1 Обозначения

3
1
С
D
L
Обозначения
конденсатор
диод, тиристор
индуктивность,
катушка
R
резистор
T
транзистор
w
число витков
A
amplification,
differential voltage
gain
AB
loop gain
B
feedback fraction
C
ёмкость
cos коэффициент
мощности
f
частота
2 Abbreviations
A
ac
AM
B2
B6
CB
CC
CE
BJT
dc
F
FET
FM
G
GTO
H
Hz
IC
IGBT
JFET
k
LDR
LED
LSI
M
m
M1
G
I
K
L
LR
p
P
q
Q
r
R
S
t
T
проводимость
ток
коэффициент
напряжения
индуктивность
load regulation
оператор Лапласа
активная мощность
duty cycle
magnification factor
ripple factor
сопротивление
кажущаяся
мощность
время
период, цикл
Ампер
переменный ток
амплитудная модуляция
однофазный мостовой
выпрямитель
трёхфазный мостовой выпрямитель
общая база
общий коллектор
общий эмиттер
биполярный транзистор
постоянный ток
Фарад
полевой транзистор
частотная модуляция
Гига = 109 (приставка)
gate turn-off thyristor
Генри
Герц
интегральная схема
биполярный транзистор с
изолированным затвором
полевой транзистор с управляемым
p-n переходом
кило = 103 (приставка )
фоторезистор
светодиод
large-scale integration circuit
мега= 106 (приставка )
милли = 10-3 (приставка)
однофазный однополупериодный
выпрямитель
V
W
X
Z








напряжение
энергия
реактивное
сопротивление
импеданс
dc alpha, control
angle
current gain, angle of
advance
commutation angle
error, loss
к.п.д
угол сдвига фаз
температура
угловая скорость
однофазный выпрямитель со
средней точкой
M3
трёхфазный выпрямитель со
средней точкой
MOSFET metal-oxide semiconductor FET
MCT MOS-controlled thyristor
MPP maximum peak-to-peak
MSI medium-scale integration circuit
n
нано = 10-9 (приставка)
n
отрицательный
p
пико = 10-12 (приставка)
p
положительный
PWM широтно-импульсная модуляция
(ШИМ)
rms root mean square
S
Сименс
s
секунда
SCR silicon-controlled rectifier
SSI small-scale integration circuit
V
Вольт
VCO voltage-controlled oscillator
W
Ватт
VA
ВольтАмпер

микро = 10-6 (приставка)

Ом
M2
4
Вопросы к экзаменам.
1. Силовые полупроводники (ток, кристалл, сопротивление, рекомбинация, p-n
переход, смещение)
2. Выпрямительный диод (символ, выходная характеристика, смещение, силовой
диод, )
3. Диоды со специальными свойствами (варактор, диод Зенера, диод Шоттки, LED,
оптопара)
4. Биполярный транзистор - BJT (символ, структура, топология, α, β, входные,
выходные и передаточные характеристики, нагрузочная кривая)
5. Полевой транзистор с управляемым p-n переходом - JFET (символ, структура,
входные, выходные характеристики, возможности)
6. МДП- транзистор - MOSFET (символ, структура, силовые МДП- транзисторы)
7. IGBT - (символ, структура, входные, выходные характеристики, возможности)
8. SCR - (символ, структура, входные, выходные характеристики, возможности)
9. Тиристоры со специальными свойствами (диаки, триаки, GTO, MOS)
1. 10 Общие характеристики цепей (EMI, EMC, убывающие гармоники,
тиристорные и транзисторные снабберы, клампы напряжения)
10. Однофазные выпрямители (однополупериодный, полноволновой мостовой с
активной и индуктивной нагрузкой)
11. Трёхфазные выпрямители ( полноволновой и мостовой с активной и индуктивной
нагрузкой)
12. Однофазные инвертеры (транзисторные, PWM-управляемые и резонансные
инвертеры)
13. Трёхфазные инвертеры (тиристорные, транзисторные и PWM-управляемые
инвертеры)
14. DC линейные регуляторы (последовательные), источники питания
15. Чопперы (1-, 4-х квадрантные)
16. Частотные преобразователи (PWM, матричные и циклоконверторы)
ТЕСТЫ для самоподготовки. Self-testing.
Введение.
1. Кем открыта проводимость полупроводников? Aron, Fleming, Jasmin, Mejer
2. Когда сделаны важнейшие открытия в исследованиях полупроводников?
3. 1700-ые, 1800-ые, 1900-ые, 2000-ые годы
4. Когда полупроводниковые приборы начали использоваться?
5. 1930-ые, 1940-ые, 1950-ые, 1960-ые годы
4. Нелинейные приборы: резистор, диод, транзистор, тиристор
5. Линейные приборы: резистор, диод, транзистор, тиристор
6. Пассивные приборы: резистор, диод, транзистор, тиристор
7. Свойства пассивных приборов:
8. Активные приборы: резистор, диод, транзистор, тиристор
9. Свойства пассивных приборов: усиление, заземление, регулирование,
10. Приборы, которые могут сохранять энергию: резистор, диод, конденсатор,
катушка
11. Приборы, на которых выделяется энергия: резистор, диод, конденсатор, катушка
I
V
I
V
12. Формулы для коэффициентов усиления: out , out , in , in .
I in Vin I out Vout
13. Закон Ома: V  I  R I  V  R R  V  I I  V / R
14. Если период равен 10, то частота равна: 0,1 1 10 100
5
15. Если период равен 10, то угловая скорость равна (приблизительно): 0,1 1 10 100
16. Если ёмкость равна 0,1, то реактивное сопротивление в однофазной цепи равно
(приблизительно): 0,1 1 10 100
17. Если ёмкость и индуктивность равны 0,1, то резонансная частота равна
(приблизительно): 0,1 1 10 100
18. Если индуктивность равна 0,1, то реактивное сопротивление в однофазной цепи
равно (приблизительно): 0,1 1 10 100
19. Компоненты накопительной цепи: резистор, реактор, конденсатор,
20. Частотная характеристика – это зависимость: f(A) A(f) T(A) T(f)
21. Если А=10, то коэффициент усиления в полосе частот равен (приблизительно): 0,1
1 10 100
22. Частотный диапазон промышленных приборов равен: 20Hz 20kHz 20MHz 20GHz
23. Частотный диапазон аудиотехники равен: 2Hz 2kHz 2MHz 2GHz
24. Частотный диапазон телефонной связи равен: 1Hz 1kHz 1MHz 1GHz
25. К.п.д. электронных приборов равен: 1% 10% 90% 110%
26. В случае отрицательной обратной связи усиление: увеличивается уменьшается не
изменяется нет усиления вообще
27. В случае положительной обратной связи усиление: увеличивается уменьшается
не изменяется нет усиления вообще
28. В случае отрицательной обратной связи частотный диапазон становится : ниже
уже не изменяется пропадает вообще
29. В случае положительной обратной связи частотный диапазон становится : ниже
уже не изменяется пропадает вообще
Диоды.
1. Диод – это прибор типа : линейный нелинейный прямой обратный
2. Как смещён непроводящий диод? прямо линейно нелинейно обратно
3. Какого типа сопротивление имеет диод? омическое слабое температурное
ионное
4. Когда падение напряжения на диоде маленькое, это свойство диода: хорошее
плохое нормальное всё равно
5. Когда ток диода большой, как диод смещён: линейно нелинейно прямо обратно
6. Какое напряжение диода обозначается «knee voltage»? линейное нелинейное
прямое обратное
7. Какой величины ток утечки по сравнению с прямым током? больше меньше равно
ноль
8. Как выглядит график вольт-амперной характеристики диода выше точки «knee
voltage»? вертикально горизонтально почти вертикально почти горизонтально
9. Если диод имеет напряжение 0,5V и ток 50 mA, чему равна мощность(W)?
0,025 0,1 10 25
10. Два диода соединены последовательно. Первый диод имеет напряжение 0,4 V,
второй 0,8 V. Если ток через первый диод 0,5А, то ток через второй диод: 0,25 0,5 1 4
11. Какой из процессов наиболее общий для диодов? выпрямление переключение
усиление инвертирование
12. Варактор – это: диод, резистор, конденсатор, полупроводник
13. Напряжение пробоя зенеровского диода растёт с ростом тока? всегда никогда
обычно иногда
14. Какого типа прибором является диод Зенера? постоянного напряжения
постоянного тока выпрямитель усилитель
15. Что такое варистор? диод, резистор, конденсатор, полупроводник
6
16. Почему диоды Шоттки более быстродействующие, чем выпрямительные диоды?
меньше легирован тоньше слои больше металла больше полупроводника
17. Какие оптоэлектронные приборы Вы знаете? LED PED LDR CSR
18. Какое отличие фотодиода от выпрямительного диода? тип носителей
исполнение смещение проводимость
19. Что означает отрицательное сопротивление? отрицательное I отрицательное V
отрицательное dI / dV отрицательное dV / dI
20. Где диод Шоттки находит большое применение? радио телефонная связь
силовые цепи микропроцессорная техника
21. Верхняя граница обратного напряжения определяется: лавинным пробоем;
локальным тепловым пробоем перехода; напряженностью электрического поля.
22. У силовых диодов с высоким пробивным напряжением p-n переход: тонкий;
толстый.
23. У сильно легированных участков хорошая эл.проводимость: в обратном
направлении; в прямом направлении.
24. Как включить диод, чтобы он проводил ток в прямом направлении: напряжение
на катоде по отношению к напряжению на аноде позитивное; напряжение на аноде
по отношению к напряжению на катоде позитивное.
25. При обратном включении через диод проходит: маленький ток; большой ток.
26. Номинальное обратное напряжение должно составлять от пробивного: 50-60 %;
60-70 %; 80-90 %
27. У каких диодов самое большое время восстановления: диоды Шоттки;
выпрямительные диоды; быстродействующие диоды.
Тиристоры
1. Кем была предложена конструкция тиристора? Aron, Jasmin, Mejer, Moll
2. От какого слова произошло название «тиристор»? окно ключ дверь ....
3. Где был изготовлен первый тиристор? Bosh General Electric Siemens
Tallinn
4. С какого года выпускаются тиристоры? 1865 1948 1956 1965
5. Сколько внешних соединений имеет тиристор? 1 2 3 4
6. Назовите основное назначение тиристора? усиление, переключение,
соединение,
регулирование
7. Тиристор переходит в проводящее состояние, если прикладывается прямое
управляющее напряжение? всегда никогда обычно иногда
8. Какой тип проводимости имеет тиристор? прямую непрямую в двух
направлениях в трёх направлениях
9. В каких процессах применяется тиристор? выпрямление переключение
усиление инвертирование
10. Как называется минимальный входной ток, который может включить
тиристор? поддерживающий выключения включения....
11. Как называется минимальный входной ток, который может выключить
тиристор? поддерживающий выключения включения.....
12. Каким способом можно выключить выпрямительный тиристор, который
находится в проводящем состоянии? подачей импульса на управляющий
электрод снятием управляющего импульса ростом тока отключением
тока
13. Однооперационный тиристор – это: SCR GTO MCT
14. Тиристор, управляемый током: GTO LTT MCT
15. Тиристорный диод – это: SITH MCT RCT LTT
16. Тиристор, управляемый напряжением: SCR SITH MCT
7
17. Диак состоит из: 2 диодов сопротивления-диода конденсатора- диода
катушки –диода
18. Однооперационные тиристоры находят применение в: управляемых
выпрямителях инверторах регуляторах переменного тока
19. Полупроводниковый кристалл SCR имеет слёв: 2 3 4
20. Тиристор SCR открывается положительным импульсом на управляющем
электроде прямым напряжением, превышающим напряжение блокировки
21. . Включённый в прямом направлении SCR имеет состояния: открытое
закрытое
22. Для запирания силового тиристора необходим: катодный ток, меньший тока
удержания анодный ток, меньший тока удержания
23. Для цепи запирания используют следующие элементы: сопротивление
конденсатор вспомогательный тиристор
24. Для каких тиристоров не требуется специальной цепи запирания: GTO MCT
SCR.
25. Почему GTO вызывает большой интерес? включить/выключить
прямой/обратный выпрямитель/усилитель низкая/ высокая мощность
26. Что определяется как двухоперационный тиристор? включить/выключить
прямой/обратный выпрямитель/усилитель низкая/ высокая мощность
27. Где GTO находит большее применение? радио телефонная связь силовые
цепи низковольтные цепи
28. Триак – это: два встречно-параллельно включённых транзистора два
встречно-параллельно включённых тиристора
29. В каких областях работает триак? в прямой непрямой в двух направлениях в
трёх направлениях
30. Цепь вынужденной коммутации используют для: открывания тиристора
запирания тиристора
31. При последовательном включении расчетное напряжение на тиристоре:
увеличивают на 10%; уменьшают на 10%; оставляют без изменения.
32. При параллельном включении расчетный ток на каждый тиристор должен
быть: на 20-30% больше допустимого; на 20-30% меньше допустимого;
оставаться на том же уровне.
33. Должен ли при открытом состоянии GTO присутствовать ток через
управляемый электрод: должен небольшой; не должен; все равно есть или
нет.
Транзисторы
1. Кто изобрёл биполярный транзистор? Jasmin Bardeen Moll Schottky
2. Какое открытие удостоено Нобелевской премии? проводимость
полупроводников диод транзистор тиристор
3. Сколько рабочих областей имеет транзистор? 1 2 3 4
4. Какая важнейшая операция транзистора? усиление выпрямление
регулирование инвертирование
5. Какие основные носители в базе транзистора n-p-n? электроны дырки
протоны нейтроны
6. Транзистор – это: наполовину управляемый п/п элемент неуправляемый п/п
элемент
полностью управляемый п/п элемент.
7. Силовые транзисторы работают: в ключевом режиме; в дискретном
режиме.
8
В биполярных транзисторах: носители зарядов электроны и дырки,
управляют базовым током; носители зарядов электроны и дырки,
управляют напряжением затвора.
9. Для построения BJT транзистора используют: кремний; карбид кремния;
арсенид галлия.
10. Управлять коллекторным током BJT можно: включением между В и Е
сопротивления включением между В и Е емкости включением между В и Е
источника сигнала
11. При каких условиях начинает усиливать n-p-n транзистор? I C  I B I C  I E
VC VB VC VE
12. Какое смещение эмиттерного диода обычно используется? прямое обратное
оба другое
13. Как должен быть смещён коллекторный диод транзистора для его нормальной
работы? в прямом направлении в обратном в обоих другой вариант.
14. База биполярного транзистора выполнена из: металла диэлектрика окисла
полупроводника
15. Структура биполярного BJT транзистора состоит: кристалл имеет
низколегированные слои; кристалл имеет 4 слоя.
16. В режиме усиления переходы находятся: переход В – Е под обратным
напряжением; переход В – Е под прямым напряжением; переход С - В под
обратным напряжением; переход С - В под прямым напряжением.
17. Выходные характеристики биполярного транзистора - это: зависимость IC от
UCE; зависимость IC от IB; зависимость UCE от UBE.
18. Выходные характеристики разделяют на зоны: запертая зона; зона
насыщения; зона кажущегося насыщения; активная зона.
19. Откуда начинают движение электроны в n-p-n транзисторе? эмиттер
коллектор база затвор
20. Какое основное действие электронов в базе транзистора n-p-n?
рекомбинация ионизация легирование прохождение
21. Коэффициент усиления по току в биполярных транзисторах IЕ / IC
IC /
IB
IB / IC
IC / IE
22. Коллекторный ток при увеличении базового тока BJT возрастает : правда
ложь часто иногда
23. Усиление по напряжению при входном сигнале 0,2V и выходном 10V равно:
0,02 2 10 50
24. Усиление по току при входном сигнале 5µА и выходном 10mА равно: 2 50
2000 5000
25. Если усиление по току 200 и коллекторный ток 100 mА, то ток базы (µА): 0,5
20 500 20000
26. Если в транзисторе коллекторный ток 100 mА и напряжение коллектор-эмиттер
3,5 V, то мощность рассеяния (W): 0,035 0,05 0,35 350
27. Если в транзисторе эмиттерный ток 10mА, коллекторный ток 9,95mА, то ток
базы(µА): 0,05 19,95 50 19950
28. Для безопасной работы транзистора используют SOA диаграммы. За какую
зону нельзя выходить? максимально допустимая температура; граница
импульсной работы; максимально допустимый ток коллектора.
29. Минимальный ток базы для насыщения:
Ibmin = Ick / B;
Ibmin = Ic / B;
Ibmin = B / Ic.
30. Полевые транзисторы можно включать: напряжением затвора; базовым
током; током управления.
8.
a.
b.
c.
9
31. Работа полевых транзисторов требует внешних источников: одного двух
32. Транзистор JFET изображается:
33. Направление тока в MOSFET транзисторе: вертикальное; горизонтальное;
смешанное.
34. Большое допустимое напряжение MOSFET получают за счет:
слаболегированного n-слоя; емкости слоев; положительного температурного
коэффициента канального сопротивления
35. В транзисторах MOSFET движением электронов управляют: при помощи тока;
при помощи электрического поля; при помощи напряжения.