поскольку в усилителях обычно используются каскады на БТ с ОЭ и ПТ с ОИ, то можно достаточно просто определить вид ОС по способу подачи сигнала ОС во входную цепь. Если цепь ОС подключена к эмиттеру (или истоку) транзистора, то связь последовательная, а если к базе (или затвору), то параллельная. Для определения вида обратной связи (ОСС, ПОС) необходимо просмотреть прохождение полуволны входного сигнала по петле ОС. Отрицательная обратная связь позволяет улучшить ряд параметров усилителя, поэтому она нашла на практике преимущественное применение. Оценку влияния обратной связи на параметры усилителя рассмотрим на примере схемы с последовательной ОС по напряжению. 62. Влияние обратной связи на параметры и характеристики усилителей Обратная связь, в особенности отрицательная, оказывает значительное воздействие практически на все основные параметры усилителя, существенно улучшая его свойства. Отрицательная обратная связь снижает коэффициент усиления усилителя, а положительная увеличивает. Стабильность коэффициента усиления. Под действием различных внешних факторов, а также за счет временного дрейфа параметров и старения элементов усилителя значение коэффициента усиления может изменяться. Величина этого изменения оценивается коэффициентом нестабильности, который представляет собой дифференциальный параметр и учитывает влияние всех факторов. Для усилителя без обратной связи он может быть найден как: Соответственно для усилителя с обратной связью: Если в усилителе имеется отрицательная обратная связь, то: откуда можно получить: и умножив левую и правую часть на К: Тогда: Отношение: показывает, что относительное изменение коэффициента усиления при наличии отрицательной обратной связи в раз меньше , чем без обратной связи. Таким образом, отрицательная обратная связь оказывает стабилизирующее действие на работу усилителя, причем это воздействие тем выше, чем больше глубина обратной связи. Особо следует отметить случай, когда и ,т.е. коэффициент усиления не зависит от изменения параметров самого усилителя и определяется только глубиной обратной связи. Это обусловлено тем, что любое изменение коэффициента усиления сразу вызывает изменение UОС, знак которого противоположен входному напряжению. Изменение UOC происходит до тех пор, пока выходное напряжение не вернется к исходному значению, т.е. происходит его эффективная стабилизация. В целом, наличие отрицательной обратной связи позволяет получить высокую стабильность коэффициента усиления при наличии значительного разброса параметров элементов аппаратуры. Полоса пропускания. За счет повышения стабильности коэффициента усиления "завалы" АЧХ в области низких и высоких частот будут значительно ослаблены. Это хорошо видно из рис. 1.9, где приведены АЧХ усилителя без обратной связи и при наличии ООС. Введение отрицательной обратной связи приводит к расширению полосы пропускания , а также уменьшает частотные и фазовые искажения в раз: при этом АЧХ становится более равномерной. Следует отметить, что введения в контур обратной связи частотно-зависимых звеньев можно добиться эффективной коррекции формы АЧХ. Рисунок 1.9 – Влияние ООС на АЧХ усилителя Входное сопротивление. Рассмотрим усилитель с последовательной отрицательной обратной связью по напряжению (рис. 1.10). Рисунок 1.10 – Усилитель с ООС по напряжению Входное сопротивление усилителя с ООС может быть найдено как: Входное сопротивление без обратной связи равно: поэтому: т.е. наличие последовательной отрицательной обратной связи по напряжению повышает входное сопротивление усилителя. Рисунок 1.11- Усилитель с параллельной ОС Напротив, параллельная обратная связь оказывает противоположное действие. Из рис. 1.11 можно записать соотношение проводимостей: В свою очередь Отсюда т.е. при наличии параллельной ОС происходит снижение входного сопротивления за счет увеличения входного тока. Выходное сопротивление. Рассмотрим схему рис. 1.7. Выходное сопротивление усилителя без ОС При наличии обратной связи выходное сопротивление: Таким образом, ООС по напряжению уменьшает выходное сопротивление усилителя. Напротив, при наличии ООС по току (рис.1.8) выходное сопротивление может быть найдено как: т.е. возрастает. Следует отметить, что при определенных фазовых и амплитудных соотношениях в усилителе за счет отрицательной обратной связи могут возникать неустойчивые режимы работы. 63. Термостабилизация в усилительных каскадах Транзисторы установленные в электронной аппаратуре, во время работы подвергаются нагреванию как за счет собственного тепла, выделяющегося при протекании по ним тока, так и за счет внешних источников тепла, например, расположенных рядом нагревающихся деталей. Изменение температуры оказывает значительное влияние на работу полупроводниковых приборов. В этом отношении не составляют исключения и транзисторы. В качестве иллюстрации этого приведем пример изменения под действием температуры входных и выходных статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 3.42). Расчеты показывают, что при таком значительном изменении характеристик, а с ними и параметров, работа усилительного каскада в условиях меняющейся температуры может стать совершенно неудовлетворительной. Для устранения этого недостатка в схемы усилителей вводится температурная стабилизация. В первую очередь это касается стабилизации положения начальной рабочей точки. Наибольшее распространение для этой цели получили две схемы стабилизации: эмиттерная стабилизация и коллекторная стабилизация. Рис. 3.42. Влияние температуры на статические характеристики транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером Схема эмиттерной стабилизации В схеме усилительного каскада на рис. 3.43 в цепь эмиттера включено сопротивление шунтированное конденсатором , . Для создания смещения здесь используется делитель напряжения . В соответствии с выбранным положением начальной рабочей точки, определяемой напряжением смещения, в коллекторной цепи транзистора протекает начальный коллекторный ток . Этот ток создает на эмиттерном сопротивлении падение напряжения. Полярность этого падения напряжения направлена навстречу падению напряжения на сопротивлении делителя напряжения, создающего напряжение смещения. Поэтому результирующее напряжение, определяющее смещение рабочей точки составляет: (3.59) Рис. 3.43. Схема эмиттерной стабилизации положения рабочей точки При повышении температуры транзистора его начальный коллекторный ток возрастает, и следовательно возрастает второе слагаемое в (3.59). Это приводит к снижению величины напряжения на базе и к уменьшению тока базы смещения и к снижению начального коллекторного тока . То есть в данной схеме имеет место передача части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную, что называется обратной связью. Если подаваемый с выхода на вход усилителя сигнал обратной связи находится в противофазе с входным, ослабляет его, то такая обратная связь называется отрицательной, а если наоборот, сигнал обратной связи находится в фазе с входным сигналом и усиливает его, то такая обратная часть называется положительной. В нашем случае сигнал обратной связи вычитается из напряжения , приложенного к входу усилителя, то есть обратная связь здесь отрицательная, а поскольку сигнал обратной связи пропорционален выходному (коллекторному) току, то такая обратная связь называется обратной связью по току. Легко показать, что отрицательная обратная связь уменьшает коэффициент усиления усилителя, но зато стабилизирует его начальную рабочую точку. Для того чтобы усиливаемый полезный сигнал (сигнал переменного тока) не ослаблялся под действием вводимой обратной связи, параллельно сопротивлению обратной связи включается конденсатор . Имея малое сопротивление по переменной составляющей, он пропускает ее через себя, а постоянная составляющая протекает через . Поэтому в сигнале обратной связи нет падения напряжения от переменной составляющей, и следовательно не будет уменьшаться коэффициент усиления. Схема коллекторной стабилизации В этой схеме (рис. 3.44, а) стабилизация осуществляется введением отрицательной обратной связи по напряжению. Действительно, при повышении температуры возрастает начальный ток коллектора сопротивлении . Это приводит к увеличению падения напряжения на и к уменьшению напряжения : (3.60) т. е. отрицательный потенциал коллектора относительно эмиттера будет уменьшаться; а поскольку он через резистор приложен к базе транзистора, то и отрицательный потенциал базы относительно эмиттера будет уменьшаться, т. е. будет снижаться начальный базовый ток (ток смещения), а начальный коллекторный ток вернется к прежнему значению. Рис. 3.44. Схемы коллекторной стабилизации положения рабочей точки Здесь, так же как и в предыдущей схеме под действием сигнала обратной связи стабилизируется начальный коллекторный ток . Чтобы при этом не снижать коэффициент усиления по переменной составляющей и не ослаблять полезный сигнал, в схему вводят конденсатор (рис. 3.44, б). В этом случае резистор заменяют двумя резисторами и . Переменная, составляющая коллекторного напряжения, замыкается через конденсатор и практически не оказывает влияние на напряжение транзистора, а следовательно и на коэффициент усиления полезного сигнала. 64. Обратная связь в многокаскадных усилителях ( или см. 61) Обратная связь может быть использована и в многокаскадных уси-лительных схемах, если правильно учесть фазовые соотношения. В среднем диапазоне частот для схем, имеющих нечетное число каскадов, со входом по сетке и выходом по аноду фазовый угол коэффициента усиления равен 180°, умноженному на нечетное число, т.е. усиление отрицательно. Часть выходного напряжения вводится в сеточную цепь по цепи обратной связи, и коэффициент обратной связи будет — А$. Такая схема приведена на рис. 7-8.Для схем, имеющих четное число каскадов, со входом по сетке и анодным выходом фазовый угол коэффициента усиления равен 180°, умноженному на четное число, т.е. усиление положительно. Тогда цепь обратной Рис 7.8 Схема катодного связи (3 должна перед введением напряжения обратной связи на вход обеспечить сдвиг фазы этого напряжения еще на 180°, что легко получается, если напряжение обратной связи ввести в цепь катода первого каскада. Подобная двухкаскадная схема показана на рис. 7-9, а. В схеме через сопротивление RK создается также связь по току. Схемы, указанные на рис. 7-9, б и рис. 7-9, в, иллюстрируют методы осуществления обратной связи со вторичной обмотки выходного трансформатора. Трансформатор входит в цепь обратной связи, причем частотные и амплитудные искажения на выходе трансформатора уменьшаются. Схема, указанная на рис. 7-9, б, дает обратную связь по току, а схема рис. 7-9, в — обратную связь по напряжению. В подобных схемах можно получить положительную и отрицательную обратную связь; нужный знак ее обеспечивается выбором полярности обмоток трансформатора. Применение трансформатора обусловливает наличие в схеме некоторого сдвига фазы, что может создать трудности, рассматриваемые в разделе 7-11. На рис. 7-9, г приведена схема обратной связи одновременно по току и напряжению. Коэффициент усиления лампы уменьшается обратной связью по напряжению, и результирующее сопротивление анодной цепи путем выбора RK и р может быть сделано как большим, так и меньшим, чем сопротивление без обратной связи. Таким образом, схема дает возможность изменять эквивалентное выходное сопротивление усилительного устройства. Рис. 7-9, г иллюстрирует способ введения обратной связи по напряжению в двухтактном усилителе. Обратная связь может быть осуществлена и другими способами. 65. Однокаскадный усилитель RC-типа на БТ с общим эмиттером (построение эквивалентной схемы) Усилительные каскады на биполярных транзисторах с резисторными нагрузками в цепи коллектора нашли широкое применение в предварительных каскадах усиления. Они обеспечивают усиление по напряжению, току, мощности. Принципиальная схема усилительного резисторного каскада с ОЭ представлена на рис. 10.22. Входной сигнал поступает на базу транзистора от генератора напряжения с внутренним сопротивлением Rr. Разделительный конденсатор Ср1 служит для предотвращения протекания постоянной составляющей тока базы через источник входного сигнала. При отсутствии Ср1 в цепи источника входного сигнала входного сигнала создавался бы постоянный питания Uип который мог бы вызвать падение напряжения на внутреннем сопротивлении Rг источника сигнала, изменяющее режим работы транзистора и приводящее к нагреву источника сигнала. Конденсатор Сp2 на выходе усилительного каскада обеспечивает выделение переменной составляющей коллекторного напряжения, которая поступает на нагрузочное устройство с сопротивлением Rn. Элементы R1, R3, Rэ обеспечивают режим каскада по постоянному току и температурную стабилизацию. 66. Однокаскадный усилитель RC-типа на БТ с общим эмиттером (анализ параметров по переменному току) Параметры усилителя (коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности Kp ρ; входное Rвх и выходное Rвых сопротивления) находятся с использованием аналитического метода, при котором на основе малосигнальной эквивалентной схемы транзистора строится эквивалентное представление каскада по переменному току и проводится его расчет по переменному току (рис. 10.23). Входное сопротивление в области средних частот каскада с ОК определяется параллельным соединением резисторов R1, R2 и входным сопротивлением транзистора : Входное сопротивление транзистора определяется выражением Анализ выражений (4.1) и (4.2) показывает, что входное сопротивление транзистора и входное сопротивление каскада с ОК больше, чем в схеме с ОЭ. Причем входное сопротивление зависит от сопротивления нагрузки. В практических схемах Rвх достигает значений 100…300 кОм. Для увеличения входного сопротивления часто используют схему без резистора R2. Высокое входное сопротивление является одним из главных преимуществ каскада с ОК. Это позволяет использовать ЭП в качестве нагрузки для источника сигнала, имеющего большое внутреннее сопротивление. Выходное сопротивление каскада с ОК представляет собой сопротивление схемы со стороны эмиттера и определяется выражением Выходное сопротивление каскада с ОК мало, имеет величину порядка десятков ом (10…50 Ом) и зависит от внутреннего сопротивления источника сигнала. Малое выходное сопротивление ЭП позволяет использовать этот каскад в качестве источника сигнала, работающего на низкоомную нагрузку. Коэффициент усиления по току в каскаде с ОК определяется соотношением: где тогда Анализ выражения (4.5) показывает, что каскад с ОК имеет большую величину коэффициента усиления по току, чем каскады с ОЭ и ОБ. Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОК задается выражением Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОК меньше единицы. Каскад с ОК характеризуется высоким входным сопротивлением (сотни килоом), зависящим от сопротивления нагрузки; низким выходным сопротивлением (единицы–десятки ом), зависящим от внутреннего сопротивления источника сигнала; высоким коэффициентом усиления по току; низким коэффициентом усиления по напряжению, меньшим единицы. Начальные фазы входного и выходного сигналов ЭП совпадают. Поэтому ЭП обычно используют для согласования высокоомного источника сигнала с низкоомной нагрузкой. 67. Усилители постоянного тока. Назначение, параметры, основные особенности. Под усилителем постоянного тока (УПТ) (рис 10.32) понимают усилитель, который наряду с сигналами переменного тока усиливает сигналы постоянного тока, то есть у таких усилителей . На нижних частотах и при коэффициент усиления равен коэффициенту усиления на средних частотах. УПТ имеет полосу пропускания от 0 до . Основными параметрами УПТ являются: коэффициент усиления по постоянному току ; верхняя граничная частота , определяющая ширину полосы пропускания. Фазочастотная характеристика имеет отрицательный фазовый сдвиг в области верхних частот. Особенностью УПТ является то, что связь с источником сигнала, с нагрузкой и между каскадами не должна осуществляться при помощи реактивных элементов, так как они оказывают сопротивление переменной составляющей. Эти связи могут быть только непосредственными (гальваническими) - в этом случае выходное напряжение предыдущего каскада, содержащего постоянную составляющую режима покоя и приращение, вызванное воздействием входного сигнала, полностью подается на вход следующего каскада. Если напряжение покоя предыдущего каскада изменяется под действием температуры или других факторов, то оно будет воспринято последующим каскадом как приращение, обусловленное воздействием входного сигнала, и будет далее усиливаться. Таким образом, в УПТ возникает явление, когда входной сигнал отсутствует, а на выходе усилителя присутствует постоянное напряжение некоторой величины. Такое явление называется дрейфом нуля. Различают абсолютный дрейф нуля (напряжение при нулевом входном сигнале) и приведенный (показывающий, какое постоянное напряжение обратной полярности требуется подать на вход усилителя, чтобы скомпенсировать величину абсолютного дрейфа). Величина дрейфа может меняться с течением времени. Причины возникновения дрейфа: 1) Температурный дрейф, вызванный температурной нестабильностью режима покоя в каскадах. Наиболее существенный вклад в дрейф усилителя вносят первые каскады, так как их дрейф усиливается последующими каскадами. 2) Старение элементов схемы. С течением времени изменяются как параметры самих транзисторов, так и остальных элементов каскада. 3) Нестабильность источников питания. Колебания напряжения источника питания приводит к колебаниям напряжения покоя и положения рабочей точки: При возникновении дрейфа нуля происходит смещение амплитудной характеристики усилителя. 68. Методы борьбы с дрейфом нуля. Местные отрицательные обратные связи. В схеме усилителя выводы коллектора и базы транзисторов соседних каскадов соединены непосредственно. В этих условиях резисторы Rэ каждого последующего каскада (осуществляющие внутрикаскадные (местные) отрицательные обратные связи по постоянному току) предназначены также для создания необходимого напряжения Uбэп в режиме покоя. Это достигается повышением отрицательного потенциала на эмиттере каждого транзистора от протекания через резистор Rэ эмиттерного тока до величины, меньшей по абсолютному значению потенциала его базы или, что то же, потенциала коллектора транзистора предыдущего каскада. Так, для транзистора T2 второго каскада имеем: Uбэп2 = Uкп1 – Uэп2 = Uкп1 – Iэп2Rэ2. (1.1) Во входную цепь усилителя (рис.2.1) последовательно с источником входного сигнала включен источник входного компенсирующего напряжения Uкомп.вх. его вводят для того, чтобы при eг = 0 напряжение Uбп1 соответствовало требуемому значению напряжения в режиме покоя и ток через источник был равен нулю. С этой целью компенсирующее напряжение выбирают равным Uбп1. Методы борьбы с дрейфом нуля. Глубокие отрицательные обратные связи. Отрицательная связь ослабляет влияние всех изменений коэффициента усиления К, в том числе связанных с неравномерностью частотной характеристики, расширяет полосу пропускания как в сторону низких, так и в сторону высоких частот, уменьшает частотные искажения. ОСС уменьшает возникающие в усилители нелинейные искажению. Если при ООС то говорят, что усилитель охвачен глубокой отрицательной обратной связью. Физический смысл повышения стабильности коэффициента усиления усилителя с глубокой отрицательной обратной связью заключается в том, что при изменения коэффициента усиления усилителя К изменяется напряжение обратной связи., приводящее к изменений входного напряжения усилителя, препятствующему изменению выходного напряжения. Стабильность коэффициента ОСС широко используется для улучшения АЧХ усилителей. 69. Методы борьбы с дрейфом нуля. Балансные (мостовые схемы). Балансные УПТ строятся на основе схемы сбалансированного четырехплечного уравновешенного моста: два одинаковых усилительных элемента, работающие в идентичном режиме, образуют два плеча моста, а другими двумя плечами являются два одинаковых резистора Rк в их коллекторной цепи. Каскады могут быть выполнены как на основе биполярных, так и полевых транзисторов. Типовая балансная схема транзисторного УПТ приведена на рисунке Eк Rк Rк Rб1 U вых VT1 U вх Rб2 Rэ Rб1 VT2 Rб2 Данная схема по существу представляет собой мост, плечами которого являются коллекторные резисторы Rк и внутренние сопротивления транзисторов VTI и VT2. Резисторы Rб1 и Rб2 входят в делители напряжения источника витания и служат для выбора исходного режима работы транзисторов. В объединенную эмиттерную цепь включен резистор Rэ. К одной из диагоналей поста подведена напряжение источника питания Ек, а с другой – снимаются выходное напряжение (нагрузку каскада подключают между коллекторами транзисторов): U вых U K VT1 U K VT 2 Для нормальной работы схемы необходима полная симметрия плеч. В этом случае в исходном состоянии (до поступления входного сигнала) мост окажется сбалансированным, а напряжение на его выходе будет равно нулю. Реально симметрия достигается, прежде всего, выбором согласованной пары (идентичных) транзисторов и вспомогательных элементов каскада (резисторов цепей смещения, стабилизации и т.п.). Если в схеме обеспечена абсолютная симметрия, то выходное напряжение не изменяется из-за действия дестабилизирующих факторов (температуры и других внешних факторов). При полной симметрии плеч токи покоя обоих транзисторов, а также их отклонения в случае изменения режима (например, при изменении напряжения Ек изменении температуры и т. п.) имеют равную величину. Потенциалы коллекторов при этом также равны или получают одинаковые приращения напряжений. Поэтому при одинаковом воздействии дестабилизирующих факторов на оба транзистора одновременно баланс моста не нарушается и выходное напряжение не появляется, т.е. напряжение дрейфа равно нулю. 70. Дифференциальный каскад. Схема замещения ОУ содержит входной дифференциальный каскад с коэффициентом передачи К1 , который преобразует входной дифференциальный сигнал в выходной ток, поступающий на интегрирующее звено с коэффициентом передачи К2 . Выходной каскад является усилителем мощности и представляет собой повторитель напряжения. Их отличает высокая стабильность работы, малый дрейф нуля, большой коэффициент усиления дифференциального сигнала и большой коэффициент подавления синфазных помех. Любой ДУ выполняется по принципу сбалансированного моста, два плеча которого образованы резисторами Rк1 и Rк1 , а два других — транзисторами Т1 и Т2. Сопротивление нагрузки включается между коллекторами транзисторов, т. е. в диагональ моста. Питание ДУ осуществляется от двух источников, напряжения которых равны (по модулю) друг другу, таким образом, суммарное напряжение питания ДУ равно 2Е. В реальных усилителях требуется выполнить два основных требования, для обеспечения необходимых параметров работ: 1. симметрии обоих плеч ДУ. По нему необходимо обеспечить идентичность параметров каскадов ОЭ(общим эмитером), образующих ДУ. При этом должны быть одинаковы параметры транзисторов Т1 и Т2, а также Rк1 = Rк2 (и R01 = R02). Если первое требование выполнено полностью, то больше ничего и не требуется для получения идеального ДУ. Действительно, при Uвх1 = Uвх2 = 0 достигается полный баланс моста, т. е. потенциалы коллекторов транзисторов Т1 и Т2 одинаковы, следовательно, напряжение на нагрузке равно нулю. 2. обеспечить глубокую ООС(Отрицательная обратная связь) для синфазного сигнала. Синфазными называются одинаковые сигналы, т. е. сигналы, имеющие равные амплитуды, формы и фазы. Если на входах ДУ (рис. 10) присутствуют Uвх1=Uвх2, причем с совпадающими фазами, то можно говорить о поступлении на вход ДУ синфазного сигнала. Синфазные сигналы обычно обусловлены наличием помех, наводок и т. д. Выполнить второе основное требование позволяет введение в ДУ резистора RЭ , (или его электронного эквивалента). Если на вход ДУ поступает сигнал синфазной помехи, например, положительной полярности, то транзисторы Т1 и Т2 приоткроются и токи их эмиттеров возрастут. В результате по резистору RЭ будет протекать суммарное приращение этих токов, образующее на нем сигнал ООС. Нетрудно показать, что RЭ образует в ДУ последовательную ООС по току. будет наблюдаться уменьшение коэффициента усиления по напряжению для синфазного сигнала каскадов ОЭ, образующих общие плечи ДУ, Kисф1 и Кисф2 . коэффициент усиления ДУ для синфазного сигнала Кисф = Кисф1 - Кисф2 и за счет выполнения первого основного требования Кисф1 ≈ Кисф2 удается получить весьма малое значение Кисф, т. е. значительно подавить синфазную помеху. Таким образом, при выполнении в ДУ двух основных требований он обеспечивает стабильную работу с малым дрейфом нуля, с хорошим усилением дифференциального сигнала и со значительным подавлением синфазной помехи. 71. Метод модуляции-демодуляции. Использование аналитических многочастотных сигналов позволило добиться высоких значений спектральной эффективности радиочастотных систем. Процесс изменения параметров несущей в соответствии с передаваемым сигналом. Для модуляции может использоваться амплитуда, фаза или частота сигнала. Демодуляция сигнала обеспечивается квадратурным демодулятором. В этом демодуляторе производится перемножение принятого и задержанного сигнала с последующей низкочастотной фильтрацией результата перемножения. Если установить время задержки, то на выходе фильтра нижних частот будет присутствовать сигнал, пропорциональный отклонению частоты, который является информационным. При модуляции осуществляется отклонение несущей частоты Простейший модулятор 72. Комбинированные методы борьбы с дрейфом нуля. Применение усилительных каскадов в УПТ ограничивается дрейфом нуля. Дрейфом нуля (нулевого уровня) называется самопроизвольное отклонение напряжения или тока на выходе усилителя от начального значения. Этот эффект наблюдается и при отсутствии сигнала на входе. Поскольку дрейф нуля проявляется таким образом, как будто он вызван входным сигналом УПТ, то его невозможно отличить от истинного сигнала. Существует достаточно много физических причин, обусловливающих наличие дрейфа нуля в УПТ. К ним относятся нестабильности источников питания, температурная и временная нестабильности параметров транзисторов и резисторов, низкочастотные шумы, помехи и наводки. Среди перечисленных причин наибольшую нестабильность вносят изменения температуры, вызывающие дрейф. Методы борьбы: 1.местная отриц. обратная связь 2.глубокая отрицательная обратная связь 3.балансные (мостовые) схемы диф. усил. 4.метод модуляции-демодуляции 73. Операционные усилители Операционный усилитель (ОУ) — усилитель постоянного тока с дифференциальным входом и, как правило, единственным выходом, имеющий высокий коэффициент усиления. ОУ почти всегда используются в схемах с глубокой отрицательной обратной связью, которая, благодаря высокому коэффициенту усиления ОУ, полностью определяет коэффициент передачи полученной схемы. Инвертирующий вход – Фаза на выходе не совпадает, неинвертирующий – совпадает. Идеальный ОУ имеет бесконечно большое входное сопротивление, нулевое выходное сопротивление и бесконечно большой коэффициент усиления. Параметры ОУ: смещение или напряжение сдвига нуля, входные токи смещения, разность входных токов, входное сопротивления, коэффициент ослабления синфазного сигнала, коэффициент шума, выходное напряжение и выходной ток, коэффициент усиления, полоса пропускания, скорость нарастания выходного напряжения, время установления выходного напряжения, время восстановления. Специфические параметры: коэффициент усиления дифференциального сигнала Kд = Uвых /Uвх д (дифференциальный сигнал – напряжения между одним из входов и общей точкой системы); коэффициент ослабления синфазного сигнала – Косл сф = Кд / Ксф (показывает, во сколько раз коэффициент передачи дифференциального сигнала больше коэффициента передачи синфазных сигналов), дифференциальное входное сопротивление (сопротивление со стороны любого входа при подключении другого к общей точке схемы). 74. Инвертирующий усилитель Рассмотрим схему на рис. 4.4. Проанализировать ее будет нетрудно, если вспомнить сформулированные выше правила: 1. Потенциал точки В равен потенциалу земли, следовательно, потенциал точки А также равен потенциалу земли. 2. Это означает, что: а) падение напряжения на резисторе R2 равно Uвых, б) падение напряжения не резисторе R1 равно Uвх. 3. Воспользовавшись теперь правилом II, получим Uвых/R2 = - Uвх/R1, или коэффициент усиления по напряжению = Uвых /Uвх= - R2/R1. Позже вы узнаете, что чаше всего точку В лучше заземлять не непосредственно, а через резистор. Однако сейчас это не имеет для вас значения. Рис. 4.4. Инвертирующий усилитель. Итак, анализ схемы на ОУ оказался даже чересчур простым. Он, правда, не позволяет судить о том, что на самом деле происходит в схеме. Для того чтобы понять, как работает обратная связь, представим себе, что на вход подан некоторый уровень напряжения, скажем 1 В. Для конкретизации допустим, что резистор R1 имеет сопротивление 10 кОм, а резистор R2 - 100 кОм. Теперь представим себе, что напряжение на выходе решило выйти из повиновения и стало равно 0 В. Что произойдет? Резисторы R1 и R2 образуют делитель напряжения, с помощью которого потенциал инвертирующего входа поддерживается равным 0,91 В. Операционный усилитель фиксирует рассогласование по входам, и напряжение на его выходе начинает уменьшаться. Изменение продолжается до тех пор, пока выходное напряжение не достигнет значения -10 В, в этот момент потенциалы входов ОУ станут одинаковыми и равными потенциалу земли. Аналогично, если напряжение на выходе начнет уменьшаться и дальше и станет более отрицательным, чем 10 В, то потенциал на инвертирующем входе станет ниже потенциала земли, в результате выходное напряжение начнет расти. Как определить входной импеданс рассматриваемой схемы? Оказывается, просто. Потенциал точки А всегда равен 0 В (так называемое мнимое заземление, или квазинуль сигнала). Следовательно, Zвх = R1 Пока вы еще не знаете, как подсчитать выходной импеданс; для этой схемы он равен нескольким долям ома. Следует отметить, что полученные результаты справедливы и для сигналов постоянного тока - схема представляет собой усилитель постоянного тока. По этому, если источник сигнала смещен относительно земли (источником является, например, коллектор предыдущего каскада), у вас может возникнуть желание использовать для связи каскадов конденсатор (иногда такой конденсатор называют блокирующим, так как он блокирует сигнал постоянного тока, а передает сигнал переменного тока). Немного позже (когда речь пойдет об отклонениях характеристик ОУ от идеальных), вы узнаете, что в тех случаях, когда интерес подставляют только сигналы переменного тока, вполне допустимо использовать блокирующие конденсаторы. Схема, которую мы рассматриваем, называется инвертирующим усилителем. Недостаток этой схемы состоит в том, что она обладает малым входным импедансомсом, особенно для усилителей с большим коэффициентом усиления по напряжению (при замкнутой цепи ОС), в которых резистор R1 как правило, бывает небольшим. Этот недостаток устраняет схема, представленная на рис. 4.5. Рис. 4.5. Неинвертирующий усилитель. 75. Неинвертирующий усилитель Рассмотрим схему на рис. 4.5. Анализ ее крайне прост: UA = Uвх. Напряжение UA снимается с делителя напряжения: UA = UвыхR1/(R1 + R2). Если UA = Uвх, то коэффициент усиления = Uвых/Uвх = 1 + R2/R1. Это неинвертирующий усилитель. В приближении, которым мы воспользуемся, входной импеданс этого усилителя бесконечен (для ОУ типа 411 он составляет 10^12 Ом и больше, для ОУ на биполярных транзисторах обычно превышает 10^8 Ом). Выходной импеданс, как и в предыдущем случае, равен долям ома. Если, как в случае с инвертирующим усилителем, мы внимательно рассмотрим поведение схемы при изменении напряжения на входах, то увидим, что она работает, как обещано. Рис. 4.5. Эта схема также представляет собой усилитель постоянного тока. Если источник сигнала и усилитель связаны между собой по переменному току, то для входного тока (очень небольшого по величине) нужно предусмотреть заземление, как показано на рис. 4.6. Для представленных на схеме величин компонентов коэффициент усиления по напряжению равен 10, а точке - 3 дБ соответствует частота 16 Гц. Рис. 4.6. 76. Применение ОУ для выполнения нелинейных операций Логарифмический усилитель Отношение между входным формулой: где и выходным напряжениями представлено следующей - ток насыщения. Предположив, что операционный усилитель идеальный и инвертирующий вход виртуально заземлен, то ток, протекающий через резистор от источника (и далее через диод на выход, таким образом, через входы операционного усилителя ток не протекает) описывается следующей формулой: где - ток, протекающий через диод. Как известно, отношение между током и напряжением для диода: Когда напряжение больше нуля, эта формула может быть преобразована в: Рассмотрение этих двух формул вместе и предположение, что выходное напряжение является обратным по отношению к напряжению на диоде, является доказательством формулы. Расчеты не учитывают температурную стабильность и другие эффекты, присущие реальным устройствам. Антилогарифмический усилитель Антилогарифмический (экспоненциальный) усилитель имеет обратную логарифмическую передаточную характеристику. Для получения таких схем достаточно в приведенной схеме логарифмического усилителя поменять местами диод и резистор: Зависимость выходного напряжения от входного: 77. Применение ОУ для выполнения математических операций Дифференциальный усилитель (вычитатель) Данная схема предназначена для получения разности двух напряжений, при этом каждое из них предварительно умножается на некоторую константу (константы определяются резисторами). Инвертирующий усилитель Инвертирует и усиливает напряжение (то есть умножает напряжение на отрицательную константу). Неинвертирующий усилитель Усиливает напряжение (умножает напряжение на константу, большую единицы) Инвертирующий суммирующий усилитель (инвертирующий сумматор) Суммирует (с весом) несколько напряжений. Сумма на выходе инвертирована, то есть все веса отрицательны. Интегратор Интегрирует (инвертированный) входной сигнал по времени. Дифференциатор Дифференцирует (инвертированный) входной сигнал по времени. где и — функции времени. 78. Электронные ключи. Параметры и характеристики Электронными ключами называют устройства, предназначенные для замыкания или размыкания электрических цепей под действием внешних управляющих сигналов. В бесконтакгных электронных ключах используются нелинейные элементы: полупроводниковые диоды. биполярные и полевые транзисторы, гиристоры. В отличие от механических переключателей электронные ключи обладают большим быстродействием и надежностью. В зависимости от назначения ключевые схемы бывают: цифровые и аналоговые. Цифровые ключи используются в устройствах вычислительной техники, цифровой связи. дискретной автоматики. Аналоговые ключи используются в аналогоцифровых и цифроаналоговых преобразователях. в устройствах измерения и управления. в многоканальных коммутаторах, Различают статический режим работы ключа, когда он находится в закрытом или открытом состоянии, и динамический режим, соответствующий переключению из закрытого состояния в открытое и наоборот. Каждый из режимов работы описывается определенным набором характеристик и параметров. Параметры статического режима электронного ключа определяются его передаточной характеристикой, которая устанавливает зависимость выходного напряжения от входного Основными параметрами статического режима являются (см. рис.8.2): пороговое напряжение нуля , соответствующее входному напряжению при котором БТ находится на границе между режимом отсечки и активным режимом; пороговое напряжение единицы , соответствующее входному напряжению при котором БТ находится на границе между активным режимом и режимом насыщения; напряжение логического нуля , соответствующее минимальному выходному напряжению; напряжение логической единицы напряжению. , соответствующее максимальному выходному Динамический режим ключа описывается параметрами быстродействия, которые определяются скоростью переходных процессов, возникающих в устройстве при подаче на вход прямоугольного импульса (рис. 8.5). Быстродействие ключа определяется параметрами используемого активного элемента – транзистора, номинальных значений элементов схемы, характера и параметров нагрузки. Различают следующие параметры быстродействия: время задержки – интервал времени от момента подачи входного сигнала до момента, когда ток коллектора достигнет значения , определяется длительностью заряда барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного переходов БТ, часто называют временем задержки включения; длительность фронта – интервал времени, в течение которого коллекторный ток нарастает от значения , определяется скоростью накопления носителей в базе; время включения – где – емкость коллекторного перехода; – предельная частота коэффициента передачи в схеме с ОЭ; время рассасывания – интервал времени между моментом подачи на базу транзистора запирающего импульса до момента, когда ток коллектора уменьшается до , определяется скоростью рассасывания избыточных носителей базы, часто называют временем задержки выключения; длительность спада – интервал времени, в течение которого ток коллектора уменьшается от уровня до уровня , определяется скоростью рассасывания неосновных носителей базы и коллектора; время выключения – где – амплитуда обратного тока базы в момент подачи на базу запирающего импульса. 79. Ключ на биполярном транзисторе Имеются три характерные области работы транзистора: область выключения (отсечки) I, область активного режима II и область включения (насыщения) III. В ключевых схемах транзистор находится в активном режиме лишь в переходном состоянии. Статические параметры ключа: остаточное напряжение U во включенном состоянии (точка В) и остаточный ток в выключенном (запертом) состоянии (точка А). В точке А напряжение на электродах практически совпадает с эдс источника питания. В точке В токи электродов определяются параметрами внешних цепей: . В исходном состоянии транзистор закрыт положительным напряжением Еб2 . Процесс отпирания транзистора при подаче на базу отрицательного напряжения Еб1 можно разделить на три этапа: задержка фронта, формирование фронта и накопление заряда. Этап задержки фронта обусловлен зарядом входной емкости запертого транзистора от значения Еб2 до напряжения открывания транзистора U*. Входную емкость обычно принимают равной сумме барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного переходов. Когда открывается эмиттерный переход, начинается инжекция носителей в базу, транзистор переходит в активный режим. На этом этапе коллекторный ток возрастает до значения Iкн . В конце этапа формирования фронта в базе транзистора накапливается заряд Qгр ,а напряжение на переходе коллектор – база падает до нуля. После того, как транзистор начал работать в режиме насыщения, заметных внешних изменений в схеме ключа не происходит. Процесс выключения транзистора начинается, когда на базу подаётся запирающее напряжение. В момент переключения на обоих p-n – переходах сохраняются прямые смещения, близкие к U*. При этом коллекторный ток не меняется и остаётся равным Iкн . Базовый ток принимает значение: . На первом этапе процесса выключения происходит рассасывание накопленного заряда током Iб2 . После этого начинается уменьшение коллекторного тока и формирование среза импульса. В конце этого рассасывания в базе транзистора остаётся некоторый остаточный заряд Qост. По окончании этапа рассасывания начинается последний этап переходного процесса – запирание транзистора. Длительность запирания обычно определяется процессом заряда коллекторной ёмкости. Общая инерционность транзисторного ключа характеризуется временами включения tвкл и выключения tвыкл : Усовершенствованные ключи на биполярном транзисторе. Схема с дополнительным источником смещения. Схема с ускоряющей емкостью Схема с нелинейной обратной связью 80. Ключ на переключателе тока 81. Ключи на полевых транзисторах. Полевой транзистор в области малых напряжений сток-исток ведет себя как резистор, сопротивление которого может изменяться во много раз при изменении управляющего напряжения затвор-исток Uзи. На рис изображена упрощенная схема последовательного ключа на полевом транзисторе с управляющим pn-переходом. Если в этой схеме управляющее напряжение Uупр установить меньшим, чем минимально-возможное входное напряжение, по крайней мере на величину порогового напряжения транзистора, транзистор закроется и выходное напряжение станет равным нулю. Для того, чтобы транзистор был открыт, напряжение затвор-исток Uзи следует поддерживать равным нулю, что обеспечивает минимальное сопротивление канала. Если же это напряжение станет больше нуля, управляющий pn-переход откроется, и выход ключа окажется соединенным с цепью управления. Если напряжение U упр установить большим, чем максимально-возможное входное напряжение ключа, диод VD закроется и напряжение Uзи будет, как это и требуется, равно нулю. При достаточно большом отрицательном управляющем напряжении диод будет открыт, а полевой транзистор закрыт. В таком режиме работы через резистор R1 течет ток от источника входного сигнала в цепь управляющего сигнала. Это не мешает нормальной работе схемы, так как выходное напряжение ключа в этом режиме равно нулю. Нарушение нормального режима работы такой схемы может произойти лишь в случае, если цепь входного сигнала содержит разделительный конденсатор, который при закрытом транзисторе ключа зарядится до отрицательного уровня управляющего напряжения. 82. Комплементарный ключ (КМДП) В схеме отсутствуют пассивные сопротивления. На входах всех микросхем устанавливаются защитные цепочки. Их функции: Защищают от статического электричества и выбросов входного напряжения обоих полярностей. На схемах не изображаются никогда. Внутри БИС цепочки не используются. Они включаются только к выводам, ко входам. Защита от статики — обязательна при работе с МДП элементами! Уменьшение входных сопротивлений МДП миксросхем и, что существенно, увеличение входной мощности на два порядка. Принцип действия КМДП ключа На входе высокий уровень. Uвх = Uвх1. VT2 открыт, VT1 закрыт. На выходе низкий уровень. Uвых практически равно нулю I ≈ 10 пА. Uвых ≈ 10мкВ. Uвх = Uвх0. На входе низкий уровень. VT2 закрыт. Транзистор отсчитывает напряжение на затворе относительно потенциала подложки. На затворе Uзvt - Uп = -5 В. Поэтому VT1 открыт. Его характеристики в этом режиме симметричны. Uвых = +5. U ≈ 10 мкВ (из-за токов утечки). КМДП ключ обеспечивает близкие к идеальному статические уровни на выходе. 83. Логические элементы. Основные параметры и особенности Логическим элементом называется электрическая схема, выполняющая какую-либо логическую операцию (операции) над входными данными и возвращающая результат операции в виде выходного уровня напряжения. Логический элемент воспринимает входные данные в виде высокого (напряжение логической 1) и низкого (напряжение логического 0) уровней напряжения на своих входах. Обычно, логические элементы собираются как отдельная интегральная микросхема. Логические операции: конъюнкция (логическое умножение, И), дизъюнкция (логическое сложение, ИЛИ), отрицание (НЕ) и сложение по модулю 2 (исключающее ИЛИ). Рассмотрим основные типы логических элементов. Параметры: - коэф-т объединения по входу - коэф разветвления по выходу Основные параметры: напряжение источника питания, уровни напряжений логического 0 и логической 1, нагрузочная способность, помехоустойчивость и быстродействие, потребляемая мощность. Элемент И Логический элемент И выполняет операцию логического умножения (конъюнкция) над своими входными данными и имеет от 2 до 8 входов и один выход (как правило, выпускаются элементы с двумя, тремя, четырьмя и восемью входами). На рис. 1. изображены условные графические обозначения (УГО) логических элементов И с двумя, тремя и четырьмя входами соответственно. Элементы И обозначаются как NИ, где N - количество входов логического элемента (например, 2И, 3И, 8И и т.д.). Элемент ИЛИ Логический элемент ИЛИ выполняет операцию логического сложения (дизъюнкция) над своими входными данными и, также как и логический элемент И, имеет от 2 до 8 входов и один выход. На рис. 2. изображены УГО логических элементов ИЛИ с двумя, тремя и четырьмя входами соответственно. Элементы ИЛИ обозначаются также, как и элементы И (2ИЛИ, 4ИЛИ и т.д.). Элемент НЕ (инвертор) Логический элемент НЕ выполняет операцию логического отрицания над своими входными данными и имеет один вход и один выход. Иногда его называют инвертор, так как он инвертирует входной сигнал. На рис. 3 изображено УГО элемента НЕ. Элемент И-НЕ Логический элемент И-НЕ выполняет операцию логического умножения над своими входными данными, а затем инвертирует (отрицает) полученный результат и выдаёт его на выход. Таким образом, можно сказать, что логический элемент И-НЕ - это элемент И с инвертором на выходе. УГО элемента 3И-НЕ приведено на рис.. Элемент ИЛИ-НЕ Логический элемент ИЛИ-НЕ выполняет операцию логического сложения над своими входными данными, а затем инвертирует (отрицает) полученный результат и выдаёт его на выход. Таким образом, можно сказать, что логический элемент ИЛИ-НЕ - это элемент ИЛИ с инвертором на выходе. УГО элемента 3ИЛИ-НЕ приведено на рис. Элемент сложения по модулю 2 Этот логический элемент выполняет логическую операцию сложения по модулю 2 и, как правило, имеет 2 входа и один выход. Такой элемент, в основном, используется в схемах аппаратного контроля. УГО элемента приведено на рис. Комбинационные логические элементы Существуют и более сложные логические элементы, выполняющие несколько логических операций над своими входными данными. Например, элемент 2И-ИЛИ, УГО и схема которого приведено на рис., сначала выполняет операцию логического умножения над парами операндов x1, x2 и x3, x4, а затем выполняет операцию логического сложения над полученными результатами, т.е. y = x1x2 + x3x4. Простейшие логические элементы на биполярных транзисторах. Принципиальная схема типового элемента 2И-НЕ диодно-транзисторной логики (ДТЛ) приведена на рис. 2. Если хотя бы на одном из входов (число которых может быть более двух) появляется уровень 0 (низкое напряжение), то соответствующий входной диод открывается и сигнал низкого напряжения практически закрывает транзистор Т1. При этом Т3 будет закрыт, а Т2 открыт и на выходе установится уровень 1 (высокий уровень). Для получения на выходе уровня 0 нужно, чтобы все входные диоды были закрыты, т.е. на входах должны быть уровни 1. Рис. 2. Принципиальная схема ДТЛ Принципиальная схема типового элемента 2И-НЕ транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) приведена на рис. 3. В отличие от схемы ДТЛ роль входных диодов выполняют эмиттерные переходы многоэмиттерного транзистора Т1. Рис. 3. Принципиальная схема ТТЛ 84. Элемент ТТЛ со сложным инвертором. Если хотя бы на одном из входов будет действовать логический ноль, соответствующий эмиттерный переход будет открыт. В цепи коллектора, а следовательно, и в цепи базы ток будет отсутствовать, будет находиться в режиме отсечки, ток через транзистор, а значит, ток базы будут близки к нулю. Транзистор также будет находиться в режиме отсечки, и на выходе будет высокий уровень напряжения логической единицы. При этом напряжение на коллекторе и на базе будет максимальным, и будет находиться в полностью открытом состоянии.При подаче на оба входа логических единиц оба эмиттерных перехода закрываются, и ток будет протекать по цепи от плюса, через R1, переход база-коллектор на базу. Транзистор VT2 перейдёт в режим насыщения. Ток через него, а следовательно, и ток базы будет максимальным, и транзистор VT4 перейдёт в режим насыщения. На выходе будет низкий уровень логического нуля. При этом напряжение на коллекторе VT2 и на базе будет близко к нулю и перейдёт в полностью закрытое состояние. Диод VD1 применяется для более надёжного запирания транзистора VT3 85. ДТЛ-логика Диодно-транзисторная логика (ДТЛ), англ. Diode–transistor logic (DTL) — технология построения цифровых схем на основе биполярных транзисторов, диодов и резисторов. Своё название технология получила благодаря реализации логических функций (например, 2И) с помощью диодных цепей, а усиления и инверсии сигнала — с помощью транзистора (для сравнения см. резисторно-транзисторная логика и транзисторнотранзисторная логика). Принцип работы Показанная на рисунке схема представляет собой типичный элемент 2ИЛИ-НЕ. Если хотя бы на одном из входов уровень логического нуля, то ток течет через R1 и диод во входную цепь. На анодах диодов напряжение 0,7 В, которого недостаточно для открывания транзистора. Транзистор закрыт. На выходе формируется уровень логической единицы. Если на все входы поступает уровень логической единицы, ток течет через R1 на базу транзистора, образуя на анодах диодов напряжение 1,4 В. Поскольку напряжение уровня логической единицы больше этой величины, входы диодов обратносмещены и не участвуют в работе схемы. Транзистор открыт в режиме насыщения. В транзистор втекает ток нагрузки, по величине значительно больший тока нагрузки в состоянии логической единицы. Преимущества и недостатки Основное преимущество ДТЛ перед более ранней технологией РТЛ — возможность создания большого числа входов. Задержка прохождения сигнала по-прежнему достаточно высока, из-за медленного процесса утечки заряда с базы в режиме насыщения (когда все входы имеют высокий уровень) при подаче на один из входов низкого уровня. Эту задержку можно уменьшить подключением базы транзистора через резистор к общему проводу или к источнику отрицательного напряжения. В более современной и эффективной технологии ТТЛ данная проблема решена путём замены диодов на мультиэмиттерный транзистор. Это также уменьшает площадь кристалла (в случае реализации в виде интегральной схемы), и соответственно позволяет добиться более высокой плотности элементов. Однако в ещё более современных и эффективных микросхемах ТТЛ (74S, 74LS, 74AS, 74ALS, 74F) с диодами Шоттки (ТТЛШ, ТТЛ Шоттки), фактически произошёл возврат к ДТЛ, на основе новой технологии — диодах и транзисторах Шоттки. Эти серии многоэмиттерного транзистора не содержат, фактически являются ДТЛ, и носят название ТТЛ (ТТЛШ) лишь «по традиции», будучи развитием именно ДТЛ. Применение Логические элементы на основе ДТЛ являлись основой для многих ЭВМ второго поколения, например БЭСМ-6, IBM 1401, и др. 86. ЭТЛ-логика Эми́ттерно-свя́занная ло́гика (ЭСЛ, ECL) — семейство цифровых интегральных микросхем на основе дифференциальных транзисторных каскадов. ЭСЛ является самой быстродействующей из всех типов логики, построенной на биполярных транзисторах. Это объясняется тем, что транзисторы в ЭСЛ работают в линейном режиме, не переходя в режим насыщения, выход из которого замедлен. Низкие значения логических перепадов в ЭСЛ-логике способствуют снижению влияния на быстродействие паразитных ёмкостей. Основная деталь ЭСЛ-логики — схема потенциального сравнения, собранная не на диодах (как в ДТЛ), а на транзисторах. Схема представляет собой транзисторы, соединённые эмиттерами и подключенные к корпусу (или питанию) через резистор. При этом транзистор, у которого напряжение на базе выше, пропускает через себя основной ток. Как правило, один транзистор в схеме сравнения подключен к опорному уровню, равному напряжению логического порога, а остальные транзисторы являются входами. Выходные цепи схемы сравнения поступают на усилительные транзисторы, а с них — на выходные эмиттерные повторители. Эмиттерный повторитель — способ включения транзистора, когда коллектор подключен к шине питания, а эмиттер является выходом. Напряжение на выходе эмиттера практически соответствует напряжению на базе, куда подаётся входной сигнал. Поэтому он и называется повторителем. Повторитель усиливает ток, не усиливая напряжения. Используется в основном для согласования высокого выходного сопротивление источника сигнала с малым сопротивлением нагрузки. Особенностью ЭСЛ является повышенные скорость (150 МГц уже в первых образцах 60-х годов и 0,5…2 ГГц в 70—80-х) и энергопотребление по сравнению с ТТЛ и КМОП (на низких частотах, на высоких — примерно равное), низкая помехоустойчивость, низкая степень интеграции (ограниченная, в частности, большой потребляемой мощностью каждого элемента, что не позволяет разместить в одном корпусе много элементов, так как это приведёт к перегреву) и как следствие — высокая стоимость. 87. КМОП-логика В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения состояний). Отличительной особенностью структуры КМОП по сравнению с другими МОП-структурами (N-МОП, P-МОП) является наличие как n-, так и p-канальных полевых транзисторов; как следствие, КМОП-схемы обладают более высоким быстродействием и меньшим энергопотреблением КМОП-вентили достаточно просто реализуют функции ИЛИ-НЕ (NOR)и И-НЕ (NAND). Выход Q двухвходового логического элемента 2ИЛИ-НЕ зависит от входов X1 и X2 Q = X1 + X2 (сумма под черточкой) Рассмотрим КМОП-схему с двумя входами, в которой входные сигналы поступают на рМОП, соединенные последовательно, и на n-МОП, соединенные параллельно 88. Триггерная ячейка. Основу триггеров составляют простейшие запоминающие ячейки, представляющие собой симметричную структуру из двух логических элементов ИЛИ-НЕ либо И-НЕ, охваченных перекрёстной обратной связью: 1 R Q 1 Q S S S R R T & S Q & Q R Q S S Q R R T Q Q // (В дальнейшем в шпоре Q c черточкой = Q1) Ячейки могут находиться в двух устойчивых состояниях: 1 и 0. Состоянию 1 соответствует единичный сигнал на выходе Q, состоянию 0 соответствует единичный сигнал на выходе Q1. Вход, по которому ячейка устанавливается в состояние 1, обозначается буквой S, а в состоянии 0 – буквой R. Когда на обоих информационных кодах существуют логические нули (S=R=0), сигналы на выходе могут иметь одно из двух сочетаний: Q=1, Q1=0 либо Q=0, Q1=1, так как каждый логический элемент ИЛИ-НЕ инвертирует входные сигналы, а переключающим сигналом служит единица. Допустим, что Q=1. Этот сигнал, действуя на входе нижнего элемента создаёт на его выходе Q1=0. В свою очередь, на входах верхнего элемента два нулевых сигнала – со входа R и с выхода Q1, обеспечивает Q=1. Состояние это устойчивое. Если на один из входов подать единичный сигнал, сохраняя нулевой на другом, триггер примет состояние, которое однозначно определяется входной информацией. При входных сигналах S=1, R=0 триггер принимает единичное состояние Q=1, Q1=0, а при S=0, R=1 – нулевое: Q=0, Q1=1. При появлении управляющего сигнала на одном из входов происходит либо опрокидывание триггера, либо подтверждение существующего состояния, если оно совпадает с требуемым. Если одновременно подать переключающие сигналы на оба входа (S=R=1), на обоих выходах появятся логические нули (Q=Q1=0) и устройство утратит свойства триггера. Поэтому комбинацию S=R=1 называют неопределённой (н/о). Переход от неопределённой комбинации к нейтральной (S=R=0) называют запрещенной комбинацией, так как состояние выходов при этом восстанавливается, но с равной вероятностью оно может стать единичным, так и нулевым, т.е. ведёт к непредсказуемому поведению триггера. Триггер, который переключается сигналами логической единицы, т.е. на логических элементах ИЛИ-НЕ, называют триггером с прямым управлением (RS-триггер). Триггер, который переключается сигналами логического нуля, т.е. на логических элементах И-НЕ, называют триггером с инверсными входами ( R S -триггер). Для такого триггера неопределённая комбинация (н/о): S=R=0. 89. Триггер с раздельными входами Этот триггер имеет два информационных входа: R и S и один выход - Q. Условное обозначение и таблица переходов RS-триггера изображены на рисунке. (в данном случае изображен асинхронный триггер, у синхронного есть также вход С) Вход S (set) - вход установки в единицу Вход R (reset) – вход установки в ноль. Анализируя таблицу переходов можно заметить, что переход триггера из 0 в 0 возможен при подаче комбинации R=0, S=0 или R=1, S=0, т.е. этот переход будет при R=X (безразличное состояние), S=0. Исходя из этого таблицу переходов можно изобразить в сокращенном виде: При подаче комбинации S=R=1 состояние перехода Qt+1 не определено и эта комбинация сигналов является запрещенной для RS-триггера. 90. Интегральные триггеры Интегральные триггеры используются как самостоятельные устройства и, кроме того, входят в состав различных функциональных устройств: счетчиков, регистров, запоминающих устройств и т. п. Современные интегральные триггеры часто строятся на основе нескольких логических элементов, объединенных в одну микросхему. Они могут иметь несколько входов и различаться способами ввода входной информации. Для преобразования входной информации в требуемую комбинацию управляющих сигналов в триггере имеется устройство управления. Это устройство позволяет значительно расширить функциональные возможности триггера. Обобщенная структурная схема триггера с устройством управления показана на рис. 12.5. Входные сигналы А, В, V, С, S, R в зависимости от выполняемой роли подразделяются на информационные (логические), подготовительные (разрешающие) и исполнительные (командные). Входы триггера, на которые подаются эти сигналы, соответственно носят названия: информационные (логические), предустановочные (подготовительные) и тактовые (синхронизирующие). В зависимости от назначения триггера предустановочные и тактовые входы могут отсутствовать, в то время как информационные входы имеются у каждого триггера. На схемах входы триггера обозначают буквами латинского алфавита в соответствии с табл. 12.1. По назва- ниям информационных входов называют и триггеры: RS-триггер, D-триггер, //(-триггер и др. В зависимости от схемы управляющего устройства триггеры делятся на синхронные и асинхронные (от греч. а — не, сын — вместе, хронос — время). Асинхронные триггеры имеют только информационные (логические) входы, и в них запись информации осуществляется в момент ее поступления. Всинхронных триггерах запись информации, поступившей на информационные входы, происходит только при поступлении на синхронизирующий (тактирующий) вход дополнительного командного импульса. Синхронные триггеры могут иметь и асинхронные входы, которые обычно служат для установки триггера в нужное исходное состояние. Асинхронные триггеры используются в качестве коммутаторов, ключей, счетчиков импульсов, делителей частоты повторения импульсов и т. п. Синхронные триггеры применяются в вычислительной и цифровой технике. Работой триггеров можно управлять путем изменения уровней входных сигналов при достижении ими определенных порогов срабатывания, а также фронтами и срезами, возникающими при изменении этих уровней. Триггеры, переключающиеся по уровню входных сигналов, называют триггерами со статическим управлением, а по фронтам и срезам — триггерами с динамическим управлением. На схемах триггер изображают прямоугольником, разделенным вертикальной линией на две части (рис. 12.6): правая часть — основное поле, левая — дополнительное. В основном поле помещается буква Т, а в дополнительном у каждого входа пишется буква (метка), указывающая на его функциональное назначение в соответствии с табл. 12.1. Статические прямые входы и выходы отображают прямыми линиями без каких-либо индикаторов, а инверсные имеют дополнительный индикатор в виде маленького кружка на стороне прямоугольника (рис. 12.6, а). Динамические входы обозначают небольшими треугольниками. У прямых динамических входов, вызывающих «опрокидывание» триггера при изменении уровня сигнала от 0 к 1, острие треугольника направлено внутрь поля (рис. 12.6, б), а у инверсных, вызывающих опрокидывание триггера при изменении уровня сигнала от 1 до 0,— наружу (рис. 12.6, в). У триггера может быть несколько информационных входов, связанных в группы операциями И либо ИЛИ. Группа входов, связанная операцией И, в дополнительном поле помечается символом логического умножения. Группа входов, связанная операцией логического сложения ИЛИ, дополнительных символов в условном обозначении не имеет (рис. 12.6, г). 91. RS-триггеры Триггер с раздельным запуском называют RS-триггером. RS-триггер — триггер, который сохраняет своё предыдущее состояние при нулевых входах и меняет своё выходное состояние при подаче на один из его входов единицы. RS-триггер имеет два входа и два выхода. Входы, на которые подают запускающие импульсы, называют установочными и обозначают R и S. Буква S означает раздельный вход установки в состояние 1, буква R -- раздельный вход установки в состояние 0. Выходы обозначают Q(t) и Q(t+1) RS-триггеры могут быть асинхронными и синхронными, синхронизируемые уровнем либо фронтом синхросигнала. Асинхронным - называется такой триггер, который меняет свое состояние в момент подачи входного сигнала на входы S и R. Триггер называется синхронным, если у него помимо информационных входов S и R, существует управляющий вход С. Триггер будет менять свое состояние только при логической 1 на входе С Асинхронный RS-триггер: Синхронный RS-триггер синхронизируемый уровнем: Синхронный RS-триггер синхронизируемый фронтом: Асинхронный RS-триггер на "И-НЕ": Асинхронный RS-триггер на "ИЛИ-НЕ": Синхронный RS-триггер на "И-НЕ"; "ИЛИ-НЕ":
